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MPNIM结构光致变电容效应
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作者 朱长纯 刘君华 J.M.Xu 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第6期419-425,共7页
木文报告了作者之一首先发现的MPNIM(金属-P型半导体-N型半月比-绝缘体-金属)结构的光致变电容效应。基于该效应已研制出新器件:半导体双向光控变容器.新器件的电容值与入射光强的关系,光谱响应特性,频率特性,C-V特性,温度特性已被研究.
关键词 光致变电容 光敏元件 mpnim 结构
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