几种IGBT与功率MOSFET栅极驱动电路的比较与应用

介绍了两种IGBT和功率MOSFET栅极驱动电路模块及一种经济实用的驱动电路.

一种用于无刷直流电机控制系统的MOSFET栅极驱动电路

介绍了一种用于无刷直流电动机控制系统的MOSFET栅极驱动电路,该电路完全利用分立元件,具有结构简单、安全可靠和实用性强等特点,该电路采用自举法驱动高压侧开关MOSFET,设置了死区时间以避免桥臂导通,并利用缓冲电阻减小振荡,通过设置合适的门极驱动电压减少了损耗,使电路效率得到了提高。

MOSFET栅极驱动的优化设计

介绍了MOS管的电路模型、开关过程、输入输出电容、等效电容、电荷存储,及其对MOS管驱动波形的影响和驱动波形的优化设计实例。

高压浮动MOSFET栅极驱动技术

本文介绍了高压浮动MOSFET的应用场合、栅极驱动的的几种常用技术及其优缺点,详细论述了采用IR2125芯片的自举工作模式及充电泵模式的高压浮动MOSFET栅极驱动电路。同时论述了高压浮动MOSFET在汽车制动器中的应用。

SiC MOSFET栅极驱动电路研究综述

凭借碳化硅(SiC)材料的宽禁带、高击穿电场、高电子饱和速率和高导热性等优点,SiC MOSFET广泛应用在高压、高频等大功率场合。传统基于硅(Si)MOSFET的驱动电路无法完全发挥SiC MOSFET的优异性能,针对SiC MOSFET的应用有必要采用合适的栅驱动设计技术。目前,已经有很多学者在该领域中有一定的研究基础,为SiC MOSFET驱动电路的设计提供了参考。对现有基于SiC MOSFET的PCB板级设计技术进行了详细说明,并从开关速度、电磁干扰噪声以及能量损耗等方面对其进行了总结和分析,给出了针对SiC MOSFET驱动电路的设计考虑和建议。

高压浮动MOSFET栅极驱动器原理及应用

IR2110高压浮动MOSFET柳极驱动器性能优异、与计算机接口方便。介绍了高压浮动栅极驱动器的原理和应用特点，给出了IR2110栅极驱动器在步进电机控制及发电机激磁电流调节中的应用实例，说明了电路调试中须注意的几个问题。

具内置5V MOSFET栅极驱动的DC／DC微型模块稳压器

LTM4611能产生自己的5V N沟道MOSFET栅极驱动，以实现从3．3VIN或更低的输入到0．8V（在高达15A）负载的高效率电压转换。具N沟道MOSFET 的可替代传统低输入电压大功率开关模式DC／DC转换器需要第二个稳压器电路，以提供逻辑电平MOSFET所需的5V栅极驱动。就3．3VIN～2．5VOUT而言，LTM4611在满负载（15A）时的转换效率为92％，而在2．5VIN～1．5VOUT和1．5VIN～0．9VOUT时则分别为88％和81％。

一种无升压结构的MOSFET栅极驱动电路

针对双极型步进电机控制芯片,设计了无升压结构的MOSFET栅极驱动电路,简化电路结构,利用缓冲电路防止振荡和直通,获得合适的开关时间;基于0.35μm BCD工艺参数,运用HSPICE仿真软件进行仿真,结果表明电路开关速快,功耗较低,满足设计要求。

Intersil新型大电流MOSFET栅极驱动器实现行业最佳开关效率

2007年5月16日，全球高性能模拟半导体设计和制造领导厂商Intersil公司宣布，推出高频6A吸入电流同步（sink synchronous）MOSFET栅极驱动器ISL6615和ISL6615A。这些新器件有助于为系统安全提供更高的效率、灵活性和更多的保护功能。

高端、高频率MOSFET栅极驱动器具-55℃至150℃工作结温范围

凌力尔特公司（Linear Technology Corporation）推出高端、高频率N沟道MOSFET栅极驱动器IJTC4440A-5，该器件能以高达80V的输入电压工作．在高达100V瞬态时可连续工作。该驱动器可与功率MOSFET以及凌力尔特众多DC／DC控制器选择中相结合．构成完整的电源。

Diodes推出全新MOSFET栅极驱动器

2015年1月8日,Diodes公司推出一对额定值1 A的40 V紧凑型栅极驱动器—ZXGD3009E6及ZXGD3009DY,旨在控制板上和嵌入式电源以及电机驱动电路的高电流功率MOSFET。ZXGD3009E6（采用SOT26封装）和ZXGD3009DY（采用SOT363封装）可缩减MOSFET的开关时间,有助于尽量降低开关损耗、改善功率密度，以及提升整体转换效率。

6AN沟道MOSFET栅极驱动器

凌力尔特公司（Linear Technology Corporation）推出LTC4441新的高可靠性（MP级）版本，该器件是一款6AN沟道MOSFET栅极驱动器，在-55℃至125℃的工作节温范围内工作。该高功率驱动器设计用于增加DC／DC控制器的输出功率及效率，从而使其能够驱动高功率N沟道MOSFET或多个并联的MOSFET。

Intersil推出新型大电流MOSFET栅极驱动器ISL6615

Intersil公司日前宣布推出高频6A吸入电流同步MOSFET栅极驱动器ISL6615和ISL6615A。这些新器件有助于为系统安全提供更高的效率、灵活性和更多的保护功能。

凌特6A MOSFET栅极驱动器

凌特公司(Linear Technology)推出6AMOSFET栅极驱动器LTC4441，使DC／DC控制器可驱动更高功率N沟道MOSFET或多个并联MOSFET，从而提高DC／DC控制器输出功率和效率。LTC4441的栅极驱动电压在5V至8V范围内可调，使设计人员可选择标准门限或逻辑电平MOSFET，

现代IGBT/MOSFET栅极驱动器提供隔离功能的最大功率限制

通过故意损坏IGBT/MOSFET功率开关来研究栅极驱动器隔离栅的耐受性能。

大电流MOSFET栅极驱动器

该系列包括6A吸入电流同步MOSFET栅极驱动器ISL6615和ISL6615A。这些驱动器增加了栅极驱动电流（UGATE的流出和吸入栅极驱动电流为4A，LGATE的吸入和流出电流则分别为6A和4A），可以缩短栅极电压上升、下降时间。

高轻负载效率MOSFET栅极驱动器ISL6622/A

Intersil推出新系列12～5V同步整流降压式MOSFET驱动器，为英特尔VR11．1系统提供业界最高的轻负载效率。

Intersil新型大电流MOSFET栅极驱动器实现行业最佳开关效率

Intersil公司宣布,推出高频6A吸入电流同步（sink synchronous）MOSFET栅极驱动器ISL6615和ISL6615A。这些新器件有助于为系统安全提供更高的效率、灵活性和更多的保护功能。

FOD3180181：MOSFET栅极驱动器

飞兆半导体推出高频光隔离MOSFET栅极驱动器系列的全新产品FOD3180／81，能在工业应用中驱动高达30A／1200V的MOSFET。