Ni－Cr衬底上MOCVD法制备YSZ过渡层的研究

用ＭＯＣＶＤ方法在柔性金属衬底上沉积超导膜是潜在的实用高温超导成材方法。用适当方法原位快速地制备有择优取向的防扩散过渡层是其中的关键。本文报导用有机源Ｙ（ｄｐｍ）_３和Ｚｒ（ｄｐｍ）_４，采用ＭＯＣＶＤ方法在Ｎｉ基合金衬底上沉积了Ｙ稳定的ＺｒＯ_２立方相过渡层，厚度约０．５μｍ。文中研究了氧分压和沉积温度对ＹＳＺ结晶和择优取向的影响。结果表明，在生长压力为１３０Ｐａ时，氧分压低至２０Ｐａ，制备出（１１１）取向为主的ＹＳＺ多晶膜，氧分压为５０～１００Ｐａ，则制备出（ｈ００）择优取向为主的ＹＳＺ膜。衬底温度太低，将导致ＹＳＺ膜质量变差。