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MOS集成电路ESD保护技术研究 被引量:10
1
作者 王颖 《微电子技术》 2002年第1期24-28,共5页
重点论述了ESD失效模式失效机理和MOS集成电路ESD保护电路
关键词 mos集成电路 ESD保扩技术 失效模式 失效机理
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浅结工艺研究及其在0.5μmCMOS集成电路中的应用
2
作者 余山 章定康 黄敞 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1993年第4期317-320,共4页
采用低能量的砷离子注入和可抑制沟道效应的硅表面预先无定形技术,分别得到了0.13μm N^+/P结和0.17μm P^+/N结,并应用于0.5μm CMOS集成电路的制造。
关键词 离子注入 浅结 mos集成电路 应用
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半绝缘多晶硅在MOS集成电路上的应用
3
作者 王云珍 潘尧令 +1 位作者 刘一彬 宋非迟 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 1989年第6期12-13,共2页
半绝缘多晶硅(SIPOS)是一种掺氧多晶硅,其电阻率一般在10~8~10^(10)Ω·cm范围。在半导体器件中,用它取代SiO_2作钝化膜具有良好的钝化作用。本文主要介绍SIPOS钝化技术在MOS集成电路上的应用。
关键词 mos集成电路 半绝缘多晶硅
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MOS集成电路电过应力损伤模式和机理分析 被引量:2
4
作者 吴建忠 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1994年第2期51-54,共4页
电过应力是造成MOS集成电路损伤的主要原因,本文结合静电放电的三种模型,详细分析了MOS集成电路电过应力的损伤模式和机理。
关键词 电过应力 静电放电 mos集成电路
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估价MOS集成电路工艺和器件设计改进措施的分层结构
5
作者 Charles G. Sodini 肖辉杨 《微电子学》 CAS CSCD 1990年第3期55-64,68,共11页
本文介绍一种把器件和工艺设计参数与具体的电路应用联系起来的分层结构,定出了这种结构所用的功能电路块的完整的清单,给出了这种结构用于重在设计型电路的例子。这些例子中所给出的实验数据显示出器件设计对特殊的电路应用的影响。另... 本文介绍一种把器件和工艺设计参数与具体的电路应用联系起来的分层结构,定出了这种结构所用的功能电路块的完整的清单,给出了这种结构用于重在设计型电路的例子。这些例子中所给出的实验数据显示出器件设计对特殊的电路应用的影响。另外,还给出了重在工艺型电路的实例,证明了工艺改进措施对具体电路应用的影响。这种分层结构以及器件和工艺的数据将有助于电路设计人员正确评价某些器件和工艺改进措施对特殊的电路和系统要求的影响。 展开更多
关键词 mos集成电路 工艺 器件设计 结构
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简介《Analog MOS Integrated Circuits for Signal Processing》(信号处理的模拟MOS集成电路)一书
6
作者 张世演 《电信科学》 1987年第3期36-,共1页
早在六十年代末就有使用开关和电容来构成滤波器的思想,到1977年随着MOS集成技术的发展,开关电容滤波器的研究工作才全面展开。这种由MOS电容、开关和运算放大器组成的网络(SC网络),具有高精度和高密度集成的特点,在国际上引起了广泛的... 早在六十年代末就有使用开关和电容来构成滤波器的思想,到1977年随着MOS集成技术的发展,开关电容滤波器的研究工作才全面展开。这种由MOS电容、开关和运算放大器组成的网络(SC网络),具有高精度和高密度集成的特点,在国际上引起了广泛的重视。目前对开关电容网络的研究已扩展到非滤波方面的应用。我国许多高等院校及研究机构也有不少人从事这方面的研究工作。但有关SC网络的专门书籍目前还不多见。最近由JOHNWILEY & SONS公司出版的《Analog MOS Integrateol Circuits for Signal Processing》 展开更多
关键词 开关电容滤波器 mos集成电路 运算放大器 研究机构 研究工作 电路理论 半导体器件 半导体物理 人民邮电出版社 具体参数
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谈谈MOS集成电路使用中的注意问题
7
作者 程一斌 《南京广播电视大学学报》 1997年第2期77-79,共3页
MOS集成电路由于具有电路简单,功耗低,输出系数大,便于集成等优点,发展十迅速。尤其在大规模和超大规模CMOS集成组件方面,已经越来越多地得到应用。因此,了解MOS电路使用中的注意问题和正确使用方法是非常必要的。
关键词 注意问题 mos集成电路 二极管 保护电路 具有电路简单 大电流 反相器 输入端 使用方法 二氧化硅绝缘层
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1000伏MOS集成电路的工艺和器件设计
8
作者 Yamay.,T 王国平 《江南半导体通讯》 1991年第3期68-71,共4页
关键词 mos集成电路 工艺 器件 设计
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MOS集成电路芯片组装和生产过程中的静电防护
9
作者 张政林 《江南半导体通讯》 1991年第3期35-38,共4页
关键词 mos集成电路 芯片 组装 静电防护
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采用ITLDDFET结构的超大规模CMOS集成电路工艺
10
作者 初桂珍 《微电子技术》 1993年第5期22-27,共6页
