使用功率MOSFET封装技术解决计算应用的高功耗问题

对于主板设计师来说，要设计处理器电压调节模块（VRM）来满足计算机处理器永无止境的功率需求实在是个大挑战。Pentium4处理器要求VRM提供的电流提高了约3倍。英特尔将其VRM指标从8．4版本升级到9．0版本，涵盖了新的功率要求，以继续追随摩尔（Moore）定律。

车用高可靠性功率器件封装及辅助技术专辑主编述评

车用功率器件封装研究的进展极大提升了电动汽车的动力性能和续航能力,使得电动汽车更加高效、可靠。随着车用功率器件封装的不断优化,电动汽车行业有望迎来更广阔的市场前景和发展空间。近年来,功率器件封装建模、封装设计与优化、热管理与结温监测、器件驱动与应用、可靠性分析、在线监测等成为研究热点,并受到了学术界及工业界的持续关注。《电源学报》特别推出“车用高可靠性功率器件封装及辅助技术”专辑,以期推进车用功率器件及其应用难点和热点问题的探讨。

三维集成电子封装中TGV技术及其器件应用进展

在三维(3D)集成电路中,层间电路封装及其互联互通主要依赖于垂直通孔结构,这是其突破传统二维集成电路布局的核心与关键。近年来,玻璃通孔(TGV)技术由于具备低成本、高性能、易于加工和应用前景广阔等优点,日益引起了科研人员和电子厂商们的关注与重视。首先综述了TGV技术的性能优势、工艺特点、制备方法及关键技术。在此基础上,总结了TGV技术在三维集成无源器件(IPD)、集成天线封装、微机电系统(MEMS)封装以及多芯片模块封装等多个三维集成电子封装领域中的应用进展。基于此,进一步展望了TGV技术在未来三维集成电子封装中的发展方向与应用前景。

车规级功率器件的封装关键技术及封装可靠性研究进展

半导体技术的进步推动了车规级功率器件封装技术的不断发展和完善,然而车规级功率器件应用工况十分复杂,面临高度多样化的热循环挑战,对其可靠性提出了更高的要求。因此,在设计、制造和验证阶段都必须执行更为严格的高功能安全标准。综述了车规级功率器件的封装关键技术和封装可靠性研究进展,通过系统地归纳适应市场发展需求的车规级功率器件封装结构,总结了封装设计关键技术和先进手段,同时概述了封装可靠性研究面临的挑战。深入探讨了车规级功率器件封装设计和封装可靠性的重要问题,在此基础上,借鉴总结已有的研究成果,提出了可行的解决方案。

高密度混合电路封装技术发展趋势及可靠性评价方法研究

电子产品向小型化、智能化方向演进已是必然的发展趋势,高密度集成电路封装技术是实现产品小型化的关键技术。本文对高密度混合集成电路封装技术进行了深入研究,从基板选择、结构设计和散热设计等方面对高密度混合集成电路的封装设计进行了论述。在此基础上,结合国外非气密性混合集成电路保证要求,文章进一步研究了高密度非气密混合集成电路的可靠性评价方法,并通过应用实例说明了评价方法的有效性,可作为国产化非气密性集成电路质量保证体系建设的参考。

深低温工作甚长波面阵红外探测器封装技术

基于甚长波红外探测器对低于液氮温度工作环境的需求,提出了一种深低温工作甚长波红外探测器封装技术。通过对杜瓦组件漏热和芯片电学引出结构的优化设计,可控制芯片在30 K低温工作时整个杜瓦组件的静态热耗为0.65 W,最冷端位置的静态热耗为0.3 W,与之适配的两级脉管制冷机冷量可以满足上述热耗需求。完成了探测器组件的封装测试。结果表明,在制冷机膨胀机热端空气冷却测试条件下,探测器芯片部分可达到35 K的温度;杜瓦的外轮廓小于Φ130 mm×180 mm。该项技术成果促进了深低温工作的甚长波面阵红外探测器封装技术的发展。

