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考虑源漏隧穿的DG MOSFET弹道输运及其模拟
1
作者
郑期彤
张大伟
+2 位作者
江波
田立林
余志平
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第5期547-551,共5页
在经典弹道输运模型中引入源漏隧穿 (S/ D tunneling) ,采用 WKB方法计算载流子源漏隧穿几率 ,对薄硅层(硅层厚度为 1nm) DG(dual gate) MOSFETs的器件特性进行了模拟 .模拟结果表明当沟道长度为 10 nm时 ,源漏隧穿电流在关态电流中占 2...
在经典弹道输运模型中引入源漏隧穿 (S/ D tunneling) ,采用 WKB方法计算载流子源漏隧穿几率 ,对薄硅层(硅层厚度为 1nm) DG(dual gate) MOSFETs的器件特性进行了模拟 .模拟结果表明当沟道长度为 10 nm时 ,源漏隧穿电流在关态电流中占 2 5 % ,在开态电流中占 5 % .随着沟道长度进一步减小 ,源漏隧穿比例进一步增大 .因此 ,模拟必须包括源漏隧穿 .
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关键词
源漏隧穿
DG
MO
s
FET
弹道输运
器件模拟
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职称材料
全耗尽SOI器件源/漏区抬升结构的形成(英文)
被引量:
1
2
作者
田明
宋洋
雷海波
《微纳电子技术》
北大核心
2019年第12期970-977,共8页
介绍了在全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)结构上,通过在SOI表面外延生长形成金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)源/漏区抬升结构的方法。研究了不同的工艺参数对外延生长的影响,从而在合适的掺杂浓度下得到均匀的外延生长形貌。提出了两种...
介绍了在全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)结构上,通过在SOI表面外延生长形成金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)源/漏区抬升结构的方法。研究了不同的工艺参数对外延生长的影响,从而在合适的掺杂浓度下得到均匀的外延生长形貌。提出了两种新的途径来控制SOI的厚度:采用一种新的方法生长垫氧层,以及在源漏区外延生长前,在衬底外延生长硅薄膜层,从而补偿工艺导致的SOI损耗。这两种新的方法使SOI厚度增加了约5 nm。工艺优化后的FDSOI器件沟道厚度约为6 nm,源漏外延层厚度为20~30 nm。最后,阐述了外延成分对器件电学性能的影响。
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关键词
全耗尽绝缘体上硅(FD
s
OI)
金属氧化物半导体场效应晶体管(MO
s
FET)
源/漏区抬升结构
外延生长
绝缘体上硅(
s
OI)损耗
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职称材料
一种直接提取噪声温度参数的方法
被引量:
1
3
作者
廖怀林
黄如
+1 位作者
张兴
王阳元
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第8期1126-1128,共3页
本文基于二端口网络噪声理论和噪声关联矩阵给出了一种可以用于MOSFET′s的噪声温度参数 (Td ,Tg)的直接提取方法 .该方法给出了噪声温度参数的显式表达式因而简洁易用 ,并从噪声温度参数的显式表达式分析了影响噪声温度提取精度的主要...
本文基于二端口网络噪声理论和噪声关联矩阵给出了一种可以用于MOSFET′s的噪声温度参数 (Td ,Tg)的直接提取方法 .该方法给出了噪声温度参数的显式表达式因而简洁易用 ,并从噪声温度参数的显式表达式分析了影响噪声温度提取精度的主要因素 .同时由于此方法在参数提取时不依赖于源端阻抗的选择 ,理论上有助于提高参数提取的精度 .本文方法得到的噪声温度参数和其他方法得到的结果有很好的一致性 .
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关键词
MO
s
FET'
s
噪声温度参数
参数提取
场效应晶体管
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职称材料
新型金属源/漏工程新进展
4
作者
尚海平
徐秋霞
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第4期524-529,共6页
当MOSFET器件的栅长缩小到纳米尺度以后,金属源/漏(S/D)结构具有一系列的优点:原子级突变结能够抑制短沟道效应(SCE),低S/D串联电阻和接触电阻,S/D形成的低温工艺适宜集成高k栅介质、金属栅和应变硅等新材料,使之成为掺杂硅S/D结构最有...
当MOSFET器件的栅长缩小到纳米尺度以后,金属源/漏(S/D)结构具有一系列的优点:原子级突变结能够抑制短沟道效应(SCE),低S/D串联电阻和接触电阻,S/D形成的低温工艺适宜集成高k栅介质、金属栅和应变硅等新材料,使之成为掺杂硅S/D结构最有希望的替代者。文章主要介绍形成低肖特基势垒高度(SBH,Schottky Barrier Height)结材料的选择,以及采用杂质分凝、界面工程和应变工程等肖特基势垒调节技术的主要制备工艺和势垒调节机理。
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关键词
MO
s
FET
短沟道效应
金属源/漏
金属硅化物
肖特基势垒调节
肖特基势垒源/漏
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职称材料
题名
考虑源漏隧穿的DG MOSFET弹道输运及其模拟
1
作者
郑期彤
张大伟
江波
田立林
余志平
机构
清华大学微电子学研究所
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第5期547-551,共5页
基金
国家重点基础研究发展规划资助项目 (批准号 :G2 0 0 0 0 3 65 0 2 )~~
文摘
在经典弹道输运模型中引入源漏隧穿 (S/ D tunneling) ,采用 WKB方法计算载流子源漏隧穿几率 ,对薄硅层(硅层厚度为 1nm) DG(dual gate) MOSFETs的器件特性进行了模拟 .模拟结果表明当沟道长度为 10 nm时 ,源漏隧穿电流在关态电流中占 2 5 % ,在开态电流中占 5 % .随着沟道长度进一步减小 ,源漏隧穿比例进一步增大 .因此 ,模拟必须包括源漏隧穿 .
