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题名硅基片上光互连电路设计
被引量:1
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作者
唐雄
范仁森
马正飞
徐开凯(指导)
于奇
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机构
电子科技大学微电子与固体电子学院
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出处
《光电子》
2016年第2期47-53,共7页
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基金
新型微纳器件的国防重点学科实验室和系统技术
中国的自然科学基金的开放式基金在合同61540013的支持
+3 种基金
四川省科学技术基金会在合同2016JY0217的支持
开放式的基金电子薄膜与集成器件国家重点实验室下的合同KFJJ201508的支持
科技在模拟集成电路科学技术实验室在合同9140C090112150C09042的支持
四川省科技厅13年支撑计划,2013GZX0139,高效高可靠Led照明糸列集成电路的研制。
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文摘
根据摩尔定律,芯片的集成度不断提高,传统的片上互连技术由于受到电互连物理特性的限制,其传输延迟、带宽密度和功耗等关键性能指标很难有质地提升,成为制约片上互连性能进一步提升的瓶颈。相比之下,光互连信号传输具有损耗低、速度快、延迟低、带宽密度高的优势。因此,光互连技术在片上系统的应用中具有潜在优势。文章采用MOS管发光器件实现硅基光互连系统单片集成。由于硅光源在光互连中扮演着重要角色,所以本文对硅基发光做了重点研究,并对过去几年硅光源研究成果进行回顾。基于前人的研究成果,我们设计了MOS管发光器件,并对该器件的电学特性和光学特性进行了仿真和分析,基于这些结果,然后对硅基片上光互连进行初步的设计,有望在未来光互连中发挥重要作用。
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关键词
mos管光发射器件
硅基发光器件
硅基光互连电路
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Keywords
mosFET Light Emitting Device
Silicon Substrate Light Emitting Device
Silicon Substrate Optical Interconnection Circuit
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分类号
TN3
[电子电信—物理电子学]
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