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低温MPECVD系统中基片状态对金刚石薄膜形成的影响
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作者 文允鉴 《等离子体应用技术快报》 1996年第8期19-20,共2页
关键词 金刚石 薄膜 mpecvd 基片
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H_2/Ar流量比对纳米金刚石形貌和结构的影响 被引量:2
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作者 熊礼威 彭环洋 +2 位作者 汪建华 崔晓慧 龚国华 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第1期45-50,共6页
目的研究不同H_2/Ar流量比对纳米金刚石形貌和结构的影响。方法采用MPECVD法制备了质量较好的纳米金刚石薄膜,并通过SEM、XRD对金刚石薄膜的形貌、结构以及晶粒尺寸进行了测试,还使用Raman对金刚石D峰、纳米金刚石特征峰(TPA)的变化趋... 目的研究不同H_2/Ar流量比对纳米金刚石形貌和结构的影响。方法采用MPECVD法制备了质量较好的纳米金刚石薄膜,并通过SEM、XRD对金刚石薄膜的形貌、结构以及晶粒尺寸进行了测试,还使用Raman对金刚石D峰、纳米金刚石特征峰(TPA)的变化趋势进行了分析。结果当Q(H_2):Q(Ar)=50:49时,制备的金刚石晶粒为亚微米范畴,其平均晶粒尺寸为250 nm,表面平整度较差,出现堆积层错现象,但金刚石特征峰(D峰)最强,生长速率达到最大,约为125 nm/h;Q(H_2):Q(Ar)=10:89时,表面平整度高,二次形核现象明显,平均晶粒尺寸为20 nm;进一步减小H_2/Ar流量比为0时,可发现晶粒由纳米变为超纳米,二次形核更为明显,表面平整更高,其平均晶粒尺寸为3 nm,另外Raman测试发现金刚石特征峰强度随H_2/Ar流量比的减小而减小,而纳米金刚石特征峰随H_2/Ar流量比的减小而增大。结论随着H_2/Ar流量比的增加,金刚石表面平整度逐渐变差,表面粗糙度也在逐渐增大,同时金刚石的晶粒尺寸和生长速率在Q(H_2):Q(Ar)=50:49时达到最大。 展开更多
关键词 H2/Ar流量比 NCD薄膜 表面形貌 mpecvd 平整度 晶粒尺寸
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高取向金刚石薄膜的制备 被引量:2
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作者 熊礼威 彭环洋 +2 位作者 汪建华 崔晓慧 龚国华 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第11期10-15,共6页
目的研究不同甲烷体积分数、不同氮气流量分别对金刚石(111)面、(100)面生长的影响,实现在最佳工艺下制备高取向金刚石薄膜。方法采用微波等离子体增强化学气相沉积法制备高取向(111)面、(100)面金刚石薄膜,实验前一组(1~#—3~#)以CH_4/... 目的研究不同甲烷体积分数、不同氮气流量分别对金刚石(111)面、(100)面生长的影响,实现在最佳工艺下制备高取向金刚石薄膜。方法采用微波等离子体增强化学气相沉积法制备高取向(111)面、(100)面金刚石薄膜,实验前一组(1~#—3~#)以CH_4/H_2为气源,后一组(4~#—5~#)以CH_4/H_2/N_2为气源,通过采用SEM、XRD分析不同甲烷体积分数下(111)面和不同氮气流量下(100)面的生长形貌、晶粒尺寸以及金刚石晶面特征峰强弱,同时还使用Raman测试两组分别改变甲烷体积分数、氮气流量工艺下金刚石特征峰、石墨峰的变化趋势。结果前一组随着甲烷体积分数的增加,金刚石(111)面逐渐清晰可见,低甲烷体积分数为2%时,H等离子体对金刚石表面刻蚀严重,形成少量表面粗糙的(111)面,当甲烷体积分数升到4.5%时,(111)面生长非常均匀,金刚石质量较高,继续提高甲烷体积分数,薄膜中非金刚石的含量增加,金刚石质量下降。后一组随着氮气流量的增加,金刚石(100)面的生长非常整齐平滑,在氮气流量为5 cm^3/min时,(100)面比较粗糙,由于有含氮基团的加入,其生长速率加快,进一步升高氮气流量到10 cm^3/min时,含氮基团的择优生长促进(100)面占据整个界面,同时削弱了其他晶面的生长。结论前一组甲烷体积分数为4.5%时,(111)面占据整个生长面,生长非常均匀,同时XRD测试金刚石(111)面特征峰也达到最强。后一组氮气流量为10 cm^3/min时,(100)面表面光洁度和平整度达到最佳。 展开更多
关键词 mpecvd 甲烷体积分数 氮气流量 高取向 金刚石薄膜 表面形貌
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两段成长法改善微波电浆辅助化学气相沉积多晶金刚石之品质(英文)
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作者 李世鸿 叶忠信 +2 位作者 张永平 汪岛军 黄柏仁 《新型炭材料》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第3期223-229,共7页
