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深亚微米器件玻耳兹曼传输方程的实用解析模型
1
作者
童建农
邹雪城
沈绪榜
《计算机与数字工程》
2004年第5期4-7,共4页
深亚微米MOSFET须应用玻耳兹曼传输模型。本文建立了一个基于物理假定的解析解模型,其特点是可以加入经典模型BSIM3v3,并通过模拟程序CMOSIS进行了模拟验证。
关键词
mosfet
玻耳兹曼传输方程
速度过冲效应
bsi
m3
模型
下载PDF
职称材料
题名
深亚微米器件玻耳兹曼传输方程的实用解析模型
1
作者
童建农
邹雪城
沈绪榜
机构
华中科技大学IC设计中心
出处
《计算机与数字工程》
2004年第5期4-7,共4页
文摘
深亚微米MOSFET须应用玻耳兹曼传输模型。本文建立了一个基于物理假定的解析解模型,其特点是可以加入经典模型BSIM3v3,并通过模拟程序CMOSIS进行了模拟验证。
关键词
mosfet
玻耳兹曼传输方程
速度过冲效应
bsi
m3
模型
Keywords
mosfet
,
boltzmann equation
,
velocity overshoot
,
bsi m3
分类号
TN403 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
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作者
出处
发文年
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1
深亚微米器件玻耳兹曼传输方程的实用解析模型
童建农
邹雪城
沈绪榜
《计算机与数字工程》
2004
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