MNOS电容辐照吸收剂量计的研究

从理论上给出了具有存储特性的 MNOS电容在存储电荷后经受γ射线辐照的响应规律 ,并利用这一特性制作电子辐照吸收剂量计。采用 L PCVD工艺制作了具有存储特性的 MNOS电容 ,经自行研制对存储电荷干扰极小的 MNOS电容辐照实验测试系统 ,对样品进行了 60 Co辐照响应规律的研究。结果表明 :MNOS电容电子辐照剂量计适用于 10 3 ～ 10 5Gy范围内的累计剂量的测量。这种新型剂量计的优点是 :一次性校准可重复多次使用并可直接读数的电子测量方式 ,便于测量自动化 ,非常适用于太空飞行器和核技术应用中累计剂量的测量。

MNOS电容的辐照吸收特性

本文报告ＭＮＯＳ存储电容的辐照吸收规律与电容对存储电荷的保留特性之间有一定的内在联系：在ＳｉＯ２膜辐照响应的集总常数保持不变时，样品对存储电荷的保留能力越强，则辐照响应的敏感剂量越往小剂量方向移动．

高压MnO2钽电容器的漏电流稳定性研究

高压MnO2钽电容器燃烧的失效模式给高稳定、高可靠电子电路安全使用带来很大的隐患,介质氧化膜的晶化和其中的氧空位跃迁是导致漏电流增长的主要因素。涂覆绝缘树脂阻挡层在电介质表面,既可屏蔽表面晶化点,提高界面的势垒,又能降低电介质在被覆MnO2过程中的劣化。通过2倍额定电压和125℃环境条件V-I和T-I特性测试,揭示了温度和电压对极端条件下漏电流的作用机理,调整漏电流动力学公式中的欧姆和Poole-Frenkel电导率,高压MnO2钽电容器的正向V-I特性曲线与理论较好地吻合。该技术方法为高压MnO2型钽电容器在严酷环境中的安全使用提供支撑。