NH_3,PH_3热分解对Ⅲ-Ⅴ族半导体MOVPE外延生长的影响

以ＧａＮ和（Ｇａ１－ｘＩｎｘ）Ｐ半导体的金属有机物气相外延生长（ＭＯＶＰＥ）为例分析了Ｖ族气源物质ＮＨ３和ＰＨ３热分解对半导体化合物外延生长成分空间的影响．根据外延生长过程中ＮＨ３和ＰＨ３实际分解状况，建立了气源物质不同分解状态下的热力学模型，进而应用Ｔｈｅｒｍｏ－ｃａｌｃ软件计算出与之对应的成分空间．计算结果与实验数据的对比表明：ＧａＮ和（Ｇａ１－ｘＩｎｘ）Ｐ半导体的ＭＯＶＰＥ过程的热力学分析必须根据Ｖ族气源物质ＮＨ３和ＰＨ３的实际热分解状况，进行完全平衡或限定平衡条件下的计算和预测，完全的热力学平衡分析仅适用于特定的温度区段或经特殊气源预处理的工艺过程．

用大面积立式旋转盘MOVPE反应器生长Ⅲ族氮化物材料(英文)

为了降低Ⅲ族氮化物材料和器件的成本 ,必须开发大尺寸的Ⅲ族氮化物MOVPE生长的反应器。本文报道了EMCORE公司的一种带有旋转盘的立式反应器 ,其中的衬底片载盘直径为 32 5mm。每次沉积过程中 ,载盘上可以放置 2 1片 2英寸直径的衬底片。反应器的内壁通过水冷 ,其温度可保持在 5 0～ 6 0℃之间。衬底片可用电热丝加热 ,沉积中衬底载盘的旋转速度可达 1 0 0 0～ 1 5 0 0rpm。本文给出了用这种 32 5mmGaN生长系统生长的未掺杂GaN ,InGaN和 p GaN外延层的相关结果。这些结果表明 ,这种旋转盘的反应器是一种很适合大尺寸载盘的系统 ,完全满足Ⅲ族氮化物材料体系生长的要求。与在小反应器中生长的材料相比 ,用这种大反应器生长的材料具有相同的质量。这种 32 5mm的GaN反应器将使制备蓝光和绿光LED所用的Ⅲ族氮化外延材料的生产成本得到显著的降低。

用大面积立式旋转盘MOVPE反应器生长Ⅲ族氮化物材料(英文)

为了降低Ⅲ族氮化物材料和器件的成本 ,必须开发大尺寸的Ⅲ族氮化物MOVPE生长的反应器。本文报道了EMCORE公司的一种带有旋转盘的立式反应器 ,其中的衬底片载盘直径为 32 5mm。每次沉积过程中 ,载盘上可以放置 2 1片 2英寸直径的衬底片。反应器的内壁通过水冷 ,其温度可保持在 5 0～ 6 0℃之间。衬底片可用电热丝加热 ,沉积中衬底载盘的旋转速度可达 1 0 0 0～ 1 5 0 0rpm。本文给出了用这种 32 5mmGaN生长系统生长的未掺杂GaN ,InGaN和 p GaN外延层的相关结果。这些结果表明 ,这种旋转盘的反应器是一种很适合大尺寸载盘的系统 ,完全满足Ⅲ族氮化物材料体系生长的要求。与在小反应器中生长的材料相比 ,用这种大反应器生长的材料具有相同的质量。这种 32 5mm的GaN反应器将使制备蓝光和绿光LED所用的Ⅲ族氮化外延材料的生产成本得到显著的降低。