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MOCVD外延生长Ga_(1-x)Al_xAs_(1-y)Sb_y半导体薄膜气固平衡和人工神经网络预报
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作者 严六明 胡英 +2 位作者 吴伟 陈念贻 彭瑞伍 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第4期363-365,共3页
本文研究了MOCVD外延生长Ga1-xAlxAs1-ySby半导体薄膜的生长条件与外延层组成的关系,并用人工神经网络法总结有关气固平衡规律。结果表明,用气相组成,载气流量和生长温度等影响外延层组成的主要参数作为人工神... 本文研究了MOCVD外延生长Ga1-xAlxAs1-ySby半导体薄膜的生长条件与外延层组成的关系,并用人工神经网络法总结有关气固平衡规律。结果表明,用气相组成,载气流量和生长温度等影响外延层组成的主要参数作为人工神经网络的输入,以固相Ga1-xAlxAs1-ySby中的Al和Sb的含量x、y作为输出,训练的人工神经网络可以预报固相组成x、y,得到满意结果。 展开更多
关键词 镓铝砷铅 半导体 气固平衡 人工神经网络 薄膜
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