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VDMOS单粒子效应简化电路模型研究
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作者 徐大为 徐政 +3 位作者 吴素贞 陈睿凌 赵小寒 彭宏伟 《集成电路与嵌入式系统》 2024年第8期72-77,共6页
通过在功率VDMOS器件的等效电路模型中引入电阻分析器件的表面电压对其单粒子效应的影响。根据仿真数据,分析颈区宽度、P+注入和反向传输电容等参数对器件的影响,设计了250 V器件并进行辐照试验。仿真结果及试验结果与模型分析的结论一... 通过在功率VDMOS器件的等效电路模型中引入电阻分析器件的表面电压对其单粒子效应的影响。根据仿真数据,分析颈区宽度、P+注入和反向传输电容等参数对器件的影响,设计了250 V器件并进行辐照试验。仿真结果及试验结果与模型分析的结论一致:辐照条件下,表面电压由电阻分压确定;增加P+注入剂量和减小颈区条宽能够减小电阻,提高器件抗单粒子效应的能力;通过降低颈区浓度减小反向传输电容的方法,无法提高器件的抗SEE能力;颈区条宽增加,器件辐照后漏电增加。 展开更多
关键词 功率vdmos器件 单粒子效应 简化电路模型 表面电压
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大功率射频Si-VDMOS功率晶体管研制
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作者 刘洪军 王琪 +2 位作者 赵杨杨 王佃利 杨勇 《现代雷达》 CSCD 北大核心 2024年第5期70-74,共5页
介绍了大功率射频硅-垂直双扩散金属氧化物场效应晶体管(Si-VDMOS)的研制结果,采用栅分离降低反馈电容技术、多子胞降低源极电感技术等,从芯片原理着手,比较分析两种芯片结构设计对反馈电容的影响,以及两种布局引线对源极电感的影响,并... 介绍了大功率射频硅-垂直双扩散金属氧化物场效应晶体管(Si-VDMOS)的研制结果,采用栅分离降低反馈电容技术、多子胞降低源极电感技术等,从芯片原理着手,比较分析两种芯片结构设计对反馈电容的影响,以及两种布局引线对源极电感的影响,并研制出了百瓦级以上大功率射频Si-VDMOS功率晶体管系列产品。产品主要性能如下:在工作电压28 V及连续波下,采用8胞合成时,225 MHz输出功率达200 W以上,500 MHz输出功率达150 W以上;进一步增加子胞数量,采用12胞合成时,225 MHz输出功率达300 W以上,同时具备良好的增益及效率特性,与国外大功率射频Si-VDMOS功率晶体管的产品参数相比,达到了同类产品水平。 展开更多
关键词 大功率 硅-垂直双扩散金属氧化物场效应晶体管 射频功率晶体管 反馈电容 源极电感
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高k栅介质增强型β-Ga_(2)O_(3) VDMOS器件的单粒子栅穿效应研究 被引量:1
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作者 王韬 张黎莉 +2 位作者 段鑫沛 殷亚楠 周昕杰 《固体电子学研究与进展》 CAS 2024年第1期6-12,共7页
以增强型β-Ga_(2)O_(3)VDMOS器件作为研究对象,利用TCAD选择不同的栅介质材料作为研究变量,观察不同器件的单粒子栅穿效应敏感性。高k介质材料Al_(2)O_(3)和HfO_(2)栅介质器件在源漏电压200 V、栅源电压-10 V的偏置条件下能有效抵御线... 以增强型β-Ga_(2)O_(3)VDMOS器件作为研究对象,利用TCAD选择不同的栅介质材料作为研究变量,观察不同器件的单粒子栅穿效应敏感性。高k介质材料Al_(2)O_(3)和HfO_(2)栅介质器件在源漏电压200 V、栅源电压-10 V的偏置条件下能有效抵御线性能量转移为98 MeV·cm^(2)/mg的重离子攻击,SiO_(2)栅介质器件则发生了单粒子栅穿效应(Single event gate rupture,SEGR)。采用HfO_(2)作为栅介质时源漏电流和栅源电流分别下降92%和94%,峰值电场从1.5×10^(7)V/cm下降至2×10^(5)V/cm,避免了SEGR的发生。SEGR发生的原因是沟道处累积了大量的空穴,栅介质中的临界电场超过临界值导致了击穿,而高k栅介质可以有效降低器件敏感区域的碰撞发生率,抑制器件内电子空穴对的进一步生成,降低空穴累积的概率。 展开更多
关键词 氧化镓 单粒子栅穿 TCAD仿真 vdmos器件
