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大功率变流器的拓扑结构与器件选择
1
作者
于飞
张晓锋
+1 位作者
李槐树
叶志浩
《机车电传动》
北大核心
2004年第2期5-8,11,共5页
详细阐述了IGCT、ETO、IEGT等新型器件的技术特点和应用前景以及矩阵式变流器、多点式变流器和多相逆变器等高性能、大功率变流器的结构、特性与应用状况,提出了适用于电力推进的大功率变流器的选择方案。
关键词
大功率变流器
拓扑结构
多相逆变器
多点式变流器
集成门极换流
晶闸管
发射极
关断
晶闸管
mos关断晶闸管
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职称材料
硅直接键合(SDB)技术在新型电力电子器件应用中的新进展
被引量:
3
2
作者
王彩琳
高勇
张新
《电子器件》
EI
CAS
2005年第4期945-948,957,共5页
综述了硅直接键合(SDB)技术在绝缘栅双极晶体管(IGBT)、静电感应晶闸管(SITH)及MOS控制可关断晶闸管(MTO)等器件中的新应用,说明了SDB技术在新型电力电子器件应用中的新方法和新思路。在此基础上,提出了用SDB技术制作集成门极换流晶闸管...
综述了硅直接键合(SDB)技术在绝缘栅双极晶体管(IGBT)、静电感应晶闸管(SITH)及MOS控制可关断晶闸管(MTO)等器件中的新应用,说明了SDB技术在新型电力电子器件应用中的新方法和新思路。在此基础上,提出了用SDB技术制作集成门极换流晶闸管(IGCT)和集成门极双晶体管(IGDT)的设想,并给出了相应的工艺方案。
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关键词
硅直接键合
电力电子器件
集成门极换流
晶闸管
集成门极双晶体管
mos
控制可
关断
晶闸管
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职称材料
题名
大功率变流器的拓扑结构与器件选择
1
作者
于飞
张晓锋
李槐树
叶志浩
机构
海军工程大学电气工程系
出处
《机车电传动》
北大核心
2004年第2期5-8,11,共5页
文摘
详细阐述了IGCT、ETO、IEGT等新型器件的技术特点和应用前景以及矩阵式变流器、多点式变流器和多相逆变器等高性能、大功率变流器的结构、特性与应用状况,提出了适用于电力推进的大功率变流器的选择方案。
关键词
大功率变流器
拓扑结构
多相逆变器
多点式变流器
集成门极换流
晶闸管
发射极
关断
晶闸管
mos关断晶闸管
Keywords
high-power converter
topological structure
ETO
IEGT
multi-phase inverter
multilevel converter
分类号
TM46 [电气工程—电器]
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职称材料
题名
硅直接键合(SDB)技术在新型电力电子器件应用中的新进展
被引量:
3
2
作者
王彩琳
高勇
张新
机构
西安理工大学电子工程系
出处
《电子器件》
EI
CAS
2005年第4期945-948,957,共5页
基金
陕西省教育厅专项科研计划项目
其编号为04JK245
文摘
综述了硅直接键合(SDB)技术在绝缘栅双极晶体管(IGBT)、静电感应晶闸管(SITH)及MOS控制可关断晶闸管(MTO)等器件中的新应用,说明了SDB技术在新型电力电子器件应用中的新方法和新思路。在此基础上,提出了用SDB技术制作集成门极换流晶闸管(IGCT)和集成门极双晶体管(IGDT)的设想,并给出了相应的工艺方案。
关键词
硅直接键合
电力电子器件
集成门极换流
晶闸管
集成门极双晶体管
mos
控制可
关断
晶闸管
Keywords
silicon direct bonding (SDB)
power electronic devices
integrated gate commutated thyristor(IGCT)
integrated-gate dual transistor (IGDT)
mos
turn-off thyristor (MTO)
分类号
TN34 [电子电信—物理电子学]
TN342.4 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
大功率变流器的拓扑结构与器件选择
于飞
张晓锋
李槐树
叶志浩
《机车电传动》
北大核心
2004
0
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职称材料
2
硅直接键合(SDB)技术在新型电力电子器件应用中的新进展
王彩琳
高勇
张新
《电子器件》
EI
CAS
2005
3
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职称材料
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