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注入光敏器件与MOS场效应结构比较
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作者 何民才 黄启俊 王海军 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2000年第6期439-441,445,共4页
通过理论分析和实验证明了注入光敏器件并不是一种MOS场效应结构 。
关键词 光探测器 注入光敏器件 mos场效应结构
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间接耦合光探测器再分析 被引量：1
2
作者 尹长松 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 1999年第6期439-440,445,共3页
再次分析了间接耦合光探测器耦合系数定义的自相矛盾,指出这种器件的耦合区实际上是表面耗尽区,或者是表面反型层区,并说明这种器件结构本质上是一种MOS场效应结构。
关键词 间接耦合光探测器 mos场效应结构 电荷耦合器件
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