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1000V 4H-SiC VDMOS结构设计与特性研究
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作者 李尧 牛瑞霞 +6 位作者 王爱玲 王奋强 蓝俊 张栩莹 张鹏杰 刘良朋 吴回州 《半导体光电》 CAS 北大核心 2024年第3期378-383,共6页
设计并优化了一种基于4H-SiC的1000V垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(VDMOS),在留有50%的裕度后,通过Silvaco仿真软件详细研究了器件各项参数与耐压特性之间的关系。经优化,器件的阈值电压为2.3V,击穿电压达1525V,相较于相同耐... 设计并优化了一种基于4H-SiC的1000V垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(VDMOS),在留有50%的裕度后,通过Silvaco仿真软件详细研究了器件各项参数与耐压特性之间的关系。经优化,器件的阈值电压为2.3V,击穿电压达1525V,相较于相同耐压条件下的Si基VDMOS,4H-SiC VDMOS的击穿电压提升了12%。此外,击穿时4H-SiC VDMOS表面电场分布相对均匀,最大值为3.4×10^(6)V/cm。终端有效长度为15μm,约为Si基VDMOS的6%,总体面积减小了近1/10。并且4H-SiC VDMOS结构简单,与相同耐压条件下的Si基VDMOS相比,未增加额外的工艺步骤,易于实现。 展开更多
关键词 4H-SIC 垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管 击穿电压 漂移区参数 沟道长度
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功率VDMOS器件辐射效应研究进展 被引量:1
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作者 张玉宝 魏亚东 +3 位作者 杨剑群 蒋继成 姚钢 李兴冀 《黑龙江科学》 2023年第24期1-8,共8页
垂直沟道双扩散金属-氧化层-半导体场效应晶体管(VDMOS)是一类继MOSFET之后发展起来的高效功率开关器件,其沟道长度由外延层的厚度来控制,适合于MOS器件向短沟道尺寸发展,可提高器件的高频性能及工作效率。功率VDMOS晶体管是一类适用于... 垂直沟道双扩散金属-氧化层-半导体场效应晶体管(VDMOS)是一类继MOSFET之后发展起来的高效功率开关器件,其沟道长度由外延层的厚度来控制,适合于MOS器件向短沟道尺寸发展,可提高器件的高频性能及工作效率。功率VDMOS晶体管是一类适用于开关应用和线性应用的功率器件,在空间卫星电子系统中具有广阔的应用空间。从功率VDMOS器件结构及基本工作机制入手,梳理了其工作原理,总结了总剂量效应、单粒子效应、位移效应及剂量率效应对VDMOS器件性能的影响,从微观进行机制分析,对抗辐射加固方法进行总结,以提高VDMOS器件的可靠性,为改进抗辐射器件制造工艺及结构设计奠定基础。 展开更多
关键词 vdmos 电离辐射 总剂量 辐射效应
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MOS器件Hf基高k栅介质的研究综述
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作者 吕品 白永臣 邱巍 《辽宁大学学报(自然科学版)》 CAS 2024年第1期24-32,共9页
随着金属氧化物半导体(MOS)器件尺寸的持续缩小,HfO2因其介电常数(k)高、带隙大等特点,成为取代传统SiO2栅介质最有希望的候选材料.本文综述了Hf基高k栅介质薄膜的近年的研究进展.针对HfO2结晶温度低、在HfO2薄膜和Si衬底间易形成界面... 随着金属氧化物半导体(MOS)器件尺寸的持续缩小,HfO2因其介电常数(k)高、带隙大等特点,成为取代传统SiO2栅介质最有希望的候选材料.本文综述了Hf基高k栅介质薄膜的近年的研究进展.针对HfO2结晶温度低、在HfO2薄膜和Si衬底间易形成界面层导致漏电流大、界面态密度高、击穿电压低等问题,回顾了最近论文报道的两种策略,即掺杂改性和插入缓冲层.接着举例讨论了Hf基材料从二元到掺杂氧化物/复合物的演变、非Si衬底上淀积Hf基高k栅介质、Hf基高k栅介质的非传统MOS器件结构,为集成电路(IC)中MOS器件的长期发展提供一些思路. 展开更多
