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题名一种机载DC/DC浪涌电流抑制电路的设计
被引量:6
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作者
杜培德
卢翔
鄢毅之
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机构
中国电子科技集团公司第二十四研究所
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出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第2期216-221,共6页
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文摘
为了满足EMC要求,通常需在机载二次DC/DC的输入端并联大容量电容,导致开机瞬间形成很大的浪涌电流,从而引起系统异常。常规的抑制方法是在输入端串联电感、NTC热敏电阻,或者串联MOS管并简单控制其缓慢开通。但这些方法存在输入电压振荡、高温时抑制失败,或者启动延时长且不能抑制重复快速浪涌等缺点。基于MOS管的密勒效应,设计了一种能够延长MOS管开通上升时间的电路,使电容电压上升速率变缓,从而抑制浪涌电流。仿真及验证结果表明,该电路具有启动延时仅有10ms、可抑制最高60 Hz的重复快速上电浪涌、上电速率可调等优点。
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关键词
浪涌电流抑制
密勒效应
mos管开关特性
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Keywords
surge current suppression
Miller effect
mosFET switching characteristics
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分类号
TN42
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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