方波信号发生器及场效应管驱动器

本文介绍方波信号发生器及场效应管驱动器的原理与设计。实验证明,设计的方波信号发生器与场效应管驱动器工作稳定可靠,所研制的方波交流高频弧焊电源已成功地对薄钢板进行了焊接。

一种带脉宽保护的场效应管驱动器

基于华虹宏力0.35μm BCD工艺,设计了一种输出峰值电流为6 A的双路场效应管驱动电路。通过输入级将TTL/CMOS信号转换为0_(~)5 V信号,再经过输入整形单元提高信号上升沿速度、控制信号占空比,然后通过缓冲单元增强信号驱动能力,通过死区单元设置死区窗口,降低输出共态导通电流,最后采用推挽式输出级进行功率输出。使电路可以应用于6 A的大电流驱动系统和40 V的高压驱动系统,具备良好的通用性。

80V/2.5A的高频全桥场效应管(FET)驱动器HIP4O81A

HIP4081A是美国HARRIS公司的场效应管驱动专用芯片。HIP2100主要用于50W-D类功放,若该电路采用HIP4081A的半桥方式则可替代两只HIP2100,或是接成全桥方式以省去正、负电源。HIP4081A的开启延时可调,以便在前、后级电路已定的情况下产生更高的转换效率和更小的失真。以下对HIP4081A的功能进行介绍,并附典型应用电路。

基于场效应管的大功率直流电机驱动电路设计

以增强型场效应管为核心,基于H桥脉宽调制(PWM)控制原理,利用光电隔离器设计了一种大功率直流电机驱动控制电路,该电路能够很好地满足直流电机正、反转控制和调速的需要。试验表明该驱动控制电路具有性能稳定、驱动能力大、抗干扰能力强等特点。

基于功率MOS型场效应管的4kV纳秒脉冲源

为了用固体开关器件替代国外氢闸流管,开展了大功率高速高压半导体固体开关及与其相配的高速高压组合电路研究。利用功率MOS型场效应管的开关原理,提出了对功率MOS型场效应管的栅极"过"驱动技术,提高了功率MOS型场效应管的开关速度,研制出基于功率MOS型场效应管的输出脉冲幅度大于4 kV,前沿小于10 ns,脉冲宽度大于100 ns的高压快脉冲驱动源。

MOS场效应管特性与参数测试实验电路设计

场效应管(简称FET)是一种由输入电压来控制其输出电流大小的半导体器件,是电压控制器件,其输入电阻非常高,输入端基本不取电流。由于金属-氧化物-半导体场效应管(简称MOSFET)栅极和沟道之间的绝缘层易被电压击穿,特别是栅源之间的耐压只有几十伏,外部静电电压极易造成栅源极间击穿损坏。文章针对MOSFET在实验教学测量、测试过程中容易损坏的问题,根据MOSFET工作特性及测试要求,设计出较为便捷和安全可靠的MOSFET实验教学电路。

MOS场效应管压力微传感器

阐述了一种MOS场效应管 (MOSFET)压力微传感器的结构和基本工作原理。通过对该传感器的仿真实验 ,证明了MOSFET压力微传感器可通过简单的电压———电流转换原理 ,利用栅极电容的变化导致漏极电流与开启电压的变化而有效地测出作用于栅极膜片的压力的变化 ,具有较高的灵敏度与稳定性。

MOS型场效应管的VHDL-AMS行为建模与仿真

本文提出一种基于SPICE模型半导体器件的VHDL-AMS行为建模方法,给出了MOS场效应管模型中温度效应、噪声、直流和电容方程的行为模型,最后以CMOS反相器电路为例在混合信号仿真器SMASH5.72中验证了该行为模型的正确性。

用现代MOS场效应管开关与碳化硅二极管构成的小型功率模块可获得高频、紧凑的三相正弦输入整流器

本文阐述以小型、低电感的功率模块,获得紧凑的电源系统的优点。为了提高工作频率和达到最高效率,本功率器件集成了现代工艺的超结MOSFET器件和最新SiC(碳化硅)二极管。作为示范,苏黎世ETH电力电子系统实验室开发了一个10KW输出功率,功率密度高达8.5kW/l(85W/cm3),高效率和嵌入功率模块中的一个6-开关维也纳整流器。

