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超薄体MOSFET的结构优化(英文) |
王文平
黄如
张国艳
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《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2004 |
0 |
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2
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考虑源漏隧穿的DG MOSFET弹道输运及其模拟 |
郑期彤
张大伟
江波
田立林
余志平
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《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2004 |
0 |
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3
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全耗尽SOI器件源/漏区抬升结构的形成(英文) |
田明
宋洋
雷海波
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《微纳电子技术》
北大核心
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2019 |
1
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4
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一种直接提取噪声温度参数的方法 |
廖怀林
黄如
张兴
王阳元
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《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2001 |
1
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5
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新型金属源/漏工程新进展 |
尚海平
徐秋霞
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《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
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2008 |
0 |
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