功率-MOSFET开关特性与参数的测试电路及方法

介绍了测试功率场效应晶体管(简称功率-MOSFET)开关特性、极间电容、栅极电荷等特性与参数的电路及测试方法,经实测证明是正确的。

飞机电路开关器件特性测试仪的研制

】阐明了利用单片机技术对飞机电路开关器件进行特性测试的基本原理，讨论了接触电阻、三相同步性、吸合释放时间、自动保险电门特性等的测量及硬件、软件的实现方法，最后给出研制结果。

高速SOIMOS器件及环振电路的研制

采用 SOI/CMOS工艺成功地研制出沟道长度为 0 .8μm的 SOI器件和环振电路 ,在 5V和 3V电源电压时 51级环振的单门延迟时间分别为 82 ps和 2 81 ps,速度明显高于相应的体硅电路 .由于采用硅岛边缘注入技术 ,寄生边缘管得到较好的抑制 .对沟道宽度对 SOI器件特性的影响进行了讨论 .实验表明 SOI器件是高速和低压低功耗电路的理想选择 .

二极管伏安特性曲线测试电路的改进

指出了文献中所给出的伏安法测二极管特性曲线电路存在的问题 。

低温微电子器件和电路——低温 MOS 器件的研究

本文讨论了 MOS 器件表面迁移率的低温特性,研究了 MOS 器件电参数的低温特性,在此基础上提出了低温 MOS 器件的设计考虑。

红外焦平面阵列CMOS读出电路参数的计算机辅助测试系统

读出电路是红外焦平面器件研究的关键技术之一 ,本文研制出一种用于CMOS读出电路参数测试的计算机辅助测试系统。该系统可靠、精度高 ,有完整的软硬件环境 ,以适应各种读出电路的测试。

选用并联谐振电路测试高压限流熔断器的时间-电流特性

介绍了选用并联谐振电路组成的电路作高压限流熔断器的特点、结构原理和测试方法 ,以及电容器。

基于频率特性测试的模拟电路BIST设计

在大规模数模混合信号集成电路中,模拟信号的测试是一个重点和难点.BIST技术不仅能缩短测试和验证时间,而且提高了故障覆盖率,被越来越多地应用在模拟电路的测试中.由此对传统的模拟电路BIST方法进行了探讨,并提出一种利用方波信号作为激励源,通过比较电路响应输出波形变化来诊断故障的模拟电路频率特性测试BIST方案.该方案结构简单,易于集成,减小了测试的复杂性和代价.仿真实验结果表明,方案能够有效检测电路容差性故障,适合模拟集成电路的内建自测试.

双极型晶体管输入特性测试电路的改进

指出了某电子线路基础实验教材中双极型晶体管特性测试电路存在的问题 ,并给出了改进后的测试电路。

晶体管特性测试电路的改进

半导体三极管是电子电路中的核心器件。在半导体三极管特性测试过程中,经常会出现烧坏电阻器和晶体管的现象。通过分析测试电路的工作原理,结合电子实验室配备的仪器,对其进行改进,以便更快、更安全地完成实验。

基于GaN的开关电源电路测试

论文围绕大功率开关电源的发展现状,介绍了基于氮化镓GaN器件的开关电源电路测试过程。论文分别介绍了倍增整流电路、同步整流电路、半桥倍流整流电路、半桥驱动电路的设计。论文给出了测试电路,并进行了测试。测试结果表明:同步整流电路主要用MOSFET代替整流二极管,低压大电流的场合,主要损耗在极大地降低了通压降,而MOSFET导通电阻带来的导通压降较小,这样极大的降低了功耗,提高效率。

一种亚微米模拟电路中MOS器件的设计方法

提出一种可用于亚微米金属氧化物场效应晶体管的器件模型,它兼具了形式简洁和精度相当于BSIM3模型的特点,在此基础上讨论了器件电性能与结构之间的关系.设计结果与实验结果符合良好.

一个有效的不完全Scan结构MOS电路的测试生成算法

本文介绍一个不完全Scan结构MOS电路的测试生成算法DALG—EX18。该算法充分考虑不完全Scan结构的特点,同时也考虑MOS电路中由三态器件引出的一些特性,在传统5值D-算法基础上,引入18值及其计算规则,加入新的处理步骤,并辅以可观值/可控值引导D-驱赶和一致性操作,从而提高故障覆盖率,加快测试生成速度。DALG—EX18算法已用C语言在VAX 11/750机上实现,一些电路的实验结果表明,该算法是有效的。

基于STM32的简易电路特性测试系统设计

设计了一种基于STM32单片机控制的简易电路特性测试系统.被测电路测试板是分压式共射极三极管放大电路.测试系统采用外部DDS模块AD9851作为信号源,为被测电路提供0~1 V幅值、1 Hz~180 MHz频率、步长为1 Hz的标准正弦测试信号.该测试信号进行放大或衰减等预处理后得到Vi,输入到给定的被测电路测试板.测试板输出响应信号Vo,使用仪表放大器和OP放大器设计信号采集处理电路进行处理后,利用AD7324对信号进行模数转换.测试系统能实现输入-输出电阻的测量,且误差在1.5%以内,可以实现放大电路幅频特性测量,还具备故障诊断功能,能较好实现电路特性的自动化测试.

高速A/D CA3318的一种静态特性测试电路

本文在介绍高速Ａ／Ｄ转换集成电路ＣＡ３３１８结构组成的基础上，设计在一种用以检验其静态特性的简易可行的测试电路，并指出其应用注意事项。

高速CMOS电路电离辐照损伤的剂量率效应

对国产加固６４ＨＣ０４高速ＣＭＯＳ电路进行了不同剂量率的辐照响应和室温退火特性研究。探讨了５４ＨＣ０４电路在不同剂量率辐照下的损伤机理和失效模式的差异及其对高速ＣＭＯＳ电路在辐射环境中应用可靠性的影响。

1200V碳化硅MOSFET与硅IGBT器件特性对比性研究

搭建了输出特性测试电路、漏电流测试电路、双脉冲测试电路和Buck电路,对1 200 V SiC MOSFET和Si IGBT的输出特性、漏电流、开关特性和器件损耗进行了对比研究,分析了SiC MOSFET的主要优缺点。分析结果表明,SiC MOSFET在高温条件下依然拥有稳定的阻断能力;在同样的工作条件下,SiC MOSFET损耗更小,适合在高频率、大功率场合下使用;SiC MOSFET的跨导低,导通电阻大,所以门极驱动电压需要比较大的摆幅(-5/+20 V);由于开关速度很快,SiC MOSFET对线路杂散参数更加敏感。