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MOSFET模型&参数提取
被引量:
8
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作者
李庆华
韩郑生
海潮和
《微电子技术》
2003年第4期23-28,38,共7页
器件模型及参数作为工艺和设计之间的接口 ,对保证集成电路设计的投片成功具有决定意义。本文介绍了电路模拟中常用的几种MOSFET模型 ,并着重探讨了使用自动参数提取软件提取一套准确的模型参数的具体工作步骤。
关键词
mosfex
BSIM
模型
参数提取
下载PDF
职称材料
题名
MOSFET模型&参数提取
被引量:
8
1
作者
李庆华
韩郑生
海潮和
机构
中国科学院微电子中心
出处
《微电子技术》
2003年第4期23-28,38,共7页
文摘
器件模型及参数作为工艺和设计之间的接口 ,对保证集成电路设计的投片成功具有决定意义。本文介绍了电路模拟中常用的几种MOSFET模型 ,并着重探讨了使用自动参数提取软件提取一套准确的模型参数的具体工作步骤。
关键词
mosfex
BSIM
模型
参数提取
Keywords
MOSFET
BSIM
Model
Parameter extract
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
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作者
出处
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1
MOSFET模型&参数提取
李庆华
韩郑生
海潮和
《微电子技术》
2003
8
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