基于新工科和OBE理念的电子封装技术实验课程教学改革探析

面对国家制造强国战略对人才的迫切需求,以及新时期对人才培养提出的更高要求,笔者通过对新工科、OBE理念的学习,以桂林电子科技大学电子封装技术实验课程为例,分析了电子封装技术实验教学中存在的问题,主要体现在学生学习目标不够明确、教学内容创新性不强、教学模式单一、考核与评价方式单一等方面。基于以学生为主体,从完善实验教学目标、完善实验教学内容、探索新的实验教学方法、完善考核评定机制等方面,提出了基于新工科和OBE理念的电子封装技术实验课程改革的思路和措施,旨在提高学生自主学习、解决实际问题以及探索创新的工程实践能力,实现实验课程目标的达成。探索实践表明,该改革极大激发了学生的学习积极性,改善了传统课堂中学生被动做实验的情况,逐步培养了本专业学生的创新思维能力、工程意识,一定程度上提高了学生的自主学习能力、解决实际问题能力及探索创新工程实践能力,推进了电子封装技术实验教学的创新发展,提升了实验教学质量与效果。

SOP8功率MOSFET结壳热阻与封装可靠性研究

为研究SOP8双MOS芯片结壳热阻与封装可靠性,建立了封装芯片模型。运用有限元软件通过构建热-结构模块仿真了在EME-E115与CEL-1702HF两种塑封材料下的芯片结壳热阻情况,分析了热量在封装芯片内部的主要传递路径。对比分析了两种塑封仿真下塑封料外壳体、MOSFET、引线框架的变形与应力情况,研究了粘接层厚度变化对MOSFET最大等效应力的影响。研究结果表明,在SOP8双MOS芯片的内部,热量主要是沿着引线框架基板向塑封料底部进行传递。粘接焊料增厚50μm,MOSFET结温增幅未超过0.1℃,结温点到塑封料底面中心的热阻升高约1.3℃·W^(-1)。相比于EME-E115塑封料,使用CEL-1702HF塑封料进行封装仿真时,可使功率MOSFET的结壳热阻降低约20%,且芯片封装体在变形、应力方面均具有明显优势。增大粘接焊料的厚度可以有效减小MOSFET的应力。EME-E115与CEL-1702HF塑封下的MOSFEF最大等效应力在粘接焊料厚度分别超过40μm和50μm后均出现了返升的仿真结果。

MOSFET无损封装技术研究

本文主要介绍功率MOSFET器件无损封装的研究。通过对封装过程中可能存在的一些易损伤环节进行了分析,同时根据测试发现不良样品的信息进行了反推解析,确定关键技术攻关问题点。该研究主要通过对MOSFET封装关键制程(划片、上芯、焊线三个环节)的工艺改善及优化,特别是创新的焊线定位装置设计,形成一套新颖有效的工艺流程,提升了MOSFET产品的测试良率。

某航天产品整体封装技术研究

某航天产品在发射瞬间的加速度高达18000g~22000g,冲击载荷较大。如何在结构强度满足要求的条件下,保证舱内设备在高过载环境下的可靠性成为一个迫切需要解决的问题。本文根据产品的结构特点,采用整体封装技术提高产品整体抗高过载能力。通过相关试验,确定了一套封装效率高、封装效果稳定的整体封装工艺方案。

食品封装机器人生产线协同作业技术的优化策略

随着食品行业的不断发展,食品封装机器人生产线在食品加工中起着重要的作用。为了提高生产线的效率和灵活性,协同作业技术被广泛应用于食品封装机器人生产线。本文对食品封装机器人生产线的协同作业技术进行了分析研究,包括任务分配、路径规划、协同控制等方面。同时,对协同作业技术的优化策略进行了总结和评估,并展望了未来的发展趋势。

微生物封装技术在废水脱氮工艺中的研究进展

在废水处理中,传统生物脱氮工艺主要依赖于活性污泥,为控制和优化其种群规模、保证活性。将微生物封装在可渗透基质中可防止细胞的冲洗,保留特定微生物群体,以提高生物脱氮过程的效率和稳定性。目前,该封装技术已发展成熟,在废水处理条件下,通过对不同封装材料的稳定性、渗透性和可持续性中关键微生物的动力学和化学计量参数进行比较发现,氨氧化古生菌、氨氧化菌、异养硝化菌和厌氧氨氧化菌等微生物组均具有较好的封装应用潜力;并对生物脱氮封装技术的研究进行汇总和展望,该理论成果也可扩展到其他涉及微生物固定的处理过程。

