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MOCVD气源输运技术研究
被引量:
1
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作者
刘玉贵
甘志银
孙江平
《机械与电子》
2014年第3期18-21,共4页
利用GaN MOCVD设备的气源输运系统结构,分析了单稀释MO源管路和双稀释MO源管路的工作原理及特点,提出了MO源摩尔流量的计算公式和一种零死区管路设计方案;并且把管路压差控制和气体自动补偿技术应用到了MOCVD设备中。
关键词
mo
CVD
mo源管路
压差控制
气体
自动补偿
下载PDF
职称材料
题名
MOCVD气源输运技术研究
被引量:
1
1
作者
刘玉贵
甘志银
孙江平
机构
华中科技大学机械科学与工程学院
出处
《机械与电子》
2014年第3期18-21,共4页
文摘
利用GaN MOCVD设备的气源输运系统结构,分析了单稀释MO源管路和双稀释MO源管路的工作原理及特点,提出了MO源摩尔流量的计算公式和一种零死区管路设计方案;并且把管路压差控制和气体自动补偿技术应用到了MOCVD设备中。
关键词
mo
CVD
mo源管路
压差控制
气体
自动补偿
Keywords
mo
CVD
mo
source pipe
pressurecontrol
flow - automatic compensation
分类号
TN305 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
MOCVD气源输运技术研究
刘玉贵
甘志银
孙江平
《机械与电子》
2014
1
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