关键词 Hf基高k材料 栅介质 mos器件 介电常数
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黑龙江省准对称混合训练期MOS气温预报性能分析
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作者 赵玲 白雪梅 +3 位作者 孟莹莹 邢程 刘松涛 付雯 《黑龙江气象》 2024年第2期1-5,共5页
本文选取ECMWF细网格地面2 m气温要素预报产品作为预报因子,选取中国气象局陆面数据同化系统(CLDAS-V2.0)地面2 m气温格点实况数据作为预报量,应用准对称混合训练期MOS方法,建立黑龙江省格点气温MOS方法,并对MOS方法在24 h预报时效内间... 本文选取ECMWF细网格地面2 m气温要素预报产品作为预报因子,选取中国气象局陆面数据同化系统(CLDAS-V2.0)地面2 m气温格点实况数据作为预报量,应用准对称混合训练期MOS方法,建立黑龙江省格点气温MOS方法,并对MOS方法在24 h预报时效内间隔3 h的格点气温预报性能进行检验分析。结果表明:MOS平均绝对误差≤1.5℃;MOS夏半年≤2℃预报准确率为84.1%,比ECMWF提高7.6%;冬半年预报准确率为71.5%,比ECMWF提高18.3%;预报技巧夏半年为14.2%,冬半年为29.8%。MOS夏半年预报效果好于冬半年,冬半年预报改善效果好于夏半年。大、小兴安岭和东南部山区MOS预报效果不如平原地区好,但是MOS改善效果明显好于平原地区。 展开更多
关键词 准对称混合训练期mos方法 气温 ECMWF CLDAS 预报性能
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基于MOS认证体系的统计数据处理与课证融通教学模式研究
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作者 薛亚宏 《延安职业技术学院学报》 2024年第1期45-49,共5页
MOS在全球具有广泛影响力,是评价企业数据处理与分析人员技术水平的重要依据,高等职业教育财经商贸大类所属专业类、专业对MOS有较高的依赖性,受限于教育行业兼任企业技术人员数量,目前尚未见到将MOS体系与相关专业课程有效融合的成熟... MOS在全球具有广泛影响力,是评价企业数据处理与分析人员技术水平的重要依据,高等职业教育财经商贸大类所属专业类、专业对MOS有较高的依赖性,受限于教育行业兼任企业技术人员数量,目前尚未见到将MOS体系与相关专业课程有效融合的成熟案例。本文以MOS专家级认证为基本参照,探索统计实践教学与“Microsoft Excel Expert”的融合机制,系统研究基于MOS的课证融通教学模式。 展开更多
关键词 mos 统计学 函数 课证融通
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硅基N沟道VDMOS不同偏置下总剂量效应研究
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作者 李潇 崔江维 +4 位作者 郑齐文 李鹏伟 崔旭 李豫东 郭旗 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2023年第5期450-455,共6页
通过^(60)Coγ射线辐照试验,研究了不同栅极和漏极偏置下硅基N沟道VDMOS器件的总剂量效应,获得了器件的电学特性与低频噪声特性随辐射总剂量的变化规律。试验结果表明:受辐射诱生的氧化物陷阱电荷与界面陷阱电荷的影响,在栅极偏置为+20 ... 通过^(60)Coγ射线辐照试验,研究了不同栅极和漏极偏置下硅基N沟道VDMOS器件的总剂量效应,获得了器件的电学特性与低频噪声特性随辐射总剂量的变化规律。试验结果表明:受辐射诱生的氧化物陷阱电荷与界面陷阱电荷的影响,在栅极偏置为+20 V时,器件的电学特性随累积剂量的增大而退化明显。通过退火试验发现,相比于导通电阻和正向压降,阈值电压、漏电流、亚阈值摆幅和输出电容对于总剂量辐射更加敏感。而在低频噪声特性方面,辐照后器件的沟道电流归一化噪声功率谱密度与正栅极偏置呈现正相关性,与负栅极偏置呈现负相关性。在不同漏极偏置条件下,辐照后器件的沟道电流归一化噪声功率谱密度降低,且基本重合。依据噪声模型,认为N沟道VDMOS内部局域电场分布对辐射感生陷阱电荷的形成影响显著,导致器件Si/SiO_(2)界面或者附近的载流子与陷阱交换引起的沟道电流波动不同,成为低频噪声主要来源。研究结果可为N沟道VDMOS器件的辐射效应评估、筛选和抗辐射加固设计提供参考。 展开更多
