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题名CMOS工艺多功能数字芯片的输出缓冲电路设计
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作者
周子昂
姚遥
徐坤
张利红
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机构
周口师范学院物理与电子工程系
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出处
《电子设计工程》
2012年第5期106-109,共4页
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基金
周口师范学院青年科研基金(zknuqn201043A)
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文摘
为了提高数字集成电路芯片的驱动能力,采用优化比例因子的等比缓冲器链方法,通过Hspice软件仿真和版图设计测试,提出了一种基于CSMC 2P2M 0.6μm CMOS工艺的输出缓冲电路设计方案。本文完成了系统的电原理图设计和版图设计,整体电路采用Hspice和CSMC 2P2M的0.6μm CMOS工艺的工艺库(06mixddct02v24)仿真,基于CSMC 2P2M 0.6μm CMOS工艺完成版图设计,并在一款多功能数字芯片上使用,版图面积为1 mm×1 mm,并参与MPW(多项目晶圆)计划流片,流片测试结果表明,在输出负载很大时,本设计能提供足够的驱动电流,同时延迟时间短、并占用版图面积小。
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关键词
CMOS工艺
输出缓冲电路
版图设计
mpw计划
在片测试
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Keywords
CMOS process
output buffer circuit
layout design
mpw
on chip test
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分类号
TN402
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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