等离子体增强MOCVD法生长ZnO薄膜

利用等离子体增强MOCVD法生长出 ZnO薄膜，用X射线衍射谱观察到位于 2θ34．56°处（0002）的衍射峰，表明ZnO沿c方向呈柱状生长．通过荧光光谱，观察到来自于激子的高强度的近带边紫外光发射（375um）．紫外发射光强度与深能级复合发射光强度比高达 193，显示出材料的高质量，并通过原子力显微镜加以验证．为了实现高阻ZnO薄膜，利用高温富氧分段退火和用N2 气进行掺氮两种方法生长高阻ZnO薄膜．结果表明，电阻率由0．65 Ω·cm分别升高到1100 Ω·cm（分段退火）和5×104Ω·cm（掺氮）．进一步比较发现，掺氮的样品不仅电阻率高，而且光荧光特性好，显示出更高的薄膜质量．

用MOCVD法制备铁系云母珠光颜料

以Fe(CO) 5为物源 ,在常压喷动流化反应器中 ,以金属有机化学气相沉积 (MOCVD)法对云母粉进行包覆 ,制备铁系 -云母珠光颜料。实验结果表明 :在沉积温度 2 5 0℃ ,氧气流量 3mL·s-1,沉积时间 5min时能得到棕色色泽的珠光颜料 ;随着沉积温度的提高和反应时间的延长 ,可获得红棕、金红、橙红、深红等不同色泽的珠光颜料。用色差仪测定颜料的明度值L 、红度值a 、黄度值b ;X衍射仪表征颜料的表面成分 ;酸滴定计算氧化物的涂覆率。探讨了温度、时间。

MOCVD法制备高温抗氧化铱涂层研究进展

主要概述了用MOCVD法制备金属铱涂层的原理以及工艺参数对制备涂层的影响,并对铱做保护层的铱/铼喷管的寿命进行了预测。指出MOCVD法制备铱涂层的关键问题是沉积前驱体的选择、沉积工艺参数的优化,并对MOCVD法制备铱涂层的最新研究进展作了评述,指出了今后的研究发展方向。

MOCVD法制备TiO_2薄膜的光电化学性质研究

采用金属有机化学气相沉积 (MOCVD)法制备了TiO2 薄膜 ,测定了TiO2 薄膜的晶体结构 ,以 p -Si为基底电极 ,研究了TiO2 薄膜的光电化学性质 .经TiO2 修饰的p-Si电极 ,开路光电位增加近 2 0倍 ,并表现出很强的稳定性 ,是较理想的光电极材料及光电极修饰材料 .

用MOCVD法制备TiO_2/Fe_2O_3双包覆层珠光颜料

研究了在常压喷动流化反应器中 ,以金属有机化学气相沉积 (MOCVD)法制备双包覆层珠光颜料的工艺 .实验结果表明 :以Ti(OC2 H5) 4 为物源 ,在有氧情况下用高纯氮气作为载气 ,沉积温度为 30 0℃时 ,沉积的TiO2 膜晶形为锐钛型 ,温度升高至 5 0 0℃时 ,TiO2 膜晶形为金红石型 ,且包覆致密 .在此基础上控制不同的包覆时间 ,再包覆以Fe2 O3 为主的铁氧化物 ,可获得橘红。

用MOCVD法在LiGaO_2(001)上生长GaN的研究

LiGaO2单晶是目前所知的GaN最为理想的衬底材料,本研究用金属有机物气相沉积法(MOCVD)在LiGaO2(001)衬底上进行了外延生长GaN膜的试验,生长出了表面较为平整的GaN外延膜.应用原子力显微镜(AFM)、X射线粉末衍射(XRD)和高分辨X射线双晶衍射分别对衬底对外延膜和衬底材料进行了分析测试.结果表明,用MOCVD法可以在LiGaO2(001)衬底上生长出较高质量的无掺杂GaN(0001)外延膜.但由于MOCVD法是在高温还原气氛中生长GaN外延膜的,LiGaO2在这种气氛中不够稳定,实验发现衬底材料在生长过程中部分样品发生开裂,但没有发生相变.

MOCVD法制备Fe/Mo功能梯度材料

利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法,以Mo(CO)6,Fe(CO)5为物源,在Al2O3陶瓷基片上制备了 Fe/Mo功能梯度材料,并用XPS,XRD,SEM和台阶仪等技术对其成分分布、物相组成、表面形貌和厚度进行测试 和表征.结果表明:材料的组成沿厚度方向呈连续梯度变化,符合功能梯度材料的变化规律.

TiO_2薄膜的MOCVD法制备及其退火条件的研究

用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)法在n-Si(100)单晶衬底上制备了TiO2薄膜;利用X-射线衍射技术研究了不同条件下退火的TiO2薄膜的结晶性;通过测量C-V曲线和BT实验分别研究了TiO2/Si系统的固定电荷密度和薄膜中的可动电荷密度。实验结果表明,只有在一定的退火温度下薄膜才有较好的结晶性。在退火温度为850°C、退火时间为30min时,可得到完全为金红石相的TiO2薄膜,其固定电荷密度的数量级为1011/cm2,可动电荷密度在(3～4)×1011/cm2,电荷极性为正。

MOCVD法生长(Al,Ga)As碳掺杂机理研究

分析了 MOCVD 生长(Al,Ga)As 非有意和有意碳掺杂的气相和表面过程,认为表面和表面附近由于甲基化合物异相分解生成的 CH_3^-自由基是碳掺杂的主要物种,表面原子氢和含氢自由基AsH_m(m≤3)的浓度是影响 CH_3自由基进入晶格的主要因素。在碳掺杂理论模型的基础上讨论了温度、压力、Ⅴ/Ⅲ比、有机源种类对碳掺杂的影响。指出了在引入和不引入掺杂源的情况下,控制碳掺杂的途径。

MOCVD法制备云母珠光颜料光学性能及微结构研究

在流化床反应器中以羰基铁为物源,用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法制备了云母珠光颜料.由颜料的SEM和EPMA图分析表明:云母微粒为片状结构,平均粒径为50μm;沉积在云母表面上的是均匀分布的30～150nm的透明氧化铁微粒,这种结构对光能产生多重散射、折射、反射,从而呈现出绚丽的珠光光泽.