关键词 总剂量效应 N沟道vdmos 偏置效应 电学特性 低频噪声特性
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1500 V超结功率MOS器件优化与电容特性研究
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作者 种一宁 李珏 乔明 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第7期2271-2278,共8页
本文利用半超结结构进行高压超结功率金属氧化物半导体(Metal Oxide Semiconductor,MOS)器件的设计,基于Sentaurus TCAD(Technology Computer Aided Design)仿真平台设计超结元胞结构并优化高压超结功率MOS器件的击穿电压与导通电阻,随... 本文利用半超结结构进行高压超结功率金属氧化物半导体(Metal Oxide Semiconductor,MOS)器件的设计,基于Sentaurus TCAD(Technology Computer Aided Design)仿真平台设计超结元胞结构并优化高压超结功率MOS器件的击穿电压与导通电阻,随后探究了寄生电容的特性.最后,基于多次外延工艺自主设计出一款器件结构仿真击穿电压1658 V、工艺仿真击穿电压1598 V、比导通电阻值303 mΩ·cm^(2)的高压超结功率MOS器件,与相同耐压值器件相比,比导通电阻值下降约50%.同时探究了超结掺杂浓度与厚度以及电压支持层掺杂浓度与厚度4个主要结构参数对器件寄生电容特性的影响. 展开更多
关键词 超结vdmos 元胞 击穿电压 比导通电阻 寄生电容
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3200 V双p阱终端VDMOS击穿特性仿真研究
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作者 李尧 王爱玲 +6 位作者 王奋强 蓝俊 牛瑞霞 张鹏杰 张栩莹 吴回州 刘良朋 《半导体光电》 CAS 北大核心 2023年第6期837-844,共8页
基于场限环终端技术理论,提出了一种具有双p阱结构的垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(VDMOS)。通过数值模拟软件分别仿真了p阱各项参数和漂移区掺杂浓度与击穿电压的关系,提取器件击穿时的表面电场并分析其击穿机理。研究结果表... 基于场限环终端技术理论,提出了一种具有双p阱结构的垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(VDMOS)。通过数值模拟软件分别仿真了p阱各项参数和漂移区掺杂浓度与击穿电压的关系,提取器件击穿时的表面电场并分析其击穿机理。研究结果表明,当漂移区掺杂浓度一定时,击穿电压随p阱数量和结深的增大而增大,随p阱掺杂浓度的增大而先增大后减小;当p阱参数一定时,击穿电压随漂移区掺杂浓度的增大而先增大后减小。经优化器件各项参数,击穿电压(V_(B))达到3 200 V,与传统平面栅型VDMOS相比提升了305%,终端有效长度仅为26μm,表面电场最大值为1.21×10^(6) V/cm,且分布相对均匀,终端稳定性和可靠性高。 展开更多
关键词 vdmos P阱 漂移区掺杂浓度 击穿电压 表面电场分布
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陶瓷封装VDMOS功率器件粗铝丝超声键合工艺研究 被引量:1
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作者 汪旭 牟博康 +3 位作者 陶寅 张云 张荣臻 李坤 《电子产品可靠性与环境试验》 2023年第3期71-75,共5页
陶瓷封装垂直导电双扩散场效应管(VDMOS)功率器件广泛地应用在新能源设备、汽车电子和其他工业领域。为了满足VDMOS器件的高可靠性使用要求,有必要对VDMOS粗铝丝超声键合工艺展开深入研究。通过工艺窗口定位及三因素三水平正交实验法探... 陶瓷封装垂直导电双扩散场效应管(VDMOS)功率器件广泛地应用在新能源设备、汽车电子和其他工业领域。为了满足VDMOS器件的高可靠性使用要求,有必要对VDMOS粗铝丝超声键合工艺展开深入研究。通过工艺窗口定位及三因素三水平正交实验法探究粗铝丝超声键合工艺参数对键合点强度的影响情况。实验数据表明,超声功率是键合强度的主导因素,这是因为超声功率提供键合点金属扩散所需的绝大部分能量。此外,超声时间及键合压力为键合点金属扩散区的形成提供生长时间及生长环境,同样直接影响键合点的强度。分析结果表明,在满足一定推力要求的条件下,使用最优工艺参数作业能够得到面积更小的键合点,这可以增加芯片的有效利用面积,从而为高密度集成及多管脚引出提供技术支撑。 展开更多