关键词
源漏隧穿
DG
MO
s
FET
弹道输运
器件模拟
Keywords
s
/D tunneling
DG MO
s
FET
balli
s
tic tran
s
port
device
s
imulation
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
全耗尽SOI器件源/漏区抬升结构的形成(英文)
被引量:
1
2
作者
田明
宋洋
雷海波
机构
上海华力集成电路制造有限公司
出处
《微纳电子技术》
北大核心
2019年第12期970-977,共8页
基金
Shanghai Huali Integrated Circuit Corporation within the project of FDSOI program
文摘
介绍了在全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)结构上,通过在SOI表面外延生长形成金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)源/漏区抬升结构的方法。研究了不同的工艺参数对外延生长的影响,从而在合适的掺杂浓度下得到均匀的外延生长形貌。提出了两种新的途径来控制SOI的厚度:采用一种新的方法生长垫氧层,以及在源漏区外延生长前,在衬底外延生长硅薄膜层,从而补偿工艺导致的SOI损耗。这两种新的方法使SOI厚度增加了约5 nm。工艺优化后的FDSOI器件沟道厚度约为6 nm,源漏外延层厚度为20~30 nm。最后,阐述了外延成分对器件电学性能的影响。
关键词
全耗尽绝缘体上硅(FD
s
OI)
金属氧化物半导体场效应晶体管(MO
s
FET)
源/漏区抬升结构
外延生长
绝缘体上硅(
s
OI)损耗
Keywords
fully depleted
s
ilicon-on-in
s
ulator(FD
s
OI)
metal-oxide-
s
emiconductor field-effect tran
s
i
s
tor(MO
s
FET)
rai
s
ed
s
ource/drain(
s
/D)
s
tructure
epitaxial growth
s
ilicon-on-in
s
ulator(
s
OI)lo
s
s
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
一种直接提取噪声温度参数的方法
被引量:
1
3
作者
廖怀林
黄如
张兴
王阳元
机构
北京大学微电子所
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第8期1126-1128,共3页
基金
国家自然科学基金 (No .699760 0 1 )
文摘
本文基于二端口网络噪声理论和噪声关联矩阵给出了一种可以用于MOSFET′s的噪声温度参数 (Td ,Tg)的直接提取方法 .该方法给出了噪声温度参数的显式表达式因而简洁易用 ,并从噪声温度参数的显式表达式分析了影响噪声温度提取精度的主要因素 .同时由于此方法在参数提取时不依赖于源端阻抗的选择 ,理论上有助于提高参数提取的精度 .本文方法得到的噪声温度参数和其他方法得到的结果有很好的一致性 .
关键词
MO
s
FET'
s
噪声温度参数
参数提取
场效应晶体管
Keywords
mosfet~{!d~}s
parameter
s
of temperature noi
s
e model
parameter extraction method
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
新型金属源/漏工程新进展
4
作者
尚海平
徐秋霞
机构
中国科学院微电子研究所
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第4期524-529,共6页
文摘
当MOSFET器件的栅长缩小到纳米尺度以后,金属源/漏(S/D)结构具有一系列的优点:原子级突变结能够抑制短沟道效应(SCE),低S/D串联电阻和接触电阻,S/D形成的低温工艺适宜集成高k栅介质、金属栅和应变硅等新材料,使之成为掺杂硅S/D结构最有希望的替代者。文章主要介绍形成低肖特基势垒高度(SBH,Schottky Barrier Height)结材料的选择,以及采用杂质分凝、界面工程和应变工程等肖特基势垒调节技术的主要制备工艺和势垒调节机理。
关键词
MO
s
FET
短沟道效应
金属源/漏
金属硅化物
肖特基势垒调节
肖特基势垒源/漏
Keywords
MO
s
FET
s
hort-channel effect
Metal
s
/D
Metal
s
ilicide
s
chottky harrier height modification
s
B
s
/D
分类号
TN305.5 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
考虑源漏隧穿的DG MOSFET弹道输运及其模拟
郑期彤
张大伟
江波
田立林
余志平
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004
0
下载PDF
职称材料
2
全耗尽SOI器件源/漏区抬升结构的形成(英文)
田明
宋洋
雷海波
《微纳电子技术》
北大核心
2019
1
下载PDF
职称材料
3
一种直接提取噪声温度参数的方法
廖怀林
黄如
张兴
王阳元
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001
1
下载PDF
职称材料
4
新型金属源/漏工程新进展
尚海平
徐秋霞
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2008
0
下载PDF
职称材料
已选择
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