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碳化硅MOSFET栅氧化层可靠性研究
被引量:
6
1
作者
黄润华
钮应喜
+8 位作者
杨霏
陶永洪
柏松
陈刚
汪玲
刘奥
卫能
李赟
赵志飞
《智能电网》
2015年第2期99-102,共4页
通过TCAD仿真的方法对器件可靠性与结构设计之间的关系进行分析;对栅极电压和栅氧化层最强电场进行仿真,以对碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,MOSFET)单胞结构参数进行优化;在N...
通过TCAD仿真的方法对器件可靠性与结构设计之间的关系进行分析;对栅极电压和栅氧化层最强电场进行仿真,以对碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,MOSFET)单胞结构参数进行优化;在N型碳化硅外延层上制作金属氧化物半导体(metal-oxide-semiconductor,MOS)电容,并且通过对MOS电容进行C-V测试的方法评估Si O2/Si C界面质量。对导带附近界面陷阱密度进行比较。NO退火的样品与干氧氧化样品相比界面质量明显改善,界面态密度小于5×10~11 cm–2e V–1。
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关键词
界面态
碳化硅金属氧化物半导体(metal-oxide-semiconductor
mos
)
电容
可
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职称材料
基于AlON的4H-SiC MOS高k栅介质电性能
2
作者
夏经华
桑玲
+5 位作者
查祎英
杨霏
吴军民
王世海
万彩萍
许恒宇
《微纳电子技术》
北大核心
2020年第9期714-719,共6页
提高栅介质的界面质量和可靠性一直是功率碳化硅金属氧化物半导体(MOS)器件研发的核心任务之一。基于原子层沉积(ALD)技术,在n型4H-SiC上沉积了Al基高介电常数(k)栅介质材料AlON。在不同沉积后退火(PDA)温度下制备了AlON/4H-SiC MOS电容...
提高栅介质的界面质量和可靠性一直是功率碳化硅金属氧化物半导体(MOS)器件研发的核心任务之一。基于原子层沉积(ALD)技术,在n型4H-SiC上沉积了Al基高介电常数(k)栅介质材料AlON。在不同沉积后退火(PDA)温度下制备了AlON/4H-SiC MOS电容,对制备的AlON/4H-SiC MOS电容进行了高-低频电容-电压特性测试,并开展了介质零时击穿(TZDB)实验。发现当PDA温度为800℃时,得到的AlON/4H-SiC MOS电容有着较低的界面态密度、栅极电流密度和较高的介电击穿电场强度,表明经过合适的PDA工艺后,基于AlON高k栅介质材料的4H-SiC MOS器件栅介质的界面态密度得到显著降低,栅介质的介电性能和可靠性得到提高。
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关键词
4H-SIC
金属氧化物半导体(
mos
)
电容
原子层沉积(ALD)
ALON
界面态
介质零时击穿(TZDB)
高k栅介质材料
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职称材料
题名
碳化硅MOSFET栅氧化层可靠性研究
被引量:
6
1
作者
黄润华
钮应喜
杨霏
陶永洪
柏松
陈刚
汪玲
刘奥
卫能
李赟
赵志飞
机构
单片集成电路和模块国家级重点实验室
国网智能电网研究院
南京电子器件研究所
出处
《智能电网》
2015年第2期99-102,共4页
基金
国家电网公司科技项目(SGRI-WD-71-14-003)~~
文摘
通过TCAD仿真的方法对器件可靠性与结构设计之间的关系进行分析;对栅极电压和栅氧化层最强电场进行仿真,以对碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,MOSFET)单胞结构参数进行优化;在N型碳化硅外延层上制作金属氧化物半导体(metal-oxide-semiconductor,MOS)电容,并且通过对MOS电容进行C-V测试的方法评估Si O2/Si C界面质量。对导带附近界面陷阱密度进行比较。NO退火的样品与干氧氧化样品相比界面质量明显改善,界面态密度小于5×10~11 cm–2e V–1。
关键词
界面态
碳化硅金属氧化物半导体(metal-oxide-semiconductor
mos
)
电容
可
Keywords
interface state
Si C metal-oxide-semiconductor(
mos
) capacitor
reliability
Si C metal-oxide-semiconductor field-effect transistor(
mos
FET)
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
基于AlON的4H-SiC MOS高k栅介质电性能
2
作者
夏经华
桑玲
查祎英
杨霏
吴军民
王世海
万彩萍
许恒宇
机构
先进输电技术国家重点实验室
全球能源互联网研究院有限公司
中国科学院微电子研究所
出处
《微纳电子技术》
北大核心
2020年第9期714-719,共6页
基金
国家电网有限公司总部科技项目(5455GB180003)。
文摘
提高栅介质的界面质量和可靠性一直是功率碳化硅金属氧化物半导体(MOS)器件研发的核心任务之一。基于原子层沉积(ALD)技术,在n型4H-SiC上沉积了Al基高介电常数(k)栅介质材料AlON。在不同沉积后退火(PDA)温度下制备了AlON/4H-SiC MOS电容,对制备的AlON/4H-SiC MOS电容进行了高-低频电容-电压特性测试,并开展了介质零时击穿(TZDB)实验。发现当PDA温度为800℃时,得到的AlON/4H-SiC MOS电容有着较低的界面态密度、栅极电流密度和较高的介电击穿电场强度,表明经过合适的PDA工艺后,基于AlON高k栅介质材料的4H-SiC MOS器件栅介质的界面态密度得到显著降低,栅介质的介电性能和可靠性得到提高。
关键词
4H-SIC
金属氧化物半导体(
mos
)
电容
原子层沉积(ALD)
ALON
界面态
介质零时击穿(TZDB)
高k栅介质材料
Keywords
4H-SiC
metal oxide semiconductor(
mos
)capacitor
atom layer deposition(ALD)
AlON
interface state
time-zero-dielectric breakdown(TZDB)
high-kgate dielectric material
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
TN304.24 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
碳化硅MOSFET栅氧化层可靠性研究
黄润华
钮应喜
杨霏
陶永洪
柏松
陈刚
汪玲
刘奥
卫能
李赟
赵志飞
《智能电网》
2015
6
下载PDF
职称材料
2
基于AlON的4H-SiC MOS高k栅介质电性能
夏经华
桑玲
查祎英
杨霏
吴军民
王世海
万彩萍
许恒宇
《微纳电子技术》
北大核心
2020
0
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职称材料
已选择
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