双栅MOS场效应管及其应用

双栅MOS场效应管是近年来发展起来的很有前途的新器件.由于它具有工作频率高、增益可控、高跨导、高输入阻抗、低噪声系数、低反馈电容以及大动态工作范围等优点,被广泛地运用在甚高频和超高频的通讯电路中.例如:在电视接收机中作自动增益控制放大器、乘法检波器、彩色同步解码器、VHF与UHF调谐器中高频放大器、混频器以及图象中频放大器.特别当应用在VHF。

双MOS场效应管γ剂量探测器温度特性研究

针对双MOS场效应管γ剂量探测器的测量结果受温度影响大的问题,设计了一套试验装置,在商业级温度范围内,通过试验研究了不同情况下双MOS管探测器读数随温度的变化规律,给出了减小温度对读数影响的测量方法。实验表明:该方法可满足个人剂量测量的误差要求。

大功率MOS场效应管在中波发射机中的应用

随着全固态广播发射机在各中波台(站)的逐步推广,传统的电子管调制功放电路已经由大功率MOS场效应管功放取代。由于工作于高功率大电流状态,功放模块的损坏非常普遍,要求技术人员必须熟悉和掌握大功率MOS场效应管功放的原理及MOS场效应管使用方法。本文对大功率MOS场效应管在中波发射机调制功放电路中的应用、场效应管的日常测试及使用维护进行了探讨。

MOS场效应管的探讨及应用

本文通过基本电路分析,简单介绍了MOS场效应管的特点,并通过实际工作总结了MOS场效应管在中波发射机调制功放电路中的应用、场效应管的日常测试及使用维护,给出了相应的故障分析。

氮化N沟MOS场效应管的界面陷阱特性

一种经过氮化处理背面吸杂的Ｎ沟ＭＯＳ场效应管，在较宽的温度和偏置范围下对其闪烁噪声进行测量。将经过不等时间吸杂处理后的器件的噪声能量谱进行比较发现：器件经过短时间背面吸杂，其闪烁噪声降低；稍长时间吸杂则噪声趋高。探究噪声能量谱与温度的依赖关系表明：器件的低频噪声是由载流子对ＳｉＳｉＯ２界面陷阱的热激发造成的，而背面吸杂则导致ＳｉＳｉＯ２的应力衰减，进而改变了截面陷阱的能量分布。

MOS场效应管的探讨及其在中波广播发射机上的运用

国内中波广播发射机中,MOS场效应管功放块已经逐步取代传统的电子管调制功放块。本文结合工作实际,简单介绍MOS场效应管的特点和检测,并对其在中波发射机中的运用及故障分析进行探讨。

MOS场效应管特点以及在中波发射机上的运用

互联网的大力普及给中波发射带来了很大冲击。但是,中波广播发射自身具有强大的优势,成为其必然存在的强有力支撑。MOS场效应管是中波发射机中常用的元器件,日常运行使用量较大,所以故障率相应较高,这就需要对MOS场效应管的特点,以及在工作中的运用和故障有足够的认识。本文通过对MOS场效应管工作原理、特征及特性曲线的介绍,阐述MOS场效应管在中波发射机上的实际运用及测试方法。

大功率MOS场效应管在中波发射机中的应用

本文在介绍分析大功率MOS场效应管的基础上,对大功率MOS场效应管在中波发射机中的应用进行分析论述,以促进全固态中波发射机的推广应用和发展进步。

高频MOS场效应管变换器工作特性

功率 MOS—FET 的漏极、源极间,存在着反向内部二极管,用MOS—FET 组成 PWM 型变换器时,由于其内部二极管的恢复电流而引起上下支路的短路现象。若采用电感来控制电流的上升能有效地防止这种现象,本文把紧耦合电感的短路电流控制电路用于100KHZ 左右的高载波频率上工作,做成功率1KW 的PWM 变换器。而且求出各元件上的损耗以及变换器的效率。依据理论值和实验值的比较研究,给出 PWM 变换器的设计指南。

大功率MOS场效应管电气参数的测量方法

大功率MOS场效应管是音频功率放大器中经常使用的功率放大器件之一。其性能的优劣直接关系到放大器性能的好坏。为了选好、用好大功率MOS场效应管,我们必需对大功率MOS场效应管电气参数的测量方法有所了解。本文以2SK2614为例进行介绍。一、栅极漏电电流I_(GSS)I_(GSS)是场效应管漏极源极间电压为OV时栅极的漏电电流。测量电路如图1所示,将漏极源极用导线短接。