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国产金属有机化合物TMGa、TMAl、TMIn和TMSb的MOVPE鉴定
1
作者
陆大成
汪度
+2 位作者
刘祥林
王晓晖
董建荣
《高技术通讯》
CAS
CSCD
1994年第8期5-9,共5页
利用我们研制的常压MOVPE设备对国产TMGa、TMAl、TMIn和TMSb进行了鉴定,为此分别生长了GaAs、AlGaAs、InP、GaSb外延层和GaAs/AlAs、GaSb/InGaSb超晶格和GaAs/AlG...
利用我们研制的常压MOVPE设备对国产TMGa、TMAl、TMIn和TMSb进行了鉴定,为此分别生长了GaAs、AlGaAs、InP、GaSb外延层和GaAs/AlAs、GaSb/InGaSb超晶格和GaAs/AlGaAs量子阱结构。表征材料纯度的77K载流予迁移率分别达到GaAs:μ_n=56600cm ̄2/V·s,Al_(0.25)Ga_(0.75)As:μ_n=5160cm ̄2/V·s,InP:μ_n=65300cm ̄2/V·s,GaSb:μ_p=5076cm ̄2/V·s。由10个周期的GaAs/AlAs超晶格结构组成的可见光区布拉格反射器已观测到很好的反射光谱和双晶X射线回摆曲线上高达±20级的卫星峰。GaAs/Al_(0.35)Ga_(0.65)As量子阱最小阱宽为10,在liK下由量子尺寸效应导致的光致发光峰能量移动为390meV,其线宽为12meV。这些结果表明上述金属有机化合物已达到较高质量。
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关键词
金属有机物
气相外延
量子阱
晶格
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职称材料
题名
国产金属有机化合物TMGa、TMAl、TMIn和TMSb的MOVPE鉴定
1
作者
陆大成
汪度
刘祥林
王晓晖
董建荣
机构
中国科学院半导体研究所半导体材料科学开放实验室
出处
《高技术通讯》
CAS
CSCD
1994年第8期5-9,共5页
基金
863计划资助项目
文摘
利用我们研制的常压MOVPE设备对国产TMGa、TMAl、TMIn和TMSb进行了鉴定,为此分别生长了GaAs、AlGaAs、InP、GaSb外延层和GaAs/AlAs、GaSb/InGaSb超晶格和GaAs/AlGaAs量子阱结构。表征材料纯度的77K载流予迁移率分别达到GaAs:μ_n=56600cm ̄2/V·s,Al_(0.25)Ga_(0.75)As:μ_n=5160cm ̄2/V·s,InP:μ_n=65300cm ̄2/V·s,GaSb:μ_p=5076cm ̄2/V·s。由10个周期的GaAs/AlAs超晶格结构组成的可见光区布拉格反射器已观测到很好的反射光谱和双晶X射线回摆曲线上高达±20级的卫星峰。GaAs/Al_(0.35)Ga_(0.65)As量子阱最小阱宽为10,在liK下由量子尺寸效应导致的光致发光峰能量移动为390meV,其线宽为12meV。这些结果表明上述金属有机化合物已达到较高质量。
关键词
金属有机物
气相外延
量子阱
晶格
Keywords
movpe
,
quantum well
,
superlattice
,
gaas
,
algaas
,
inp
,
gasb
分类号
O627 [理学—有机化学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
国产金属有机化合物TMGa、TMAl、TMIn和TMSb的MOVPE鉴定
陆大成
汪度
刘祥林
王晓晖
董建荣
《高技术通讯》
CAS
CSCD
1994
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