关键词 垂直导电双扩散效应管 粗铝丝 超声键合 正交实验 高密度集成
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电子辐照对4H-SiC MOS材料缺陷的影响
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作者 刘帅 熊慧凡 +3 位作者 杨霞 杨德仁 皮孝东 宋立辉 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第9期1536-1541,共6页
4H-SiC金属氧化物半导体(MOS)基器件在电子辐照环境下应用时可能产生新的材料缺陷,导致其电学性能发生退化。本文选取结构最简单的MOS基器件(4H-SiC MOS电容器)为对象,研究了一系列电子辐照剂量下材料缺陷的演变情况。在10 MeV电子束下... 4H-SiC金属氧化物半导体(MOS)基器件在电子辐照环境下应用时可能产生新的材料缺陷,导致其电学性能发生退化。本文选取结构最简单的MOS基器件(4H-SiC MOS电容器)为对象,研究了一系列电子辐照剂量下材料缺陷的演变情况。在10 MeV电子束下对MOS样品进行30、50、100、500、1 000 kGy剂量的辐照,对辐照前、后样品进行深能级瞬态谱测试(DLTS)和电容-电压(C-V)曲线表征。DLTS实验结果表明,低剂量电子辐照前、后4H-SiC/SiO_(2)界面及近界面处的缺陷没有发生明显变化,而高剂量辐照导致双碳间隙原子缺陷的构型发生了改变,演变后的构型能级位置更深,化学结构更加稳定。C-V曲线测试结果发现,不同电子辐照剂量导致MOS电容器平带电压发生不同程度的负向漂移,这很可能是SiO_(2)氧化层中氧空位数量和4H-SiC/SiO_(2)界面及近界面处缺陷数量共同影响的结果。本文研究结果对研发和优化抗电子辐照的4H-SiC MOS制备工艺具有一定的参考价值。 展开更多
关键词 4H-SiC mos 电子辐照 缺陷变化 双碳间隙原子 深能级瞬态谱
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MoS2/Ti3C2Tx异质复合材料的制备及电化学性能研究
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作者 李威 何敏 +1 位作者 陈璐宁 韩林 《武汉科技大学学报》 CAS 北大核心 2024年第1期30-37,共8页
利用水热法合成了MoS2/Ti3C2Tx异质复合材料,采用SEM、XRD、XPS和电化学工作站对所制样品的形貌、结构、成分和电化学性能进行了表征。结果表明,当Ti3C2Tx引入量为30 mg时,所制MoS2/Ti3C2Tx异质复合电极具有最优的电化学性能和较好的循... 利用水热法合成了MoS2/Ti3C2Tx异质复合材料,采用SEM、XRD、XPS和电化学工作站对所制样品的形貌、结构、成分和电化学性能进行了表征。结果表明,当Ti3C2Tx引入量为30 mg时,所制MoS2/Ti3C2Tx异质复合电极具有最优的电化学性能和较好的循环稳定性,在1 A/g电流密度下的比电容达到262.54 F/g,且经10 000次循环后仍保持82.1%的初始比电容。 展开更多
关键词 mos2 Ti3C2Tx 异质复合材料 电化学性能 比电容 循环性能
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功率MOS开关的高精度电流检测电路设计
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作者 张元皓 刘清惓 +1 位作者 刘祖韬 赵自强 《信息技术》 2024年第7期9-14,19,共7页
随着军工设备、工业控制、智能汽车等领域的发展,功率MOS开关驱动器的需求量不断提升,其可靠性、安全性等性能要求也在逐步提高。为保证功率MOS管在安全电流下工作,设计了一款高精度高边电流检测电路。利用复合式斩波放大器,大幅降低失... 随着军工设备、工业控制、智能汽车等领域的发展,功率MOS开关驱动器的需求量不断提升,其可靠性、安全性等性能要求也在逐步提高。为保证功率MOS管在安全电流下工作,设计了一款高精度高边电流检测电路。利用复合式斩波放大器,大幅降低失调电压对电流采样精度的影响,并保证电路系统有足够的响应速度。该电路采用CSMC 0.18μm高压BCD工艺进行设计,在添加10mV的输入失调电压后,测量精度依然可以达到99%,带宽达到3MHz。 展开更多