以化学气相沉积法成长多晶金刚石薄膜时,薄膜的品质会受到成长时间、成长压力、反应气体比例、偏压与否及成核的机制等因素影响。研究采用微波电浆辅助化学气相沉积(MPECVD)法,以甲烷(CH4)和氢气(H2)作为反应气体原料,在p型(111)硅基板... 以化学气相沉积法成长多晶金刚石薄膜时,薄膜的品质会受到成长时间、成长压力、反应气体比例、偏压与否及成核的机制等因素影响。研究采用微波电浆辅助化学气相沉积(MPECVD)法,以甲烷(CH4)和氢气(H2)作为反应气体原料,在p型(111)硅基板沉积多晶金刚石薄膜。典型沉积多晶金刚石薄膜的制程可分为四个阶段:抛蚀表面阶段、渗碳阶段、偏压增强成核(BEN)阶段及成长阶段。研究将成长阶段划分为两个阶段,第一阶段压力较低(成长I阶段),第二阶段压力较高(成长II阶段)。结果表明:第一阶段可大大改善金刚石薄膜的品质,所获多晶金刚石薄膜的晶粒具有明确的颗粒边界、较低的碳化物或缺陷,电导率急剧降低,显现出本徵金刚石半绝缘的性质。可以认为金刚石薄膜品质的改善完全为低压成长所致。实验发现在成长I阶段或成长II阶段施加偏压时,只会降低多晶金刚石薄膜的品质。 展开更多
关键词 多晶金刚石薄膜 微波电浆辅助化学气相沉积(mpecvd) 两段成长 偏压增强成核(BEN)
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纳米非晶碳薄膜的制备及其场致电子发射特性 被引量:1
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作者 袁泽明 张永强 +1 位作者 姚宁 张兵临 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第6期1768-1771,共4页
采用微波等离子体增强化学气相沉积(MPECVD)法,在涂有FeCl3的硅衬底上制备出了纳米非晶碳薄膜。通过SEM、XRD和拉曼光谱分析了薄膜材料的形貌和结构。并研究了薄膜材料的场发射特性。结果表明:薄膜的开启电场仅为0.39 V/μm;当电场强度... 采用微波等离子体增强化学气相沉积(MPECVD)法,在涂有FeCl3的硅衬底上制备出了纳米非晶碳薄膜。通过SEM、XRD和拉曼光谱分析了薄膜材料的形貌和结构。并研究了薄膜材料的场发射特性。结果表明:薄膜的开启电场仅为0.39 V/μm;当电场强度为1.85 V/μm时,电流密度高达3.06 mA/cm2;且场发射点均匀、密集、稳定。迭代法计算表明薄膜材料的功函数为3.1 eV,发射点密度约为1.7×105个/cm2。这些均表明该薄膜是一种性能优良的场发射阴极材料。 展开更多
关键词 纳米非晶碳 场致电子发射 FECL3 微波等离子增强化学气相沉积
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Preparation and Characterization of DLC Films by Twinned ECR Microwave Plasma Enhanced CVD for Microelectromechanical Systems (MEMS) Applications 被引量:3
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作者 李新 《Journal of Wuhan University of Technology(Materials Science)》 SCIE EI CAS 2004年第2期44-47,共4页
Diamond-like carbon (DLC) films have recently been pursued as the protection of MEMS against their friction and wear.Plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) technique is very attractive to prepare DLC coatin... Diamond-like carbon (DLC) films have recently been pursued as the protection of MEMS against their friction and wear.Plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) technique is very attractive to prepare DLC coating for MEMS.This paper describes the preparation of DLC films using twinned electron cyclotron resonance (ECR) microwave PECVD process.Raman spectra confirmed the DLC characteristics of the films.Fourier-transform infrared (FT-IR)characterization indicates the carbon is bonded in the form sp~3 and sp~2 with hydrogen participating in bonding.The surface roughness of the films is as low as approximately (0.093)nm measured with an atomic force microscope.A CERT microtribometer system is employed to obtain information about the scratch resistance,friction properties,and sliding wear resistance of the films.The results show the deposited DLC films have low friction and good scratch/wear resistance properties. 展开更多
关键词 DLC films ECR-mpecvd MEMS
