MOSFET在半导体致冷技术中的应用

针对半导体致冷技术中GTO电流换向器存在的问题,提出了利用MOSEFT实现的H型功率开关电流换向器方案,并给出了具体的电路图。

MOSFET缓冲保护电路的改进型设计

低电压大电流逆变电路的缓冲保护电路的设计非常重要。本设计是在传统的RCD放电阻止型吸收电路的基础上加以改进,提高传统RCD缓冲保护电路的过电压吸收能力,改进后的电路结构简单且有很高的通用性。本设计结合动力逆变电路具体情况,设计出高效、简单及可靠的过电压防护电路,通过实验验证改进型RCD缓冲电路大幅度减小浪涌电压符合设计需要。

基于LPC2131的大功率直流电机驱动系统设计

直流电机驱动技术的发展从未止步,电力电子技术、计算机技术、智能控制理论的发展更为直流电机驱动技术的发展奠定了良好的基础。本文阐述以LPC2131为控制核心,基于PID控制算法,利用大功率MOSEFT为驱动元件,采取光电隔离控制和驱动电路的方式设计的一种电机驱动系统。设计的驱动器具有调试方便、应用广泛、运行稳定、驱动能力强等特点。

基于物理α指数MOSFET模型的SRAM存储体单元优化

存储体单元是静态随机存储器(SRAM)最基本、最重要的组成部分,它在改善系统性能、提高芯片可靠性、降低成本与功耗等方面都起到了积极的作用。该文采用物理α指数MOSFET模型建立了与SRAM存储体单元相关的功耗,延迟的性能模型,并结合存储体单元面积模型以及可靠性分析,提出了一种存储体单元结构优化方法。实验结果表明采用此优化方法得出的存储体单元结构降低了功耗,访问时间以及面积,与仿真结果相比误差小于10%,实验仿真结果证明了性能模型和优化方法的有效性和正确性。

对ACAR-GHAUSI连续时间积分器结构的改进

本文提出增加一个匹配 MOS 管作为 Acar-Ghausi 连续时间积分器结构的改进。结果得到偶次和奇次非线性失真的全部补偿,其传输函数与阈电压 V_T 无关,减小了温度和本体影响。

MOSFET输入电容对功放驱动电路的影响

由于MOSFET栅源极和栅漏极间存在着寄生电容,也即Cgs和Crss(统称为输入电容Ciss),而且呈现非线性特性,它的存在在高频时会影响到功率放大器的驱动电路的性能。因此,文中构建了包含输入电容的功率放大器的电路模型,并以ARF461A射频功率MOSFET为例,分析了输入电容Ciss对射频功率放大电路的驱动电路设计的影响。实验结果和理论分析保持了很好的一致性。理论分析和实验均表明,在射频MOSFET功率放大器的设计中,充分考虑输入电容Ciss的影响,可以提高驱动电路的驱动能力和放大器的性能。