关键词 mos开关 电流检测 斩波放大器 失调电压 高精度
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Unsaturated bi-heterometal clusters in metal-vacancy sites of 2D MoS2 for efficient hydrogen evolution
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作者 Gonglei Shao Jie Xu +4 位作者 Shasha Gao Zhang Zhang Song Liu Xu Zhang Zhen Zhou 《Carbon Energy》 SCIE EI CAS CSCD 2024年第3期264-275,共12页
The valence states and coordination structures of doped heterometal atoms in two-dimensional(2D)nanomaterials lack predictable regulation strategies.Hence,a robust method is proposed to form unsaturated heteroatom clu... The valence states and coordination structures of doped heterometal atoms in two-dimensional(2D)nanomaterials lack predictable regulation strategies.Hence,a robust method is proposed to form unsaturated heteroatom clusters via the metal-vacancy restraint mechanism,which can precisely regulate the bonding and valence state of heterometal atoms doped in 2D molybdenum disulfide.The unsaturated valence state of heterometal Pt and Ru cluster atoms form a spatial coordination structure with Pt–S and Ru–O–S as catalytically active sites.Among them,the strong binding energy of negatively charged suspended S and O sites for H+,as well as the weak adsorption of positively charged unsaturated heterometal atoms for H*,reduces the energy barrier of the hydrogen evolution reaction proved by theoretical calculation.Whereupon,the electrocatalytic hydrogen evolution performance is markedly improved by the ensemble effect of unsaturated heterometal atoms and highlighted with an overpotential of 84 mV and Tafel slope of 68.5 mV dec^(−1).In brief,this metal vacancy-induced valence state regulation of heterometal can manipulate the coordination structure and catalytic activity of heterometal atoms doped in the 2D atomic lattice but not limited to 2D nanomaterials. 展开更多
关键词 CLUSTERS hydrogen evolution reaction metal vacancy mos2 unsaturated heterometal
