MOCVD工艺中使用的特种气体

一、引言 金属有机化学气相淀积法(简称MOCVD法)是1968年由H.M.Manasevit等首先提出的。该法以挥发性金属有机物和气态的非金属氢化物作为源材料，采用与硅外延淀积相类似的生长装置，进行化合物半导体的外延淀积。

MOCVD技术及其源材料

外延生长技术是制备半导体材科，特别是半导体器件的重要方法之一，用外延方法可以制作某些结构复杂的半导体器件。半导体材料和器件这种需要促使多种外延技术得到了发展和应用。其中包括汽相外延(VPE)、液相外延(LPE)和分子束外延(MBE)。汽相外延生长中又可依据原料的不同分为氯化物工艺、氢化物工艺和MOCVD工艺(金属有机化合物化学汽相淀积)。

MOCVD用MO源的发展概况和研究方法

概述了国际上MO源的发展概况(包括生产,经营厂家、品种及价格等)和研究方法(包括制备、纯化、分析、封装、毒性及安全技术等),分析了MO源研究的发展趋势。

高纯金属有机化合物(MO源)研制新进展

高纯金属有机化合物(MO)可作为六类高新材料的原材料。MOCVD(金属有机化学汽相淀积)和CBE(化学分子束外延)工艺所需的MO源(Source)和掺杂剂是其主要用途之一。

长波长量子阱LD的实用化研究

长波长量子阱ＬＤ的实用化研究李同宁，刘涛，金锦炎，丁国庆，郭建委，胡常炎，吴桐，李明娟，赵俊英，魏泽民（武汉电信器件公司）近十年来，ＭＢＥ、ＭＯＣＶＤ、ＣＢＥ工艺研究在半导体超薄层材料制备行业中非常活跃。国际上长波长多量子阱激光器件多采用ＭＯＣＶＤ工...

EDW ARDS发布用于LED和化合物半导体制造的新型真空泵

英国西萨塞克斯郡，克劳雷（2012年7月3日）全球领先的高精真空设备和尾气处理系统制造商及相应增值服务供应商Edwards公司宣布推出新的iXH645H干泵，新设备经过优化，适用于LED％造中使用的MOCVD工艺，以及在栅堆叠（gatestack）中使用III—V材料的化合物半导体制造工艺。