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基于SRAM的FPGA的互连时延模型 被引量:1
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作者 王怡 韩若楠 +2 位作者 王伶俐 唐璞山 童家榕 《电路与系统学报》 CSCD 北大核心 2008年第3期57-62,共6页
本文提出现场可编程门阵列FPGA中的互连资源MOS传输管时延模型。首先从阶跃信号推导出适合50%时延的等效电阻模型,然后在斜坡输入的时候,给出斜坡输入时的时延模型,并且给出等效电容的计算方法。结果表明,本文提出的时延模型快速并且足... 本文提出现场可编程门阵列FPGA中的互连资源MOS传输管时延模型。首先从阶跃信号推导出适合50%时延的等效电阻模型,然后在斜坡输入的时候,给出斜坡输入时的时延模型,并且给出等效电容的计算方法。结果表明,本文提出的时延模型快速并且足够精确。 展开更多
关键词 mos 等效 mos—c电路
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