MOS场效应管压力微传感器

阐述了一种MOS场效应管 (MOSFET)压力微传感器的结构和基本工作原理。通过对该传感器的仿真实验 ,证明了MOSFET压力微传感器可通过简单的电压———电流转换原理 ,利用栅极电容的变化导致漏极电流与开启电压的变化而有效地测出作用于栅极膜片的压力的变化 ,具有较高的灵敏度与稳定性。

用现代MOS场效应管开关与碳化硅二极管构成的小型功率模块可获得高频、紧凑的三相正弦输入整流器

本文阐述以小型、低电感的功率模块,获得紧凑的电源系统的优点。为了提高工作频率和达到最高效率,本功率器件集成了现代工艺的超结MOSFET器件和最新SiC(碳化硅)二极管。作为示范,苏黎世ETH电力电子系统实验室开发了一个10KW输出功率,功率密度高达8.5kW/l(85W/cm3),高效率和嵌入功率模块中的一个6-开关维也纳整流器。

双MOS场效应管γ剂量探测器温度特性研究

针对双MOS场效应管γ剂量探测器的测量结果受温度影响大的问题,设计了一套试验装置,在商业级温度范围内,通过试验研究了不同情况下双MOS管探测器读数随温度的变化规律,给出了减小温度对读数影响的测量方法。实验表明:该方法可满足个人剂量测量的误差要求。

大功率MOS场效应管在中波发射机中的应用

随着全固态广播发射机在各中波台(站)的逐步推广,传统的电子管调制功放电路已经由大功率MOS场效应管功放取代。由于工作于高功率大电流状态,功放模块的损坏非常普遍,要求技术人员必须熟悉和掌握大功率MOS场效应管功放的原理及MOS场效应管使用方法。本文对大功率MOS场效应管在中波发射机调制功放电路中的应用、场效应管的日常测试及使用维护进行了探讨。

MOS场效应管的探讨及应用

本文通过基本电路分析,简单介绍了MOS场效应管的特点,并通过实际工作总结了MOS场效应管在中波发射机调制功放电路中的应用、场效应管的日常测试及使用维护,给出了相应的故障分析。

氮化N沟MOS场效应管的界面陷阱特性

一种经过氮化处理背面吸杂的Ｎ沟ＭＯＳ场效应管，在较宽的温度和偏置范围下对其闪烁噪声进行测量。将经过不等时间吸杂处理后的器件的噪声能量谱进行比较发现：器件经过短时间背面吸杂，其闪烁噪声降低；稍长时间吸杂则噪声趋高。探究噪声能量谱与温度的依赖关系表明：器件的低频噪声是由载流子对ＳｉＳｉＯ２界面陷阱的热激发造成的，而背面吸杂则导致ＳｉＳｉＯ２的应力衰减，进而改变了截面陷阱的能量分布。

MOS场效应管的探讨及其在中波广播发射机上的运用

国内中波广播发射机中,MOS场效应管功放块已经逐步取代传统的电子管调制功放块。本文结合工作实际,简单介绍MOS场效应管的特点和检测,并对其在中波发射机中的运用及故障分析进行探讨。

MOS场效应管特点以及在中波发射机上的运用

互联网的大力普及给中波发射带来了很大冲击。但是,中波广播发射自身具有强大的优势,成为其必然存在的强有力支撑。MOS场效应管是中波发射机中常用的元器件,日常运行使用量较大,所以故障率相应较高,这就需要对MOS场效应管的特点,以及在工作中的运用和故障有足够的认识。本文通过对MOS场效应管工作原理、特征及特性曲线的介绍,阐述MOS场效应管在中波发射机上的实际运用及测试方法。

大功率MOS场效应管在中波发射机中的应用

本文在介绍分析大功率MOS场效应管的基础上,对大功率MOS场效应管在中波发射机中的应用进行分析论述,以促进全固态中波发射机的推广应用和发展进步。

MOS场效应管在恒温电炉箱中的应用

1存在问题 恒温电炉箱的接触器在使用中动作非常频繁，严重影响使用寿命。频繁吸合与释放还会产生严重的噪声，影响生产。

浅析TSD-25发射机MOS场效应管易损坏的原因及维修方法

TSD-25发射机出现MOS功率场效应管经常损坏,甚至连续损坏的故现象。我们经过分析和查找相关资料,找出了原因并采取了相对的解决措施。

MOS型场效应管的VHDL-AMS行为建模与仿真

本文提出一种基于SPICE模型半导体器件的VHDL-AMS行为建模方法,给出了MOS场效应管模型中温度效应、噪声、直流和电容方程的行为模型,最后以CMOS反相器电路为例在混合信号仿真器SMASH5.72中验证了该行为模型的正确性。

基于功率MOS型场效应管的4kV纳秒脉冲源

为了用固体开关器件替代国外氢闸流管,开展了大功率高速高压半导体固体开关及与其相配的高速高压组合电路研究。利用功率MOS型场效应管的开关原理,提出了对功率MOS型场效应管的栅极"过"驱动技术,提高了功率MOS型场效应管的开关速度,研制出基于功率MOS型场效应管的输出脉冲幅度大于4 kV,前沿小于10 ns,脉冲宽度大于100 ns的高压快脉冲驱动源。

双栅MOS场效应管的特性及应用

双栅MOS场效应管(以下简称双栅管)是国外70年代发展起来的一种新型的高频低噪声放大器件，其突出的优点是反馈电容比常规(单栅)MOS场效应管低两个数量级，因而能在甚高频和超高频范围内稳定地工作。另外，通过改变第二栅上偏压可以容易地实现自动增益控制(AGC)。现在。

MOS场效应管工作原理简介

MOS场效应管也被称为MOSFET．即Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor（金属氧化物半导体场效应管）的缩写，有耗尽型和增强型之分。增强型MOS场效应管（C-MOS管）内部结构如图1所示，分为NPN型和PNP型，NPN型常称为N沟道型，PNP型常称为P沟道型。N沟道的场效应管源极和漏极接在N型半导体上，P沟道的场效应管源极和漏极接在P型半导体上。

V-MOS场效应管单端A类功放的制作

1单端A类放大器性能刍议无论是普通音响,还是电脑多媒体音响,功率放大器依然是音频能量扩大推动扬声器出声不可或缺的终端,各类放大器均能较好地实现这一功能,但是现代人们对音响（客观的技术因素,如频率响应、失真度、信噪比等）和音乐（主观的艺术魅力，如声底是否醇厚、堂音是否丰富、听感是否顺耳等）的苛求愈来愈高，不少“金耳朵”能够听出歌手的齿音、

逆变技术功率场效应管应用实践及要点

本文叙述了功率场效应管在逆变技术中应注意的问题，并人出解决的办法和实用线路。