微电子制造与封装技术的发展研究

本文主要研究微电子制造与封装技术的发展演进,并对其未来发展趋势进行展望。研究首先从微电子制造技术中硅基微电子制造技术、Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体制造技术、柔性电子制造技术入手对各类技术的基本情况和发展进行阐述,其次从表面封装技术到三维封装技术对微电子封装技术的演进进行揭示,最后展望微电子制造与封装技术的发展趋势,对新一代工艺技术以及智能化制造与自动化的发展方向进行阐述。本研究不仅对微电子行业的发展具有重要的理论价值,也为相关企业的技术创新和产业发展提供实践指导。

扇出型晶圆级封装专利技术现状

随着半导体技术逐渐密度化和高集成度化,半导体先进制造工艺逐步趋于极限,芯片信号的传输量与日俱增,引脚数逐渐增加,封装行业逐渐由传统的双列直插式封装、小外形封装、引脚阵列封装逐渐走向焊球阵列封装、芯片尺寸封装、倒装、晶圆级封装、三维封装等封装形式。

“高可靠陶瓷封装技术”专题组稿专家

高岭研究员,中电国基北方副总经理,1995年毕业于武汉理工大学,获得自动控制专业学士学位,主持和参与了多项国家课题,申请多项专利,在不同刊物发表学术论文10余篇,参与翻译《微电子封装手册》和《陶瓷多层布线基板-VLSI封装/多芯片组件基板技术》等书籍,《电子与封装》编委,获得省部级科学技术进步奖10余项。

高频封装基材关键专利技术现状

在国家加快发展电子元器件和5G产业的背景下,我国封装材料产业迅速发展,封装基板材料的技术水平也从中低端逐渐向高端发展,在技术发展中,高频类型的封装基材成为研发的主流方向。为了更好地满足高频信号传输的要求,高频封装基材需要具有低介电和低损耗两个特性。

应用于IBC光伏组件的无主栅技术及封装材料研究

简述无主栅技术及其发展趋势,详细介绍了应用于叉指背接触(IBC)太阳电池的无主栅覆膜技术及无主栅焊接点胶技术的工艺流程,重点研究覆膜工艺应用于无主栅IBC光伏组件封装材料的匹配问题,提出了目前无主栅技术原材料的匹配方案及封装工艺的改进方法,并对分别采用常规工艺与改进工艺的无主栅IBC光伏组件在相同热循环(TC)老化试验后的电致发光(EL)图像进行了对比分析。研究结果表明:改进工艺优化了常规覆膜工艺的材料匹配,改善了应用双层复合膜工艺时铜丝与太阳电池副栅出现的接触不良的问题。同时,采用单层复合膜工艺避免了热压引起的IBC太阳电池弯曲和焊接不良的问题。研究结果可为无主栅IBC光伏组件封装技术的发展提供指导。

有机封装基板的芯片埋置技术研究进展

有机封装基板为IC提供支持、保护和电互联,是IC封装最关键的材料之一。系统级、微型化和低成本是IC封装的趋势,将有源、无源元件埋入封装基板,可以充分利用基板内部空间,释放更多表面空间,是减小系统封装体积的重要途径,因此有机封装基板的芯片埋置技术发展迅速。主要介绍有机封装基板的埋置技术发展过程,归纳了有机基板芯片埋置工艺路线类型,着重介绍了近十年不同的芯片埋置技术方案及其应用领域。在此基础上,对有机封装基板的埋置技术研究前景进行了展望。

漫话半导体先进封装技术中的新网版印刷(三)

介绍FC技术、WLCSP封装技术的优势。FC技术与网版印刷技术渊源颇深,其焊接结束也是包括网版印刷技术在内的SMT技术;WLCSP封装符合目前包括网版印刷技术在内的SMT技术的潮流,把封装与芯片制造融为一体,改变芯片制造业与芯片封装业分离的局面。