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MPNIM结构光致变电容效应
1
作者
朱长纯
刘君华
J.M.Xu
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1989年第6期419-425,共7页
木文报告了作者之一首先发现的MPNIM(金属-P型半导体-N型半月比-绝缘体-金属)结构的光致变电容效应。基于该效应已研制出新器件:半导体双向光控变容器.新器件的电容值与入射光强的关系,光谱响应特性,频率特性,C-V特性,温度特性已被研究.
关键词
光致变电容
光敏元件
mpnim
结构
下载PDF
职称材料
题名
MPNIM结构光致变电容效应
1
作者
朱长纯
刘君华
J.M.Xu
机构
西安交通大学
美国明尼苏达大学
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1989年第6期419-425,共7页
基金
国家自然科学基金
文摘
木文报告了作者之一首先发现的MPNIM(金属-P型半导体-N型半月比-绝缘体-金属)结构的光致变电容效应。基于该效应已研制出新器件:半导体双向光控变容器.新器件的电容值与入射光强的关系,光谱响应特性,频率特性,C-V特性,温度特性已被研究.
关键词
光致变电容
光敏元件
mpnim
结构
Keywords
Optical activation change capactance
Optical sensors
Multivalued devices
Specific varactor
分类号
TN364 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
MPNIM结构光致变电容效应
朱长纯
刘君华
J.M.Xu
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1989
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