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非均匀沟道MOS辐照正空间电荷迁移率模型 被引量:5
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作者 李泽宏 李肇基 +1 位作者 张波 方健 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期561-565,共5页
提出非均匀沟道MOS辐照正空间电荷迁移率模型 .借助镜像法导出沟道电离杂质与辐照正空间电荷的二维场和二维互作用势的分布 ,由此给出非均匀n沟和p沟的迁移率表示式 ,其解析解与二维仿真值十分吻合 .还借助二维仿真器计算均匀沟道MOS辐... 提出非均匀沟道MOS辐照正空间电荷迁移率模型 .借助镜像法导出沟道电离杂质与辐照正空间电荷的二维场和二维互作用势的分布 ,由此给出非均匀n沟和p沟的迁移率表示式 ,其解析解与二维仿真值十分吻合 .还借助二维仿真器计算均匀沟道MOS辐照正空间电荷迁移率的变化值 ,其值和文献 [2 。 展开更多
关键词 非均匀沟道 mos辐照 正空间电荷迁移率模型 二维互作用势 镜像法 半导体电子学
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