使用Y函数方法提取MoS2 FET双向扫描电学参数

利用机械剥离法制备了多层背栅MoS_2场效应晶体管（FET）,通过双向栅压扫描提取了器件的转移特性曲线,并利用Y函数方法提取了器件的电学参数。结果表明,利用Y函数法提取的载流子迁移率值明显大于利用跨导法提取的载流子迁移率值。这两种提取方法的不同之处在于Y函数方法考虑了寄生电阻的影响,而跨导法则将其忽略了,这说明寄生电阻带来的影响是显著的。此外,该器件在双向扫描过程中出现了明显的回滞特性,这主要是MoS_2材料吸附外界杂质电荷造成的。无论采用跨导法还是Y函数方法,其正向扫描和反向扫描时对应的电学参数都不完全一致。这表明在分析MoS_2 FET的电学性能时,除了考虑器件的寄生电阻外,还需要考虑界面电荷的影响。

PMOS OTP的器件结构、工作原理以及实现方法

OTP(one time programmable memory)是常见的一种NVM,在有限密度有限性能的嵌入式NVM方面有较多的应用,传统的EEPROM、S0NOS、E-Flash NVM成本昂贵。OTP与CMOS相容的嵌入式NVM技术是当前工业界的成功解决方案,并在诸如模拟技术微调应用中的位元级一直到数据或代码储存的千位元等级取得越来越广泛的应用。其特点在于与CMOS工艺相容,工艺步骤简单、无须额外的光照,成本低廉,可以增强片上系统的功能和灵活性。作者介绍了工业界对于OTP开发的主流类型-利用PMOS来设计OTP的器件结构、基本工作原理。重点分析了在技术研发中遇到的独特的挑战及其解决方案。

用栅极驱动器集成电路制作的100W数字功率放大器

当数字功率放大器的输出功率大于50W之后,就无法只用单片全集成的集成电路来构成放大器,必须采用栅极驱动器集成电路与大功率MOS-FET组合的构成方式.这里介绍一款用通用运算放大器、通用逻辑集成电路、栅极驱动器及大功率MOS-FET组成的单声道100W/8数字音频功率放大器.