MOS型功率半导体器件的最新进展

综述了MOS型功率半导体器件的最新发展动态，重点介绍了几种新型的器件，如EXTFET、COOL－MOS、IEGT、MCD等，分析了这些器件的结构特点、工作原理以及进一步发展所要解决的主要难题。最后指出了MOS型功率半导体器件未来的发展趋势。

新型功率半导体器件——IGCT性能研究

在介绍传统 GTO性能的基础上对集成门极可换向型晶闸管 IGCT的性能进行了研究。 IGCT具有传统 GTO和 IGBT的某些优点 。

新型功率半导体器件IGCT的核心技术

在目前的中电压大功率应用领域,占主导地位的功率半导体器件有晶闸管、GTO和IGBT等.这些传统的功率器件在实用方面都存在一些缺陷.ABB半导体公司率先提出了一种新型功率半导体器件-IGCT.它具有大电流、高电压、开关频率高、高可靠性、结构紧凑、低损耗的特点.在性能上明显优于目前广泛使用的GTO和IGBT器件.本文对IGCT器件及其工作原理进行简单介绍,并着重对其四项核心技术:缓冲层,透明阳极,逆导和集成门极技术,以及它们对器件性能的改善进行阐述.

一种新型的平板型功率半导体器件压装技术

对几种平板型功率半导体器件压装方法的利弊进行了分析,并介绍了一种新型功率器件压装技术。通过机械仿真及实物操作,验证了该压装方法的可行性,为日后平板型器件的工程应用提供参考。

功率半导体器件直流参数测试系统的研发

背景 介绍功率半导体器件应用非常广泛,是各种电子系统及仪器的基础,通常包括功率二极管、三极管、MOS场效应管、结型场效应管、可控硅等。目前,功率半导体器件应用单位涉及航天、航空、高等院校、电子研究所等诸多部门。其制造工艺及其设计水平较原来普通器件在功率上有了很大的提高,

功率半导体器件直流参数测试系统的研发

背景介绍 功率半导体器件应用非常广泛，是各种电子系统及仪器的基础，通常包括功率二极管、三极管、MOS场效应管、结型场效应管、可控硅等。目前，功率半导体器件应用单位涉及航天、航空、高等院校、电子研究所等诸多部门。

大有发展前途的新型半导体器件——静电感应晶体管和静电感应晶闸管

为了满足和推动电子器件向高频大功率方向发展,寻求一种新型晶体管,即静电感应晶体管(static induction transistor:SIT),也称为第三种类型晶体管。本文较为详细的阐述其组成结构工作原理和实验特性。并指出结构设计和工艺概要。

大功率半导体器件封装结构的有限元分析

介绍了压接型大功率半导体器件封装结构的有限元分析方法,利用Ansys有限元分析软件对IGCT这一具有代表性的器件进行了热分析,得出了IGCT芯片两侧热导体的热阻值,从而验证了IGCT结构的合理性。

功率半导体器件的新发展

一、ＭＯＳ型功率半导体器件改变了功率变换技术的面貌一年一度的国际功率半导体讨论会（ＩＳＰＳＤ’９７）今年在德国召开。过去功率半导体器件的国际会议都包含在半导体器件（主要是集成电路，如ＩＥＤＭ会议）或应用技术（如ＰＥＳＣ，ＩＰＥＣ，ＩＡＳ）的会议中，而...

中国北车发布功率半导体器件IGBT新产品

2011年12月23日中国北车集团永济电机公司在西安发布了其自主研发的11种IGBT（绝缘栅双极型晶体管）新产品，从而打破了IGBT器件技术和产品基本为国外公司所垄断的局面，标志着我国IGBT高端器件产业化实现了重大突破。

MOS型功率器件

本文综述了现代MOS型功率器件的原理、发展及应用趋势。在此类器件所用的终端技术上,提出了一个优值作标准。此外,还介绍了频率与功率的极限关系,并指出了器件的发展方向。

MOS型新型功率器件终端场分析与实验

采用二维有限元数值分析的方法，开发了用于反向偏置ｐ－ｎ结分析的模拟软件，可以模拟与ＭＯＳ型功率器件反向耐压有关的终端浅结场环、场板、ＳｉＯ２介质及界面态。为高压器件的终端研究、设计和优化提供了精确而有效的ＣＡＤ工具。此文介绍模拟所采用的物理模型和模拟方法，并以三环浅结带场板终端为例，给出部分模拟实例、结论及实验结果。

功率半导体迎来新一轮发展机遇

1功率半导体器件是实现电能转换的核心器件。主要功率半导体器件是实现电能转换的核心器件。主要用途包括逆变、变频等。功率半导体可以根据载流子类型分为双极型功率半导体和单极型功率半导体。双极型功率半导体包括功率二极管、双极结型晶体管(BJT)、电力晶体管(GTR)、晶闸管、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)等。

基于功率MOS型场效应管的4kV纳秒脉冲源

为了用固体开关器件替代国外氢闸流管,开展了大功率高速高压半导体固体开关及与其相配的高速高压组合电路研究。利用功率MOS型场效应管的开关原理,提出了对功率MOS型场效应管的栅极"过"驱动技术,提高了功率MOS型场效应管的开关速度,研制出基于功率MOS型场效应管的输出脉冲幅度大于4 kV,前沿小于10 ns,脉冲宽度大于100 ns的高压快脉冲驱动源。

采用绝缘型封装的沟道型功率MOSFET在低压车用驱动电路中的应用

本文介绍了功率半导体器件的一个新家族,即绝缘型封装的低压沟道型MOSFET:对MOSFET和封装技术做了一个简单介绍。由此可以衍生出几种器件的功率等级和特性。另外对这些新器件的典型运用作了一个介绍:如用在作为汽车辅助驱动电路的变换器中及用电池供电的运输工具中。

东微半导登陆科创板 打造国际领先的高性能功率器件

2月10日,苏州东微半导体股份有限公司(688261.SH)正式登陆上交所科创板。东微半导是一家以高性能功率器件研发与销售为主的技术驱动型半导体企业,有着优秀的半导体器件与工艺创新能力,是国内少数具备从专利到量产完整经验的高性能功率器件设计公司之一。

最新技术的PT IGBT和功率MOS的比较

最近由于降低了导通和开关损耗,PT IGBT的性能已在200～300V的额定范围超越了功率MOS管。本文比较了300V的IGBT和300V的功率MOS的所有性能。IGBT的电导调制使导通电压大幅度减少,总的开关损耗几乎与MOS一样。由于有效地控制了少子寿命,这些PT IGBT适于高频电源的应用。硬开关电路的测试表明,300V的IGBT比功率MOS的成本低,性能更好。

IGBT表面MOS结构的研究

IGBT即绝缘栅双极型晶体管,作为新一代的全控型电力电子器件已经广泛应用于工业、交通以及军事等诸多领域。日益进步的电力电子技术对功率半导体器件的性能也提出了更高的要求。本文使用计算机仿真软件对IGBT表面MOS结构进行优化设计,结果表明,为了获得最大的通流能力,首先要对MOS的栅宽和栅的间距做最佳匹配,其次是对BJT分量中的P+阱宽度做出合理设计,以期获得较高的抗闩锁能力。

BUY25CSXX系列：功率MOSFET

英飞凌科技推出专用于空间和航空应用而设计的电源开关器件。全新BUY25CSXX系列抗辐射加固型（RH）功率MOS器件拥有较好的性能，可支持面向空间应用的高能效电源调理和电源系统设计。