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Mass transport analysis of a showerhead MOCVD reactor 被引量:1
1
作者 李晖 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第3期37-41,共5页
The mass transport process in a showerhead MOCVD reactor is mathematically analyzed.The mathematical analysis shows that the vertical component velocity of a point over the substrate is only dependent on vertical dist... The mass transport process in a showerhead MOCVD reactor is mathematically analyzed.The mathematical analysis shows that the vertical component velocity of a point over the substrate is only dependent on vertical distance and is independent of radial distance.The boundary layer thickness in stagnation flow is independent of the radial position too.Due to the above features,the flow field suitable for film growth can be obtained.The ceiling height of the reactor has important effects on residence time and the mass transport process.The showerhead MOCVD reactor has a short residence time and diffusion plays an important role in axial transport,while both diffusion and convection are important in radial transport. 展开更多
关键词 showerhead mocvd reactor mass transport mathematical analysis
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Numerical studies on flow and thermal fields in MOCVD reactor 被引量:2
2
作者 ZHONG ShuQuan REN XiaoMin HUANG YongQing WANG Qi HUANG Hui 《Chinese Science Bulletin》 SCIE EI CAS 2010年第6期560-566,共7页
A systematic study has been performed to investigate the flow and thermal patterns of vertical rotating Thomas Swan MOCVD reactor at low pressure,using 2-D dynamic modeling.By varying and calculating the several impor... A systematic study has been performed to investigate the flow and thermal patterns of vertical rotating Thomas Swan MOCVD reactor at low pressure,using 2-D dynamic modeling.By varying and calculating the several important process parameters of the reactor,the optimized conditions of the uniform distributions of velocity and temperature profiles in steady state have been obtained.Then,time-dependent models with the step response perturbation of the total gas rate can help identify the visual transient behavior inside the reactor and analyze the mechanism of delay time,relaxation oscillation and pulsative oscillation.These results are beneficial to the process parameter optimization and geometrical configuration design of the MOCVD reactor. 展开更多
关键词 金属有机化学气相沉积 反应器 数值研究 工艺参数优化 mocvd生长 热场 旋转模式 动态建模
