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Modeling and Parameter Extraction of VDMOSFET
1
作者 赖柯吉 张莉 田立林 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第3期251-256,共6页
A sub circuit model for VDMOS is built according to its physical structure.Parameters and formulas describing the device are also derived from this model.Comparing to former results,this model avoids too many technic... A sub circuit model for VDMOS is built according to its physical structure.Parameters and formulas describing the device are also derived from this model.Comparing to former results,this model avoids too many technical parameters and simplify the sub circuit efficiently.As a result of numeric computation,this simple model with clear physical conception demonstrates excellent agreements between measured and modeled response (DC error within 5%,AC error within 10%).Such a model is now available for circuit simulation and parameter extraction. 展开更多
关键词 vertical double diffused mosfet parameter extraction sub circuit model JFET effect
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基于GaAs STATZ模型的RF MOSFET DC建模技术 被引量:2
2
作者 程加力 韩波 +2 位作者 李寿林 翟国华 高建军 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第8期591-594,603,共5页
STATZ模型是表征GaAsMESFET特性的常用模型,具有表达式简洁、参数少的优点。通过尝试将STATZ模型用于表征射频MOSFET的直流特性,提取并在ADS软件中优化了STATZ直流模型的参数。为了提高仿真精度,模型必须考虑晶体管漏极与源极的寄生电阻... STATZ模型是表征GaAsMESFET特性的常用模型,具有表达式简洁、参数少的优点。通过尝试将STATZ模型用于表征射频MOSFET的直流特性,提取并在ADS软件中优化了STATZ直流模型的参数。为了提高仿真精度,模型必须考虑晶体管漏极与源极的寄生电阻,根据MOSFET处于强反型区且漏-源电压为零时的等效电路模型提取了晶体管的漏极和源极的寄生电阻。在ADS软件中利用STATZ模型对MOSFET的直流特性进行了仿真,测量的MOSFET直流曲线与仿真曲线一致性很好,验证了模型的良好的精确度,证明了GaAs STATZ模型可以用于表征射频MOSFET的直流特性。晶体管采用中芯国际的0.13μm RF CMOS工艺制作。 展开更多
关键词 等效电路模型 参数提取 射频mosfet GAAS STATZ模型 直流模型
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基于MESFET非线性模型的MOSFET DC建模技术 被引量:5
3
作者 孟茜倩 程加力 高建军 《电子器件》 CAS 北大核心 2012年第3期263-266,共4页
常用的MOSFET模型模型参数多且复杂,在保证精确度的基础上应尽量简化模型。尝试采用目前比较成熟通用的MESFET非线性等效电路经验模型表征射频MOSFET的直流特性。进行模型参数提取,从模型对MOSFET的DC仿真与测量曲线数据的对比结果,以... 常用的MOSFET模型模型参数多且复杂,在保证精确度的基础上应尽量简化模型。尝试采用目前比较成熟通用的MESFET非线性等效电路经验模型表征射频MOSFET的直流特性。进行模型参数提取,从模型对MOSFET的DC仿真与测量曲线数据的对比结果,以及采用这6个模型仿真MOSFET直流特性时的RMS误差结果来看,这6个常用的MESFET非线性模型可以表征MOSFET的直流特性,参数越多模型精度越高。 展开更多
关键词 CMOS器件 mosfet模型 参数提取与模型仿真 MESFET模型 直流模型
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MOSFET模型&参数提取 被引量:8
4
作者 李庆华 韩郑生 海潮和 《微电子技术》 2003年第4期23-28,38,共7页
器件模型及参数作为工艺和设计之间的接口 ,对保证集成电路设计的投片成功具有决定意义。本文介绍了电路模拟中常用的几种MOSFET模型 ,并着重探讨了使用自动参数提取软件提取一套准确的模型参数的具体工作步骤。
关键词 MOSFEX BSIM 模型 参数提取
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基于Statz模型的射频MOSFET非线性电容建模 被引量:1
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作者 薛佳男 刘逸哲 高建军 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第5期362-367,373,共7页
