一种触发型ESD电源钳位电路

ESD电源钳位的应用始于20世纪90年代中期,到现在它已经成为半导体芯片设计及ESD设计综合的典型应用。将ESD电源钳位综合应用到半导体芯片结构中的发展已经成为ESD设计规则的组成部分,同时也是ESD设计艺术的基本组成部分。在CMOS工艺中,MOSFET型ESD电源钳位在芯片设计中已经成为一种标准的ESD设计实现。触发型MOSFET ESD电源钳位电路能够弥补栅极接地的NMOS(GGNMOS)在经受二次击穿时的ESD保护缺陷。

4H-SiC n-MOSFET的高温特性分析

通过考虑迁移率和阈值电压随温度的变化关系,模拟分析了4H-SiCn-MOSFET高温下的电学特性,模拟结果与实验有较好的符合.并进一步讨论了主要结构参数和工艺参数对高温电特性的影响及其最佳取值.