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Design of a three-layer hot-wall horizontal flow MOCVD reactor 被引量:1
3
作者 谷承艳 李成明 刘祥林 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2012年第9期38-42,共5页
A new three-layer hot-wall horizontal flow metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) reactor is proposed. When the susceptor is heated, the temperature of the wall over the susceptor also increases to the same... A new three-layer hot-wall horizontal flow metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) reactor is proposed. When the susceptor is heated, the temperature of the wall over the susceptor also increases to the same temperature. Furthermore, the flowing speed of the top layer is also increased by up to four times that of the bottom layer. Both methods effectively decrease the convection and make most of the metal organic (MO) gas and the reactive gas distribute at the bottom surface of the reactor. By selecting appropriate shapes, sizes, nozzles array, and heating area of the walls, the source gases are kept in a laminar flow state. Results of the numeric simulation indicate that the nitrogen is a good carrier to reduce the diffusion among the precursors before arriving at the substrate, which leads to the reduction ofpre-reaction. To get a good comparison with the conventional MOCVD horizontal reactor, the two-layer horizontal MOCVD reactor is also investigated. The results indicate that a two- layer reactor cannot control the gas flow effectively when its size and shape are the same as that of the three-layer reactor, so that the concentration distributions of the source gases in the susceptor surface are much more uniform in the new design than those in the conventional one. 展开更多
关键词 mocvd two-layer horizontal reactor three-layer horizontal reactor numerical simulation
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MOCVD反应器热流场的数值模拟研究 被引量:12
4
作者 钟树泉 任晓敏 +4 位作者 王琦 黄辉 黄永清 张霞 蔡世伟 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期1342-1348,共7页
本文以低压、旋转、垂直喷淋结构的MOCVD反应器为对象,应用二维数学模型分析与计算,对反应器内部的质量输运过程进行了比较详细的研究与讨论。通过计算发现:在一定范围内,增加进气流量Q、降低操作压力P、设定适宜的生长温度t、保持合理... 本文以低压、旋转、垂直喷淋结构的MOCVD反应器为对象,应用二维数学模型分析与计算,对反应器内部的质量输运过程进行了比较详细的研究与讨论。通过计算发现:在一定范围内,增加进气流量Q、降低操作压力P、设定适宜的生长温度t、保持合理的基座转速ω等,不仅可以非常有效地抑制热浮力效应,同时也使衬底表面流体的流动速度进一步增加,从而实现反应器内部的流场和温度场的均匀分布。研究的结果,不仅为高品质的外延生长提供了有效的解决方案,而且也为MOCVD反应器的优化设计提供了重要的参考依据。 展开更多
关键词 mocvd 反应器 输运过程 热对流
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反向流动垂直喷淋式MOCVD反应器设计与数值模拟 被引量:13
5
作者 徐谦 左然 张红 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期1059-1064,共6页
