改性MMT/ZnO/GQDs纳米复合材料的制备及其抗菌性能

采用水浴法制备改性MMT/ZnO/GQDs纳米复合材料,以蒙脱土(MMT)作为氧化锌(ZnO)/石墨烯复合量子点的载体,有效防止纳米粒子的团聚,同时抑制ZnO量子点表面光生电子和空穴的复合,系统地研究了改性剂种类、MMT用量等对复合材料抗菌性能的影响.通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线粉末衍射仪(XRD)等对所得产物的组分、形貌和结构进行表征.结果表明:采用十八烷基三甲基氯化铵(OTAC)改性MMT制备的复合材料比采用十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)改性MMT及未改性MMT制备的复合材料具有更优异的抗菌性能,当改性MMT/ZnO/GQDs复合材料中MMT与Zn的比例为12%时,其抗菌性能最佳,最小抑菌浓度达到1.8mg/mL.

ZnO@GQDs核壳结构量子点的制备及性能研究

采用原位聚合法制备了以ZnO量子点为核、石墨烯量子点(GQDs)为壳的ZnO@GQDs核壳结构量子点.通过TEM和HR-TEM对量子点进行形貌和结构的分析表征.结果表明,合成的ZnO@GQDs核壳结构量子点为球形,粒径为～ 7nm,且尺寸均匀.PL光谱研究表明,新型量子点的发射峰位于369 nm,发光峰窄、强度高;相对于ZnO的本征发射峰,GQDs的引入使得ZnO@GQDs核壳量子点的荧光发射峰出现蓝移、强度变高,从而使复合量子点的荧光具有较纯的色度和较高的强度,说明GQDs的引入具有协同优化效应.该量子点有望应用于LED显示器件.

正交法优化ZnO/MMT抗菌材料制备条件及抑菌活性研究

以氯化锌、氢氧化钠为原料,蒙脱石(Montmorillonite,MMT)为载体,最小抑菌浓度(MIC)和最小杀菌浓度(MBC)为测试指标,采用正交试验考察物料配比、反应温度、反应时间等因素对该抗菌材料抑菌活性的影响,确定ZnO/MMT抗菌材料的最佳制备条件,并通过XRD、SEM和BET对其结构进行了表征。结果表明,影响该抗菌材料性能的因素依次为反应温度>物料配比>反应时间,制备ZnO/MMT抗菌材料的最佳条件为氯化锌∶氢氧化钠=1∶8,反应温度为70℃,反应时间为18h。ZnO/MMT抗菌材料对沙门氏菌(Salmonella)、大肠杆菌(E.coli)和金黄色葡萄球菌(S.aureus)具有广谱抗菌性。

石墨烯量子点掺杂的ZnO纳米片的气敏性能研究

制备性能优异的气敏材料对于设计高性能气体传感器具有重要意义。该文采用水热法制备了ZnO纳米片,利用石墨烯量子点(GQDs)对ZnO纳米片进行了掺杂,研究了GQDs掺杂量对材料气敏性能的影响。研究结果表明:与未掺杂ZnO纳米材料相比,复合材料气敏元件具有独特的响应和恢复特性,更有利于其实际应用。

纳米粒子和聚四氟乙烯填充UHMWPE复合材料的摩擦磨损性能研究

以纳米氧化锌（ZnO）和纳米蒙脱土（MMT）及聚四氟乙烯（PTFE）作为复合填料，通过热压成型工艺制备了纳米ZnO-MMT及PTFE填充超高分子量聚乙烯（UHMWPE）复合材料，采用销-盘式摩擦磨损试验机考察了纳米粒子对复合材料摩擦磨损性能的影响，用扫描电子显微镜观察了复合材料磨损表面形貌。结果表明：当PTFE和MMT的填充量均保持为质量分数6％，填充纳米ZnO质量分数为4%-6％时的复合材料可获得较好的摩擦磨损性能，与不含纳米ZnO的复合材料相比，其摩擦因数最低下降了11．1％，而磨损率下降了83．3％。当复合填料中纳米ZnO含量较低时，复合材料的磨损机制主要表现为不同程度的粘着磨损，但当复合填料中纳米ZnO含量较高时，复合材料的磨损机制主要表现不同程度的粘着磨损和磨粒磨损．同时其复合材料的摩檫磨损性能出现了恶化现象。

成核剂对尼龙66结晶行为和力学性能的影响

分别以四角状氧化锌晶须、蒙脱土和硫酸镁晶须为成核剂,制备了尼龙66的薄膜样品,通过偏光显微镜观察、拉伸性能测试等方法研究了不同成核剂种类和用量对尼龙66结晶行为和力学性能的影响。结果表明,成核剂的添加使尼龙66球晶尺寸变小和结晶度增加,拉伸强度和断裂伸长率增加,其中四角状氧化锌晶须成核剂效果最好。