研究了Statz模型对于表征射频(RF)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件特性的适用情况,并提出了一个MOSFET非线性电容改进模型。对英飞凌公司生产的规格为4×0.6μm×18(栅指数×栅宽×元胞数)、栅长为90 nm的MOS... 研究了Statz模型对于表征射频(RF)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件特性的适用情况,并提出了一个MOSFET非线性电容改进模型。对英飞凌公司生产的规格为4×0.6μm×18(栅指数×栅宽×元胞数)、栅长为90 nm的MOSFET进行S参数实验测量。经过去嵌剥离所有寄生元件后,在多个偏置条件下分别使用小信号等效电路模型提取出MOSFET非线性栅源电容C_(gs)和栅漏电容C_(gd)的数据;对比了传统Statz模型以及改进模型的仿真结果与实验测量数据的相对误差。仿真结果和误差分析表明改进模型与实验测量数据吻合很好,在大部分工作范围内误差控制在5%以下,证明改进模型适用于表征MOSFET的非线性电容特性。 展开更多
关键词 等效电路 参数提取 非线性电容 射频mosfet Statz模型
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MOSFET衬底电流模型及参数提取
6
作者 刘永强 于奇 +2 位作者 刘玉奎 李竞春 陈勇 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 1999年第3期174-177,共4页
在短沟道MOSFET器件物理的基础上,导出了其衬底电流解析模型,并通过实验进行了模型参数提取。模型输出与短沟MOSFET实测结果比较接近,可应用于VLSI/ULSI可靠性模拟与监测研究和亚微米CMOS电路设计。
关键词 mosfet 半导体器件 衬底电流模型 参数提取
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射频MOSFET噪声模型研究
7
作者 黄亚森 王倩 +1 位作者 袁成 高建军 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2008年第4期511-515,共5页
对0.13μm MOSFET噪声建模和参数提取技术进行了研究,在精确地提取了小信号模型参数之后,利用噪声相关矩阵技术从测量的散射参数和射频噪声参数直接提取了栅极感应噪声电流■、沟道噪声电流■和它们的相关系数,并用PRC模型中的参数来表... 对0.13μm MOSFET噪声建模和参数提取技术进行了研究,在精确地提取了小信号模型参数之后,利用噪声相关矩阵技术从测量的散射参数和射频噪声参数直接提取了栅极感应噪声电流■、沟道噪声电流■和它们的相关系数,并用PRC模型中的参数来表示。将参数提取结果带入ADS中进行仿真,在2~8GHz频段上仿真结果与测量数据吻合良好。 展开更多
关键词 金属氧化物半导体场效应晶体管 噪声模型 参数提取
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一种新型的SOI MOSFET衬底模型提取方法
8
作者 周文勇 刘军 汪洁 《电子器件》 CAS 北大核心 2016年第6期1302-1308,共7页
衬底寄生网络建模和参数提取,对RF SOI MOSFET器件输出特性的模拟有着非常重要的影响。考虑BOX层引入的体区和Si衬底隔离,将源、体和衬底短接接地,测试栅、漏二端口S参数的传统测试结构,无法准确区分衬底网络影响。提出一种改进的测试结... 衬底寄生网络建模和参数提取,对RF SOI MOSFET器件输出特性的模拟有着非常重要的影响。考虑BOX层引入的体区和Si衬底隔离,将源、体和衬底短接接地,测试栅、漏二端口S参数的传统测试结构,无法准确区分衬底网络影响。提出一种改进的测试结构,通过把SOI MOSFET的漏和源短接为信号输出端、栅为信号输入端,测试栅、漏/源短接二端口S参数的方法,把衬底寄生在二端口S参数中直接体现出来,并开发出一种解析提取衬底网络模型参数的方法,支持SOI MOSFET衬底网络模型的精确建立。采用该方法对一组不同栅指数目的SOI MOSFET进行建模,测量和模型仿真所得S参数在20 GHz频段范围内得到很好吻合。 展开更多
关键词 RF SOI mosfet 衬底模型 测试结构 参数提取
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精确的短沟MOSFET电路模型及参数提取
9
作者 王晓晖 汤庭鳌 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1996年第4期352-359,共8页
给出一套具有较高精度且同时适用于数字电路和模拟电路CAD的短沟MOS器件直流模型。该模型精确、高效,可移植到HSPICE等通用线路分析软件中。结合解析和数值两种参数提取方法,文中采用局部优化参数提取法进行MOS器件参... 给出一套具有较高精度且同时适用于数字电路和模拟电路CAD的短沟MOS器件直流模型。该模型精确、高效,可移植到HSPICE等通用线路分析软件中。结合解析和数值两种参数提取方法,文中采用局部优化参数提取法进行MOS器件参数提取。优化算法采用单纯形直接搜索法。参数提取过程中考虑了输出电导的精确性。通过对1.2μmCMOS工艺NMOS器件的测试及参数提取,并进行模型计算,结果表明理论和实际值符合很好。 展开更多
关键词 mosfet模型 短沟 MOS 场效应晶体管
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一种改进的深亚微米MOSFET噪声模型
10
作者 钭飒飒 高建军 《电子科技》 2015年第5期57-59,共3页
提出一种基于小信号的噪声模型,在精确提取0.13μm MOSFET的小信号参数后,结合Pospieszalsik和pucel模型,运用噪声相关矩阵转换技术提取出所有噪声参数。利用ADS建立噪声模型,在2-20 GHz频率范围内,仿真结果与测量结果吻合良好,验证了... 提出一种基于小信号的噪声模型,在精确提取0.13μm MOSFET的小信号参数后,结合Pospieszalsik和pucel模型,运用噪声相关矩阵转换技术提取出所有噪声参数。利用ADS建立噪声模型,在2-20 GHz频率范围内,仿真结果与测量结果吻合良好,验证了模型的准确性。 展开更多