本文分析了现有的MOCVD反应器存在的不足,提出了一种新型的反向流动垂直喷淋式反应器:反应气体从基片上方的许多平行小喷管喷入反应区,反应后的尾气又从基片上方出口排出,从而减少了反应物浓度沿衬底径向的不均匀性。通过对反应器进行... 本文分析了现有的MOCVD反应器存在的不足,提出了一种新型的反向流动垂直喷淋式反应器:反应气体从基片上方的许多平行小喷管喷入反应区,反应后的尾气又从基片上方出口排出,从而减少了反应物浓度沿衬底径向的不均匀性。通过对反应器进行三维数值模拟,改变喷管的中心距、喷管端与衬底的距离、流量、气体压强等参数,确定了反应室内衬底上方温度场与浓度场为最佳时的参数组合。 展开更多
关键词 反向流动 mocvd 反应器设计 数值模拟
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径向流动MOCVD输运过程的数值模拟和反应器优化 被引量:3
6
作者 左然 张红 徐谦 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期1011-1017,共7页
针对三重进口径向流动行星式MOCVD反应器的输运过程进行二维数值模拟研究,探讨有关行星式反应器流道高度和托盘直径能否继续扩大,如何控制基片上方温场和浓度场为最佳分布这样一些本质问题,同时寻找反应器的优化条件.模拟结果发现:(1)... 针对三重进口径向流动行星式MOCVD反应器的输运过程进行二维数值模拟研究,探讨有关行星式反应器流道高度和托盘直径能否继续扩大,如何控制基片上方温场和浓度场为最佳分布这样一些本质问题,同时寻找反应器的优化条件.模拟结果发现:(1)通过对反应器形状进行优化,使进口处流道趋向于流线的形状,可以大大地削弱甚至消除由流道扩张引起的涡旋;(2)在影响对流涡旋的几何参数中,反应腔高度起主要作用,而反应腔直径影响较小.对于优化后的反应器,发生对流涡旋的临界高度提高到2~2.5cm,对应的反应器直径增加到40cm;(3)在相同温差、不同衬底温度的条件下,反应器内的流动形态不同.衬底温度高,对流涡旋较弱;衬底温度低,对流涡旋较强.其原因在于气体的粘滞力随温度升高从而抑制了浮升力的作用;(4)衬底上方均匀的流场对应均匀的温场和较高的反应物浓度,热扩散则使TMGa在衬底处的浓度降低. 展开更多
关键词 金属有机化学气相沉积 反应器 对流 扩散 数值模拟
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一种多喷淋头式MOCVD反应器的设计与数值模拟 被引量:3
7
作者 于海群 左然 陈景升 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第4期1065-1070,1082,共7页
提出了一种多喷淋头式MOCVD反应器。针对新型反应器,对GaN生长的MOCVD过程进行了数值模拟,模拟考虑了热辐射和化学反应,计算了反应器内流场、温场和浓度场,导流筒壁面的寄生沉积以及GaN生长速率,并分析了反应室几何因素对生长均匀性的... 提出了一种多喷淋头式MOCVD反应器。针对新型反应器,对GaN生长的MOCVD过程进行了数值模拟,模拟考虑了热辐射和化学反应,计算了反应器内流场、温场和浓度场,导流筒壁面的寄生沉积以及GaN生长速率,并分析了反应室几何因素对生长均匀性的影响。模拟结果显示,衬底表面大部分区域具有均匀的温场和良好的滞止流。通过对浓度场和GaN生长速率的分析,得出MMGa是薄膜生长的主要反应前体。通过对反应器高度H、导流筒与托盘间距h、导流筒半径R等参数的优化,给出了提高薄膜生长速率和均匀性的条件。 展开更多
关键词 多喷淋头 mocvd 反应器设计 GAN生长 数值模拟
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反向流动垂直喷淋式MOCVD反应器生长GaN的化学反应数值模拟 被引量:6
8
作者 徐谦 左然 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期338-343,共6页
本文提出了MOCVD生长GaN的表面循环反应模型,将该反应模型应用于作者新近提出的反向流动垂直喷淋式反应器,进行三维数值模拟。得出反应器内流速、温度和TMGa浓度分布,以及GaN的生长速率分布。将此计算结果与传统的反应器情况进行对比,... 本文提出了MOCVD生长GaN的表面循环反应模型,将该反应模型应用于作者新近提出的反向流动垂直喷淋式反应器,进行三维数值模拟。得出反应器内流速、温度和TMGa浓度分布,以及GaN的生长速率分布。将此计算结果与传统的反应器情况进行对比,发现在相同参数情况下,两种反应器的衬底上方温度分布都比较均匀,近衬底处温度梯度较大,高温区域被压制在离衬底较近的区域,流线均比较平滑,在衬底上方没有明显的旋涡;新型反应器内反应气体在近衬底处的浓度均匀性以及GaN在基片表面的沉积均匀性都优于传统反应器,但沉积速率小于后者,大约只有后者的1/2。 展开更多
关键词 GAN生长 mocvd反应器 表面化学反应 数值模拟
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用MOCVD法制备铁系云母珠光颜料 被引量:8
9
作者 王显祥 章娴君 郑慧雯 《精细化工》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第11期648-650,共3页