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一种高介质耐电压的光MOS继电器的设计
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作者 张国明 刘亚锋 +1 位作者 杨姣 谢建军 《机电元件》 2024年第4期23-25,共3页
本文介绍了一种高介质耐电压的陶瓷密封光MOS固体继电器的设计技术,着重阐述了一种介质耐电压为4000Vr.m.s的陶瓷密封光MOS固体继电器设计方案,对我国高介质耐电压陶瓷密封型光MOS固体继电器相关方面具有一定的指导意义。
关键词 高介质耐电压 陶瓷密封 mos固体继电器
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MOS管在全固态中波发射机功放模块中的应用分析
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作者 孙传云 《广播与电视技术》 2024年第10期24-28,共5页
本文介绍了MOS管的类型,并运用Multisim软件对MOS管的特性进行了动态模拟仿真分析。以TSD-10 DAM全固态数字调幅广播发射机中采用的MOS管IRFP350为例,详细探讨了IRFP350在中波发射机功率放大模块中的应用,并通过结合电路图和实际操作,... 本文介绍了MOS管的类型,并运用Multisim软件对MOS管的特性进行了动态模拟仿真分析。以TSD-10 DAM全固态数字调幅广播发射机中采用的MOS管IRFP350为例,详细探讨了IRFP350在中波发射机功率放大模块中的应用,并通过结合电路图和实际操作,分析了IRFP350的工作原理,为读者理解和维护检修MOS管IRFP350以及中波发射机功率放大模块提供参考。 展开更多
关键词 发射机 mos MULTISIM IRFP350
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电磁干扰环境MOS器件可靠性表征方法研究
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作者 朱亚星 赵东艳 +7 位作者 陈燕宁 刘芳 吴波 王凯 郁文 王柏清 宋斌斌 连亚军 《集成电路与嵌入式系统》 2024年第8期29-34,共6页
工业芯片MOS器件的可靠性表征通常基于恒压应力或梯度应力方法对器件进行加速实验测试,根据测试结果对器件进行寿命评估。由于加速实验测试条件较为单一,难以覆盖工业芯片常见电磁干扰应用环境,MOS器件实际应用场景退化程度不能根据此... 工业芯片MOS器件的可靠性表征通常基于恒压应力或梯度应力方法对器件进行加速实验测试,根据测试结果对器件进行寿命评估。由于加速实验测试条件较为单一,难以覆盖工业芯片常见电磁干扰应用环境,MOS器件实际应用场景退化程度不能根据此方法进行有效界定,进而影响对工业芯片工作稳定性的精准判断。本研究提出一种微观层面MOS器件寿命评估方法,结合TCAD仿真软件对电磁干扰环境MOS器件寿命进行预测。该方法有效避免了电磁干扰环境器件输出波动带来的错误反馈,对器件寿命的预测具备一定保守性,能较大限度保证芯片在电磁环境中的正常运作。 展开更多
关键词 电磁干扰 mos器件 TCAD仿真 可靠性理论
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基于深沟槽单次外延工艺超级结MOS器件耐压提升与优化
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作者 田俊 付振 +3 位作者 张泉 肖超 张文敏 王悦 《集成电路与嵌入式系统》 2024年第6期46-54,共9页
介绍了超级结MOS器件的一种主流工艺—深沟槽单次外延工艺,详细介绍了该工艺的工艺流程及特点。基于超级结MOS器件的电荷平衡原理,分析不同P柱浓度条件下器件击穿电压(Breakdown Voltage)的变化规律,揭示击穿电压(BV)偏低的原因,提出一... 介绍了超级结MOS器件的一种主流工艺—深沟槽单次外延工艺,详细介绍了该工艺的工艺流程及特点。基于超级结MOS器件的电荷平衡原理,分析不同P柱浓度条件下器件击穿电压(Breakdown Voltage)的变化规律,揭示击穿电压(BV)偏低的原因,提出一种改善方案,最终通过实验验证该方案的可行性。 展开更多
关键词 超级结mos 电荷平衡 深沟槽 P柱宽度调整 耐压BV
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