MOCVD法GaSb外延层特性研究

报导了应用ＭＯＣＶＤ系统在半绝缘ＧａＡｓ和ｎ－ＧａＳｂ衬底上外延生长的非故意掺杂ＧａＳｂ外延层的特性。通过低温、变温光致发光和霍耳效应测定了ＧａＳｂ外延层的光学和电学性质。ＰＬ测量观察到两种主要的复合机制，Ｄ一Ａ对复合和束缚激子复合的发光，其峰值能量位置分别出现在７７５ｍｅＶ和８０３．７ｍｅＶ，束缚激子蜂（未分辨开的）的半宽度为１０．８ｍｅＶ。

MOCVD法制备薄膜型Fe_2O_3气敏元件

本文采用MOCVD技术制备了薄膜型Fe_2O_3气敏元件。测定了元件的物理性能和气敏特性。该气敏元件对乙醇、丙酮和液化石油气有较高的灵敏度,响应时间快,对甲烷、管道煤气、硫化氢等气体不敏感,具有一定的选择性。还考查了元件的稳定性。

MOCVD法制备薄膜型SnO_2气敏元件

本文报道了MOCV D技术制备的SnO_2薄膜型气敏元件。这种方法沉积的3nO_2薄膜耐酸碱性强,膜厚易控制,具有负温阻特性。测定了不同温度和不同气体条件下元件的特性,发现该元件对乙醇、丙酮气体具有较高的灵敏度,响应时间快;而对氢气、乙烯、煤气、液化石油气等不敏感,因而具有一定的选泽性。元件的稳定性较好。

Ga_xIn_(1-x)Sb红外材料的MOCVD法生长特性研究

用水平常压 MOCVD 系统生长了 Ga_xIn_(1-x)Sb(0.5<x<0.96)三元合金,研究了生长温度、反应室中气相组分 x(?)、气相 Ⅲ/Ⅴ 比对 GaInSb 固相组分 x 的影响。结果表明。GaInSb 合金固相组分随生长温度的变化是由气相中 TMGa 的热解率随生长温度的变化决定的,非掺 GaInSb 外延层为 p 型,霍尔迁移率为377cm^2/V.s,相应载流子浓度为5×10^(16)cm^(-3)

MOCVD法GaInAsSb合金的红外吸收与光致发光谱

用红外吸收、光致发光技术研究了常压ＭＯＣＶＤ法未掺杂ＧａＩｎＡｓＳｂ合金的光学性质，用这两种方法测出的外延层禁带宽度与根据合金组分计算出的禁带宽度基本一致。在红外吸收谱与光致发光谱中观察到了低能带尾，并探讨了产生原因。

MOCVD法异质外延GaP/Si薄膜的研究

微电子和光电子材料兼容的技术是未来功能器件中的一个重要方向,它可以将成熟的Si集成工艺和GaP优良的发光特性结合起来,完成新一代微型显示和集成光学元件。我们用MOCVD方法在Si衬底上异质外延GaP薄膜,通过X光双晶衍射和能谱分析,在国内用MOCVD方法首次获得了GaP/Si的单晶薄层,并研究了它们的结构特性。

MOCVD法生长HgCdTe/CdTe/GaAs多层异质材料的特性研究

本文用多种方法分析MOCVD外延片的表面形貌、结晶性、界面和缺陷、组分和其均匀性,电、光性能。在15×15mm^2面积上,HgCdTe外延层表面形貌较好,为单晶。CdTe和HgCdTe外延层的半宽度为450弧度秒。界面平坦、清晰过渡层约0.12μm,几乎没有发现Ga、As的扩散,但局部有微观缺陷。X值可生长出0.1～0.8,均匀性△X=0.008,典型样品,77K下,电子浓废为1.4×10^(16)cm^(-3),迁移率为7.4×10~4cm^2/V·S,透过率约42％。

纳米固体的MOCVD法制备及结构性能的研究

采用MOCVD法制备纳米固体材料,用现代分析测试技术确定纳米固体的结构井探索纳米固体的特异性能是纳米固体材料研究承重要的内容之一。论述了MOCVD法在纳米领域和其他方面的应用以及其发展前景。

在CaF_2衬底上常压MOCVD法生长ZnSe-ZnTe应变超晶格

我们首次在透明衬底CaF_2上生长了ZnSe-ZnTe应变超晶格。通过X射线衍射测量,观测到多级卫星峰,表明超晶格周期结构的形成.光致发光光谱峰值的蓝移,表征ZnSe-ZnTe超晶格中应变与量子尺寸效应的存在.吸收光谱中几个明显的拐点,表明了发生在超晶格导带与价带子能级之间的多级跃迁的形成。

MOCVD法在GaAs衬底上生长Hg_(1-x)Cd_xTe和过渡层研究

用改进的 MOCVD 装置成功地在 GaAs 衬底上生长了 CdTe 过渡层,获得了适合于生长Hg_(1-x) Cd_xTe(CMT)的 CdTe/GaAs 复合衬底材料。所得 CMT 的 x 值可在0.2～0.8之间变化,其电学性质与 CdTe 过渡层厚度有一定关系,其红外透过率大于70%。