以Fe(CO) 5为物源 ,在常压喷动流化反应器中 ,以金属有机化学气相沉积 (MOCVD)法对云母粉进行包覆 ,制备铁系 -云母珠光颜料。实验结果表明 :在沉积温度 2 5 0℃ ,氧气流量 3mL·s-1,沉积时间 5min时能得到棕色色泽的珠光颜料 ;随... 以Fe(CO) 5为物源 ,在常压喷动流化反应器中 ,以金属有机化学气相沉积 (MOCVD)法对云母粉进行包覆 ,制备铁系 -云母珠光颜料。实验结果表明 :在沉积温度 2 5 0℃ ,氧气流量 3mL·s-1,沉积时间 5min时能得到棕色色泽的珠光颜料 ;随着沉积温度的提高和反应时间的延长 ,可获得红棕、金红、橙红、深红等不同色泽的珠光颜料。用色差仪测定颜料的明度值L 、红度值a 、黄度值b ;X衍射仪表征颜料的表面成分 ;酸滴定计算氧化物的涂覆率。探讨了温度、时间。 展开更多
关键词 mocvd 制备 铁系云母 珠光颜料 喷动流化反应器
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MOCVD反应器的优化及其数学模型的建立 被引量:1
10
作者 陈燕 王军锋 罗惕乾 《中国农机化》 北大核心 2004年第6期41-43,共3页
金属有机化学气相沉积(MOCVD)是一门制备薄膜材料的关键技术。该技术所制备的薄膜材料主要应用于微电子及光电子领域,因此对材料的质量、厚度的均匀性要求非常严格。影响薄膜质量的关键因素之一是MOCVD反应器内部的流动和传热问题,而反... 金属有机化学气相沉积(MOCVD)是一门制备薄膜材料的关键技术。该技术所制备的薄膜材料主要应用于微电子及光电子领域,因此对材料的质量、厚度的均匀性要求非常严格。影响薄膜质量的关键因素之一是MOCVD反应器内部的流动和传热问题,而反应器的结构是影响流场的一个重要的因素。因此本文主要介绍了MOCVD反应器的结构及优化设计,描述了反应器内部数学模型及其边界条件,从而考察了反应器结构及操作工艺条件对薄膜生长均匀性的影响。 展开更多
关键词 金属有机化学气相沉积 反应器 优化 数学模型 流场 温度场 薄膜材料 半导体
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MOCVD反应器的最佳输运过程及其优化设计 被引量:10
11
作者 左然 李晖 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期1164-1171,共8页
根据MOCVD过程薄膜生长的基本要求,总结出各种MOCVD反应器普遍适用的最佳输运过程的5个条件,即均匀浓度边界层、均匀速度边界层、均匀温度边界层、分隔进口但反应前混合均匀、以及迅速排出尾气不再发生混合.对照最佳输运过程条件,分别... 根据MOCVD过程薄膜生长的基本要求,总结出各种MOCVD反应器普遍适用的最佳输运过程的5个条件,即均匀浓度边界层、均匀速度边界层、均匀温度边界层、分隔进口但反应前混合均匀、以及迅速排出尾气不再发生混合.对照最佳输运过程条件,分别对水平式、行星式、垂直喷淋式、高速转盘式反应器进行了分析和讨论.水平式反应器的主要问题是反应物的沿程损耗、热对流涡旋以及侧壁效应,造成基片沿横向和纵向的厚度和浓度不均,因此只适合实验室应用.垂直式反应器通过高速旋转或近距离喷射,可以均匀分配反应物浓度,并抑制热对流涡旋.其主要困难是反应后的尾气不能及时排出,从而仍存在径向浓度不均,造成基片沿径向的厚度和浓度的波动.商用的垂直式反应器还面临托盘直径进一步扩大的难度.文章为MOCVD反应器的控制和设计提供了重要的参考依据. 展开更多
关键词 金属有机化学气相沉积 薄膜生长 mocvd反应器设计 输运现象 优化条件
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MOCVD反应器输运过程的研究综述与展望 被引量:1
12
作者 徐谦 杨丽英 张红 《装备制造技术》 2007年第10期105-107,共3页
论述了MOCVD反应器的基本概念和国内外对反应器中输运现象的研究情况,重点论述了垂直喷淋式MOCVD反应器的研究,并指出了当前研究中存在的问题,展望了未来的研究发展趋势。
关键词 mocvd反应器 输运过程 综述
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基于数值模拟的MOCVD反应器设计与优化 被引量:1
13
作者 胡晓宇 陈海昕 《电子工业专用设备》 2008年第7期37-41,51,共6页
介绍了垂直喷淋式MOCVD反应器的最新计算机模拟仿真结果,并根据仿真结果对反应器的结构和参数进行了优化设计,应用在自行研制的用于GaN和四元化合物材料生长的设备中。
关键词 mocvd 反应器 数值仿真 衬底托盘 利用率
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MOCVD工艺模拟系统
14
作者 陈维友 张冶金 +3 位作者 曹晓光 汪爱军 刘彩霞 刘式墉 《吉林大学自然科学学报》 CAS CSCD 1999年第2期72-74,共3页
报道一个 M O C V D 全方位综合工艺模拟系统. 该系统包含反应室气流流体力学模拟、化学反应热力学模拟和沉积过程动力学模拟等 3 个子系统, 它们可以独立运行, 也可以联合运行.
关键词 mocvd 工艺模拟系统 半导体 薄膜 沉积过程
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喷淋式MOCVD反应器的传质分析及结构设计
15
作者 李晖 《集美大学学报(自然科学版)》 CAS 2011年第3期212-217,共6页
对喷淋式MOCVD反应器中的传质过程进行了数理分析,并提出了该类型反应器的结构设计原则.数理分析显示,基片上方各点的轴向速度仅是垂直距离的函数,与径向距离无关;顶壁高度对反应室内的传质有重要影响.设计喷淋式反应器结构时,应重点考... 对喷淋式MOCVD反应器中的传质过程进行了数理分析,并提出了该类型反应器的结构设计原则.数理分析显示,基片上方各点的轴向速度仅是垂直距离的函数,与径向距离无关;顶壁高度对反应室内的传质有重要影响.设计喷淋式反应器结构时,应重点考虑顶壁高度和反应室半径的选取、基片加热方式以及喷淋头结构的柔性设计. 展开更多