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Effect of hydrogen plasma treatment on the growth and microstructures of multiwalled carbon nanotubes 被引量:1
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作者 S.K.Srivastava V.D.Vankar V.Kumar 《Nano-Micro Letters》 SCIE EI CAS 2010年第1期42-48,共7页
The effect of hydrogen plasma treatment of iron oxide films on the growth and microstructure of carbon nanotubes(CNTs)by microwave plasma enhanced chemical vapor deposition process has been investigated.Microwave plas... The effect of hydrogen plasma treatment of iron oxide films on the growth and microstructure of carbon nanotubes(CNTs)by microwave plasma enhanced chemical vapor deposition process has been investigated.Microwave plasma was characterized in-situ using optical emission spectrometer.Morphology of the films was examined by scanning electron microscopy.Structural analysis was carried out by high resolution transmission electron microscopy(HRTEM)equipped with energy dispersive X-ray spectroscopy(EDS)and micro-diffraction attachments.It is found that oxide films without H_2 plasma pretreatment or treated for lesser time resulted in CNT films with high percentage of carbonaceous particles and with embedded particles/nanorods distributed discontinuously in the cavity of the nanotubes.The embedded particles were found to be of iron carbide(Fe-C)as confirmed by HRTEM,EDS and micro-diffraction analysis.Experimental observations suggested that the iron oxide particles had poor catalytic action for CNT growth and in-situ reduction of oxide clusters to Fe by hydrogen plasma plays a key role in discontinuous filling of the nanotubes by the catalytic particles. 展开更多
关键词 Carbon nanotubes Chemical vapor deposition Iron carbide mpecvd
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基片预处理对CVD金刚石薄膜形核的影响 被引量:2
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作者 曹菊琴 《宁夏工程技术》 CAS 2010年第1期58-59,67,共3页
微波辅助等离子体化学气相沉积法是目前低压气相合成金刚石薄膜方法中应用最普遍、工艺最成熟的方法,形核是CVD金刚石沉积的第一步.利用微波辅助等离子体化学气相沉积装置,研究了硅基片预处理方式对金刚石薄膜形核密度的影响.在工作气压... 微波辅助等离子体化学气相沉积法是目前低压气相合成金刚石薄膜方法中应用最普遍、工艺最成熟的方法,形核是CVD金刚石沉积的第一步.利用微波辅助等离子体化学气相沉积装置,研究了硅基片预处理方式对金刚石薄膜形核密度的影响.在工作气压为5~8 kPa,微波功率为2 500~5 000 W,甲烷流量为4~8 cm3/min,氢气流量为200 cm3/min,沉积温度为500℃~850℃的条件下,在单晶Si基片上沉积金刚石薄膜.通过扫描电子显微镜形貌观察表明,基片预处理能够显著提高金刚石形核密度,同时用拉曼光谱表征了金刚石薄膜的质量. 展开更多
关键词 微波辅助等离子体化学气相沉积装置 基片预处理 形核
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等离子体增强化学气相沉积金刚石薄膜生长过程的分析
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作者 李平 《等离子体应用技术快报》 1998年第10期21-22,共2页
关键词 金刚石 薄膜生长 mpecvd 等离子体
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