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涡轮MOCVD技术中有机源高速均匀混合
被引量:
2
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作者
廖常俊
刘颂豪
+3 位作者
陈俊芳
刘剑
赵寿南
郑学仁
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1997年第4期366-368,共3页
在用于发光器件制造的多层MOCVD外延技术中,用高速氢气流冲洗管路、混合有机源获得晶格匹配好,而且界面过度层薄的突变异质结界面.
关键词
mocvd
突变异质结
高速扩散
半导体
有机源
下载PDF
职称材料
用涡轮MOCVD制作突变异质结和量子阱的气路压强分布的研究
2
作者
廖常俊
刘颂豪
+3 位作者
陈俊芳
刘剑
赵寿南
郑学仁
《华南师范大学学报(自然科学版)》
CAS
1998年第2期1-5,共5页
在用MOCVD技术外延生长多层结构时,源材料的切换过程对生长界面的影响用高速氢气流冲洗管路、设计合理的压强配置而得到控制,获得了晶格匹配好而且介面过度层薄的突变异质结界面.给出了发黄光量子阱结构的气压与流量配置.
关键词
mocvd
技术
突变异质结
发光器件
气路
下载PDF
职称材料
题名
涡轮MOCVD技术中有机源高速均匀混合
被引量:
2
1
作者
廖常俊
刘颂豪
陈俊芳
刘剑
赵寿南
郑学仁
机构
华南师范大学量子电子学研究所
华南理工大学应用物理系
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1997年第4期366-368,共3页
基金
广东省自然科学基金
文摘
在用于发光器件制造的多层MOCVD外延技术中,用高速氢气流冲洗管路、混合有机源获得晶格匹配好,而且界面过度层薄的突变异质结界面.
关键词
mocvd
突变异质结
高速扩散
半导体
有机源
Keywords
mocvd
,
abrupt junction
,
high speed diffusion
分类号
TN304.051 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
用涡轮MOCVD制作突变异质结和量子阱的气路压强分布的研究
2
作者
廖常俊
刘颂豪
陈俊芳
刘剑
赵寿南
郑学仁
机构
华南师范大学量子电子学研究所
华南理工大学应用物理系
出处
《华南师范大学学报(自然科学版)》
CAS
1998年第2期1-5,共5页
基金
广东省自然科学基金
文摘
在用MOCVD技术外延生长多层结构时,源材料的切换过程对生长界面的影响用高速氢气流冲洗管路、设计合理的压强配置而得到控制,获得了晶格匹配好而且介面过度层薄的突变异质结界面.给出了发黄光量子阱结构的气压与流量配置.
关键词
mocvd
技术
突变异质结
发光器件
气路
Keywords
mocvd
abrupt junction
high speed diffusion
hetero-epitaxy
quantum well
分类号
TN383 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
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1
涡轮MOCVD技术中有机源高速均匀混合
廖常俊
刘颂豪
陈俊芳
刘剑
赵寿南
郑学仁
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1997
2
下载PDF
职称材料
2
用涡轮MOCVD制作突变异质结和量子阱的气路压强分布的研究
廖常俊
刘颂豪
陈俊芳
刘剑
赵寿南
郑学仁
《华南师范大学学报(自然科学版)》
CAS
1998
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职称材料
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