基于MOSFET PDE模型的射频电路周期稳态分析

研究了基于 MOSFET PDE模型的射频电路周期稳态分析有效算法 :通过恰当的系统解耦、松弛迭代和边值问题求解等方法避免了复杂的 PDE周期稳态分析 ,较好地解决了基于 MOSFET PDE模型的射频电路周期稳态分析的计算效率问题。采用该算法仿真典型的 C类功率放大器得到电流波形和工业界公认标准器件仿真器 MEDICI瞬态模拟得到电流波形比较 ,显示出很好的一致性。

基于MOSFET PDE模型的射频自治电路周期稳态算法研究

本文研究了基于MOSFETPDE模型的射频自治电路周期稳态求解算法 .采用该算法仿真典型的Colpitts振荡器电路 。

基于MOSFET PDE模型的射频电路仿真算法研究

研究了基于 MOSFET偏微分方程 (PDE)模型的电路仿真算法 ,并提出一种求解 PDE的快速算法。当MOSFET PDE模型用于射频 (RF)电路仿真时 ,系统方程为一个耦合系统 ,包括偏微分方程 (PDE)、常微分方程(ODE)和代数方程 (AE)。采用一套迭代算法来求解该耦合系统。将上述的模型和算法用于一个压控振荡器(VCO)的瞬态特性仿真 ,模拟结果与理论分析相符。

MOSFET的大信号动态集总模型及射频电路模拟

针对 RF电路模拟的需要 ,在文中提出了一个基于表面势的 MOSFET大信号动态集总模型。这个模型是由 MOSFET的 PDE模型简化推导而来。它不仅比传统的模型能更精确地描述晶体管在高频大信号情况下的伏 -安特性 ,而且比 PDE模型易于求解 ,从而大大提高了电路模拟的速度。通过模拟几个具体的 RF电路 ,将这个模型与 PDE模型作了比较 ,结果表明两者吻合得很好。