英飞凌推出1200V碳化硅MOSFET技术

2016年5月10日,英飞凌科技股份公司推出革命性的碳化硅（SiC）MOSFET技术,使产品设计可以在功率密度和性能上得到较大提高。英飞凌CoolSiC^TM MOSFET具备更大的灵活性,可提高效率和频率。它们将有助于电源转换方案开发人员实现节省空间、减轻重量、降低散热的要求,并提高可靠性和降低系统成本。SiC MOSFET带来的影响非常显著。电源转换方案的开关频率可达到目前所用开关频率的3倍或以上。

提供高性能和可靠性的DirectFET功率MOSFET技术

随着每一代新处理器的出现,对为处理器提供电源的同步降压变换器的要求也变得越来越高.为满足处理器在大工作电流和快速瞬态响应时间等方面的要求,此类同步降压变换器已经发展成为复杂的高频多相解决方案.现在的许多应用中,工作电流可超过100A.因此,设计人员必须处理前所未有的且仍在不断增长的大电流和功率密度,同时还必须满足不断缩小的系统尺寸和不断降低的成本要求.电源变换器设计人员所面临的这些挑战进而转变为对变换器中所使用的功率半导体器件的要求.简单来说,这些要求包括:尽量减小传导和开关损失,同时降低热阻,并且支持进一步降低系统成本.所以,功率半导体器件制造商必须开发新型MOSFET器件才能满足这些要求.

电力工程电源中MOSFET串联技术的实践

电力工程是我国基础性建设工程的重要组成部分,对我国经济的发挥具有重要的推动作用。文章对电力工程电源中MOSFET串联技术的实践进行分析,旨在为MOSFET串联技术提高电力工程质量提供有力的参考。

飞兆半导体的先进MOSFET技术降低Miller电荷达35—40％

飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)宣布其性能先进的PowerTrench MOSFET工艺可实现极低的Miller电荷(Qgd)、RDS(on)、总栅极电荷(Qg),并改善栅漏电荷对栅源电荷(Qgd:Qgs)的比率,在同步降压应用中带来超卓的开关性能和热效率。低Qgd的优势在于减少开关损耗和缩短"死区时间",以改善稳压性能。理想的Qgd:Qgs比率可以防止栅极误触发。

基于模糊PID的无刷直流电机控制系统设计开发

无刷直流电机(BLDCM)是一个非线性、多变量、强耦合的系统,常规的PID控制难以达到良好的控制效果,模糊PID控制器依据模糊算法在线自整定PID参数,可弥补常规PID的不足之处,提高控制精度,取得更好的控制效果。研究了电机的双闭环控制方案,设计了转速环模糊PID控制器。采用多MOSFETS功率管并联技术实现电机的驱动。在完成电机控制系统硬件和软件设计之后,进行了台架实验,并对实验曲线进行分析,验证了模糊PID控制系统良好的动态、静态性能,证明了控制方案的可行性。

基于MC34063的小体积高压升压电源的研究

微开关电源控制芯片MC34063基于电流型控制稳压技术原理,外围电路极少,使用特别方便。文中介绍了一种实用的小体积高压升压电源的设计方法,它克服了以往PWM开关电源体积大、调试困难的缺点。

智能功率模块变得越来越高效——更好的功率开关有助于减少损耗多达25％，并且允许在众多应用中使用紧凑型节能无刷直流（BLDC）马达控制解决方案

使用BLDC马达进行节能处处可见，可以说是尘埃落定。其挑战在于以合理的成本在马达里集成一个复杂的电子控制电路，从而为用户提供相应的优势。优化的功率驱动电路对马达具有巨大的提升性能潜力，功率驱动电路就象微控制器和马达之间的肌肉，功率器件的开关和传导损耗会影响整个控制器所需的尺寸和散热设计。