关键词 mos集成电路 工艺 VLSI
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MOS集成电路生产过程中防静电的讨论
11
作者 潘广问 《半导体杂志》 1996年第3期48-49,共2页
本文分析了MOS集成电路的静电击穿机理。
关键词 静电击穿 防静电 mos集成电路
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对MOS集成电路失效的分析
12
作者 吴建忠 《电子产品可靠性与环境试验》 1993年第4期9-14,共6页
关键词 mos集成电路 失效分析 集成电路
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MC34151/MC33151/MC34152/MC33152高速双MOSFET驱动器集成电路
13
作者 李宏 《电子质量》 2001年第1期29-31,共3页
本文介绍了MC34151/ MC33151/ MC34152/ MC33152系列双路单片高速MOSFET驱动器,文中不但讨论了该系列MOSFET驱动器的引脚排列、各引脚的名称、功能、用法、主要设计特点和参数限制,而且... 本文介绍了MC34151/ MC33151/ MC34152/ MC33152系列双路单片高速MOSFET驱动器,文中不但讨论了该系列MOSFET驱动器的引脚排列、各引脚的名称、功能、用法、主要设计特点和参数限制,而且剖析了它们的内部结构和工作原理,进而探讨了它们的应用技术。 展开更多
关键词 mosFET驱动器 mos集成电路 场效应晶体管
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1200V功率MOS栅驱动集成电路的设计 被引量:4
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作者 乔明 方健 +4 位作者 李肇基 张波 罗小蓉 李泽宏 杨舰 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2004年第2期138-141,共4页
 文章在国内首次设计并研制出1200V功率MOS栅驱动集成电路。该电路最高偏置电压(Voffset(max))为1200V,最大输出峰值电流为1A,最高工作频率100kHz,温度范围-55~125°C,可同时驱动系统中用于三相图腾柱式输出的高低端功率器件,是S...  文章在国内首次设计并研制出1200V功率MOS栅驱动集成电路。该电路最高偏置电压(Voffset(max))为1200V,最大输出峰值电流为1A,最高工作频率100kHz,温度范围-55~125°C,可同时驱动系统中用于三相图腾柱式输出的高低端功率器件,是SPIC的一种典型电路。 展开更多
关键词 高低端功率器件 智能功率集成电路 功率mos栅驱动集成电路 LDmos 脉冲宽度 滤波宽度
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膜混合集成电路、MOS集成电路
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《电子科技文摘》 2002年第6期40-41,共2页
Y2002-63059-227 0210700综合双阈值CMOS电路的高阈值电压优化分配=Op-timal assignment of high threshold voltage for synthesiz-ing dual threshold CMOS circuits〔会,英〕/Tripathi,N.& Bhosle.A.//2001 IEEE the 14th Intern... Y2002-63059-227 0210700综合双阈值CMOS电路的高阈值电压优化分配=Op-timal assignment of high threshold voltage for synthesiz-ing dual threshold CMOS circuits〔会,英〕/Tripathi,N.& Bhosle.A.//2001 IEEE the 14th International Con-ference on VLSI Design.-227~232(E) 展开更多
关键词 混合集成电路 mos集成电路 阈值电压 ASSIGNMENT circuits 引脚排列 双阈值 厚膜 电压优化 短路保护
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膜混合集成电路、MOS集成电路
16
《电子科技文摘》 2003年第1期22-23,共2页
0300329一种 CMOS 过热保护电路[刊]/游轶雄//上海大学学报(自然科学版).—2002,8(4).—293~296(c)提出了一种用于集成电路内部的过热保护电路。采用0.6μmn 阱互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺的 spectre 仿真结果表明,此电路对因电源... 0300329一种 CMOS 过热保护电路[刊]/游轶雄//上海大学学报(自然科学版).—2002,8(4).—293~296(c)提出了一种用于集成电路内部的过热保护电路。采用0.6μmn 阱互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺的 spectre 仿真结果表明,此电路对因电源电压、工艺参数变化而引起的过热保护阈值点漂移有很强的抑制能力。通过引入反馈的方法解决了过热保护电路中热振荡带来的危害。 展开更多
关键词 混合集成电路 mos集成电路 过热保护 电源电压 保护电路 工艺参数 仿真结果 电荷泵电路 读出电路 热振
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膜混合集成电路、MOS集成电路
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《电子科技文摘》 2002年第11期24-24,共1页