关键词 喷淋式mocvd反应器 传质 数理分析 结构设计
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切向喷射式MOCVD反应器的设计与数值模拟 被引量:5
16
作者 王国斌 左然 +3 位作者 徐谦 李晖 于海群 陈景升 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第1期267-271,共5页
本文提出一种新的切向喷射式MOCVD反应器,反应气体从均匀分布于内壁的切向进口喷管喷入反应器,尾气从位于反应器中心的上方或下方出口排出。通过切向喷射,使气体发生人工可控的螺旋流,在水平方向逐渐旋转与加速,从而补偿反应物浓度从边... 本文提出一种新的切向喷射式MOCVD反应器,反应气体从均匀分布于内壁的切向进口喷管喷入反应器,尾气从位于反应器中心的上方或下方出口排出。通过切向喷射,使气体发生人工可控的螺旋流,在水平方向逐渐旋转与加速,从而补偿反应物浓度从边缘进口到中心出口的沿程损失,以便获得均匀的薄膜沉积。针对新的反应器设计,结合GaN的MOCVD生长进行了三维数值模拟,确定了喷管夹角、喷管数目和反应器高度对生长区的温场、流场和浓度场的影响,优化了参数组合,并与传统的垂直喷射式反应器作了对比。此外,这款新型反应器能够摆脱复杂的托盘旋转系统。 展开更多
关键词 mocvd反应器 切向喷射 中心出口 螺旋流动 数值模拟
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MOCVD工艺中源材料用量计算方法 被引量:1
17
作者 胡晓宇 何华云 王慧勇 《电子工业专用设备》 2007年第10期56-60,共5页
介绍了MO源和气态源实际用量的计算原理与方法,并在中国电子科技集团公司第四十八研究所研制的MOCVD设备中应用;提出了提高MO源利用率、降低工艺成本的三项措施。
关键词 mocvd 斜率 恒温浴槽 MO源 利用率 反应器
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多片式热壁MOCVD反应器的设计与数值模拟分析 被引量:1
18
作者 彭鑫鑫 左然 +1 位作者 于海群 陈景升 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第1期207-212,共6页
本文提出一种多反应腔并联的水平热壁MOCVD反应器,反应器上下(左右)壁面都采用高温,减少了热泳力的排斥作用,提高了衬底上方的TMG浓度。由于取消了传统反应器的冷壁,减少了寄生产物的凝结,提高了反应前体的利用率和GaN的生长速率。可以... 本文提出一种多反应腔并联的水平热壁MOCVD反应器,反应器上下(左右)壁面都采用高温,减少了热泳力的排斥作用,提高了衬底上方的TMG浓度。由于取消了传统反应器的冷壁,减少了寄生产物的凝结,提高了反应前体的利用率和GaN的生长速率。可以多个反应腔并联生长,从而实现反应器的扩容。针对这种热壁式反应器,结合GaN的MOCVD生长进行了二维数值模拟,计算了不同流速、高度、长度和压力时反应器内流场、温场、浓度场分布以及生长速率,发现存在一个最佳的气体流速、反应器高度和长度条件,在此条件下,反应前体的产生与沉积达到平衡,从而有效抵消反应前体的沿程损耗,实现均匀的GaN生长。 展开更多
关键词 mocvd GAN生长 热壁反应器 数值模拟
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喷淋式MOCVD反应器中AlN的生长速率和化学反应路径的数值模拟研究
19
作者 万旭 左然 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2021年第6期1002-1009,共8页
利用数值模拟方法,结合反应动力学和气体输运过程,研究喷淋式MOCVD反应器中AlN的生长速率和气相反应路径与反应前体流量(NH_(3)和H_(2))、进口温度、压强、腔室高度等参数的关系。研究发现:薄膜生长前体和纳米粒子前体的浓度决定了不同... 利用数值模拟方法,结合反应动力学和气体输运过程,研究喷淋式MOCVD反应器中AlN的生长速率和气相反应路径与反应前体流量(NH_(3)和H_(2))、进口温度、压强、腔室高度等参数的关系。研究发现:薄膜生长前体和纳米粒子前体的浓度决定了不同的生长速率和气相反应路径。在低Ⅴ/Ⅲ比(2000)、高H_(2)流量(12 L/min)、高进口温度(700 K)、低压强(2 kPa)、低腔室高度(5 mm)等条件下,气相反应路径由加合路径和热解路径并存,生长速率较高。反之,化学反应路径则由加合路径主导,生长速率较低。上述参数对反应路径的影响原因包括:气体流量(NH_(3)和H_(2))较大,反应前体被带出生长区域或被稀释;低压强和低腔室高度使粒子碰撞频率降低、驻留时间缩短,进而削弱了寄生反应;进口温度导致温度梯度的变化。 展开更多
关键词 mocvd ALN 喷淋式反应器 气相反应 数值模拟
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基于工业以太网的MOCVD反应腔压力控制
20
作者 常依斌 《电子工业专用设备》 2010年第4期36-38,共3页
介绍了一种新型MOCVD反应腔压力控制系统,采用MKS最新蝶阀T3BI,其内部集成了压力控制器,并且带有压力传感器接口。反应腔内目标压力由主控PC通过工业以太网ProfiNet发送到蝶阀,接下来压力控制子系统即可完成整个压力控制过程。
关键词 mocvd 反应腔 PROFINET 压力控制
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