关键词 mosfet 小信号模型 参数提取 噪声模型
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一种直接提取噪声温度参数的方法 被引量:1
11
作者 廖怀林 黄如 +1 位作者 张兴 王阳元 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第8期1126-1128,共3页
本文基于二端口网络噪声理论和噪声关联矩阵给出了一种可以用于MOSFET′s的噪声温度参数 (Td ,Tg)的直接提取方法 .该方法给出了噪声温度参数的显式表达式因而简洁易用 ,并从噪声温度参数的显式表达式分析了影响噪声温度提取精度的主要... 本文基于二端口网络噪声理论和噪声关联矩阵给出了一种可以用于MOSFET′s的噪声温度参数 (Td ,Tg)的直接提取方法 .该方法给出了噪声温度参数的显式表达式因而简洁易用 ,并从噪声温度参数的显式表达式分析了影响噪声温度提取精度的主要因素 .同时由于此方法在参数提取时不依赖于源端阻抗的选择 ,理论上有助于提高参数提取的精度 .本文方法得到的噪声温度参数和其他方法得到的结果有很好的一致性 . 展开更多
关键词 mosfet's 噪声温度参数 参数提取 场效应晶体管
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基于自动微分技术的器件模型参数提取算法
12
作者 程彬杰 邵志标 +2 位作者 王莉萍 于忠 唐天同 《固体电子学研究与进展》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期8-13,共6页
自动微分 (AD)技术以非标准分析为理论基础 ,是计算机数值计算领域中的一种很有前途的方法。文中提出了基于 AD技术的器件模型参数提取算法 ,在 Visual C+ +平台编制了模型参数提取程序 ,对所建立的基于表面势的 MOSFET模型进行了有约... 自动微分 (AD)技术以非标准分析为理论基础 ,是计算机数值计算领域中的一种很有前途的方法。文中提出了基于 AD技术的器件模型参数提取算法 ,在 Visual C+ +平台编制了模型参数提取程序 ,对所建立的基于表面势的 MOSFET模型进行了有约束条件的参数提取。结果表明 ,算法收敛快、稳定性好。 展开更多
关键词 自动微分 参数提取 金属-氧化物-半导体场效应晶体管模型 半导体器件模型 集成电路
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改进的RF-LDMOS小信号模型参数提取方法 被引量:1
13
作者 王帅 李科 +4 位作者 陈蕾 姜一波 龚鸿雁 杜寰 韩郑生 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第2期159-163,共5页
准确地提取RF-LDMOS小信号模型参数对LDMOS大信号模型建模十分重要,而且好的小信号模型能很好地反映微波器件的性能。针对LDMOS提出了一种改进的小信号模型参数提取方法,此方法增加了测试结构的建模和参数提取,极大地方便了S参数曲线的... 准确地提取RF-LDMOS小信号模型参数对LDMOS大信号模型建模十分重要,而且好的小信号模型能很好地反映微波器件的性能。针对LDMOS提出了一种改进的小信号模型参数提取方法,此方法增加了测试结构的建模和参数提取,极大地方便了S参数曲线的拟合,而且对于测试版图的研究有一定的指导意义。由此方法提取的小信号模型与实验测试数据在0.1~8 GHz拟合的很好,并且准确地预测了器件的特征频率。该模型和方法能够很好的适用于LDMOS的L,S波段小信号建模和参数提取。 展开更多
关键词 LDMOS 小信号模型 去嵌入 参数提取 曲线拟合
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毫米波MOS场效应晶体管的建模
14
作者 祝远渊 王文骐 夏立诚 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2007年第2期151-154,共4页
提出了针对毫米波CMOS应用的nMOS场效应晶体管的建模方法。对采用0.18μm标准CMOS工艺的nMOS场效应管进行了版图的优化设计,并提出和分析了基于标准BSIM3V3模型卡的nMOS场效应管的等效电路模型。通过仿真,直接从MOS场效应管的物理版图... 提出了针对毫米波CMOS应用的nMOS场效应晶体管的建模方法。对采用0.18μm标准CMOS工艺的nMOS场效应管进行了版图的优化设计,并提出和分析了基于标准BSIM3V3模型卡的nMOS场效应管的等效电路模型。通过仿真,直接从MOS场效应管的物理版图中提取出各个寄生元件的值,使该模型能预测nMOS管从100 MHz到40 GHz频率范围内的高频性能。 展开更多
关键词 毫米波CMOS 建模 MOS场效应晶体管 参数提取 BSIM3
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基于BSIM3V3的部分耗尽SOIMOSFET解析模型(英文)
15
作者 李瑞贞 韩郑生 《功能材料与器件学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期67-70,共4页
提出了部分耗尽SOIMOSFET物理模型,SOIMOSFET可以看作体硅MOSFET和双极晶体管的结合,模型通过详细地分析SOI器件在各工作区域的工作机理得出,并提取出了相应的模型参数。用本模型得出的模拟数据与器件模拟数据进行了对比,取得了很好的... 提出了部分耗尽SOIMOSFET物理模型,SOIMOSFET可以看作体硅MOSFET和双极晶体管的结合,模型通过详细地分析SOI器件在各工作区域的工作机理得出,并提取出了相应的模型参数。用本模型得出的模拟数据与器件模拟数据进行了对比,取得了很好的一致性。 展开更多
关键词 SOI mosfet 物理模型 参数提取
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