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浅析电涌产生及电涌保护
1
作者
万军令
姜学智
+4 位作者
徐宏磊
董泸锴
方政
潘伟
薛汝和
《中国高新技术企业》
2009年第20期181-181,184,共2页
随着微电子技术快速发展,半导体器件集成化不断提高,元件间距在减小,半导体厚度在变薄。电子设备受到瞬态过电压破坏的可能性越来越大。外部电涌和内部电涌过电压成为电子设备损坏和工作中断的主要因素。文章论述了电涌的产生及电涌保护。
关键词
电涌
电涌保护器
保护模式
mov
构成
mov的指标
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职称材料
题名
浅析电涌产生及电涌保护
1
作者
万军令
姜学智
徐宏磊
董泸锴
方政
潘伟
薛汝和
机构
山东黄金集团三山岛金矿机电组
出处
《中国高新技术企业》
2009年第20期181-181,184,共2页
文摘
随着微电子技术快速发展,半导体器件集成化不断提高,元件间距在减小,半导体厚度在变薄。电子设备受到瞬态过电压破坏的可能性越来越大。外部电涌和内部电涌过电压成为电子设备损坏和工作中断的主要因素。文章论述了电涌的产生及电涌保护。
关键词
电涌
电涌保护器
保护模式
mov
构成
mov的指标
分类号
TM862 [电气工程—高电压与绝缘技术]
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作者
出处
发文年
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1
浅析电涌产生及电涌保护
万军令
姜学智
徐宏磊
董泸锴
方政
潘伟
薛汝和
《中国高新技术企业》
2009
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