Y2002-63120-237 0217363MOS 全模拟增强神经网络芯片=MOS fully analog re-inforcement neural network chip[会,英]/Al-Nsour,M.&Abdel-Aty-Zohdy,H.S.//The IEEE InternationalSymposium on Circuits and Systems Vol.3 of 5.—... Y2002-63120-237 0217363MOS 全模拟增强神经网络芯片=MOS fully analog re-inforcement neural network chip[会,英]/Al-Nsour,M.&Abdel-Aty-Zohdy,H.S.//The IEEE InternationalSymposium on Circuits and Systems Vol.3 of 5.—237~240(HE) 展开更多
关键词 混合集成电路 mos集成电路 开关电流 带通 tuning 寄生效应 可测试性设计 传送器 固体电子学 故障特性
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膜混合集成电路、MOS集成电路
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《电子科技文摘》 2002年第10期19-20,共2页
Y2002-63121-594 0219677深亚微米 CMOS 的备用能量降低技术的有效性=Ef-fectivity of standby-energy reduction techniques for deepsub-miron CMOS[会,英]/Van der Meer.P.R.& vanStaveren.A.//The IEEE International Symposium... Y2002-63121-594 0219677深亚微米 CMOS 的备用能量降低技术的有效性=Ef-fectivity of standby-energy reduction techniques for deepsub-miron CMOS[会,英]/Van der Meer.P.R.& vanStaveren.A.//The IEEE International Symposium onCircuits and Systems Vol.4 of 5.—594~597(HE)Y2002-63121-758 0219678应用多层多晶硅二极管的接通有效功率轨迹静电放电钳位电路设计=Design on the turn-on efficient power-rail ESD damp circuit with stacked polysilicon diodes[会,英]/ker,M..D.& Chen,T.-Y.//The 展开更多
关键词 混合集成电路 mos集成电路 硅二极管 静电放电 深亚微米 钳位 电路设计 数模混合电路 Pmos 频率合成器
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膜混合集成电路、MOS集成电路
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《电子科技文摘》 2003年第8期23-24,共2页
Y2002-63377-270 0316879射频集成电路设计面临的挑战及计算机辅助设计方案=CAD solutions and outstanding challenges for mixedsignal and RF IC design〔会,英〕/Leenaerts, D. & Gielen,G. //2001 IEEE/ACM International Conf... Y2002-63377-270 0316879射频集成电路设计面临的挑战及计算机辅助设计方案=CAD solutions and outstanding challenges for mixedsignal and RF IC design〔会,英〕/Leenaerts, D. & Gielen,G. //2001 IEEE/ACM International Conference onComputer Aided Design, Digest. -270~277(E)Y2002-63392-73 0318880I/O电路及核电路的芯片电容特性=Characterizationof on-chip capacitance effects for I/O circuits and corecircuits〔会,英〕/Sudo, T. & Nakano, K. //2001 展开更多
关键词 混合集成电路 mos集成电路 射频集成电路 电容特性 计算机辅助设计 capacitance 基准电压源 DIGEST circuits 温度系数
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膜混合集成电路、MOS集成电路
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《电子科技文摘》 2002年第7期29-30,共2页
Y2002-63079-97 0212756优质模拟 CMOS 与混合信号 LSI 设计=High qualityanalog CMOS and mixed signal LSI design[会,英]/Mat-suzawa,A.//Proceedings of the 2001 IEEE 2nd Inter-national Symposium on Quility Electronic Design(... Y2002-63079-97 0212756优质模拟 CMOS 与混合信号 LSI 设计=High qualityanalog CMOS and mixed signal LSI design[会,英]/Mat-suzawa,A.//Proceedings of the 2001 IEEE 2nd Inter-national Symposium on Quility Electronic Design(IEEEISQED 2001).—97~104(PE) 展开更多
关键词 混合集成电路 mos集成电路 可测性设计 内建自测试 低电源电压 Proceedings 模数转换器 逻辑电路 固体电子学 programmable
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