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高阻GaN基MSM结构紫外探测器的光电流特性 被引量:1
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作者 苑进社 陈光德 谢伦军 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2003年第5期335-337,共3页
 用非特意掺杂的高阻GaN薄膜研制了MSM结构紫外探测器。研究发现在5V偏压,365nm光激发条件下,光电流衰减出现振荡现象;响应时间为毫秒量级。未经退火处理,MSM结构的暗态伏安特性呈线性关系,器件的暗电阻出现低阻现象。
关键词 GAN薄膜 msm结构 光电流特性
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MSM结构ZnO紫外探测器的制备及光电性能研究 被引量:2
2
作者 刘大博 《航空材料学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第3期63-67,共5页
采用磁控溅射方法,在石英衬底上制备了光电性能优良的ZnO紫外探测器。通过紫外光电性能测试、扫描电子显微镜(SEM)观察及X射线衍射(XRD)分析,研究了ZnO紫外探测器的光电特性。结果表明:探测器的光电流高出暗电流近3个数量级,紫外波段的... 采用磁控溅射方法,在石英衬底上制备了光电性能优良的ZnO紫外探测器。通过紫外光电性能测试、扫描电子显微镜(SEM)观察及X射线衍射(XRD)分析,研究了ZnO紫外探测器的光电特性。结果表明:探测器的光电流高出暗电流近3个数量级,紫外波段的光响应高出可见光波段近2个数量级,所制备ZnO紫外探测器达到了高辐射灵敏度和可见盲特性的要求。 展开更多
关键词 ZNO薄膜 紫外探测器 msm结构 光电性能
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MSM结构硅光探测器 被引量:1
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作者 尹长松 李青松 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 1993年第2期156-160,共5页
采用 MSM 双肖特基势垒结构制作的硅光电二极管,在0.2~1.10μm波长范围内具有高的响应度。这种结构还可以构成横向光晶体管,共发射极电流增益为2~4倍。实验表明,MSM 结构是改善硅光电探测器光谱响应的良好结构。
关键词 msm结构 肖特基势垒 光探测器
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基于MSM结构的表面等离子体共振光纤折射率传感器 被引量:4
4
作者 郭志勇 葛益娴 +2 位作者 沈令闻 张鹏 顾钦顺 《半导体光电》 CAS 北大核心 2020年第2期205-210,共6页
基于表面等离子体共振(SPR)效应,设计了一种基于多模-单模-多模(MSM)结构的光纤折射率传感器。采用光纤熔接的方式构成MSM结构,并且在单模光纤的表面涂覆二氧化钛/银(TiO2/Ag)复合膜构成传感单元。利用FDTD Solutions仿真分析了单模光... 基于表面等离子体共振(SPR)效应,设计了一种基于多模-单模-多模(MSM)结构的光纤折射率传感器。采用光纤熔接的方式构成MSM结构,并且在单模光纤的表面涂覆二氧化钛/银(TiO2/Ag)复合膜构成传感单元。利用FDTD Solutions仿真分析了单模光纤长度与金属膜厚度对传感器性能的影响。结果表明:单模光纤长度越长,共振深度越深;TiO2/Ag复合膜中Ag膜厚度为50nm,TiO2膜厚度为20nm时,传感器性能最优,在1.33~1.41环境折射率范围内,传感器的灵敏度约为6 875nm/RIU。实验结果表明该光纤折射率传感器结构制作工艺简单、灵敏度高。 展开更多
关键词 光纤传感器 表面等离子体共振 msm结构 折射率 复合膜
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GaN基MSM结构紫外探测器光响应特性
5
作者 周飞跃 杜江锋 +3 位作者 于奇 靳翀 罗谦 杨谟华 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期383-386,共4页
在求解一维电流连续性方程和传输方程的同时考虑表面态陷阱的作用,获得了GaN基MSM结构紫外探测器在稳态光照下的电流随电压变化的解析解,从而导出了其光响应特性主要参数,并解释了电流和响应度随偏压变化的原因和光增益现象。将该模型... 在求解一维电流连续性方程和传输方程的同时考虑表面态陷阱的作用,获得了GaN基MSM结构紫外探测器在稳态光照下的电流随电压变化的解析解,从而导出了其光响应特性主要参数,并解释了电流和响应度随偏压变化的原因和光增益现象。将该模型应用于具体器件,实验测得饱和临界偏压约6 V,稳态电流6×10-8A,响应率0.085 7 A/W,与理论计算较吻合。 展开更多
关键词 GAN msm结构 紫外探测器 光电流 表面态 陷阱
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GaN基MSM结构紫外光探测器 被引量:4
6
作者 王俊 赵德刚 +5 位作者 刘宗顺 冯淦 朱建军 沈晓民 张宝顺 杨辉 《中国科学(G辑)》 CSCD 2003年第1期34-38,共5页
在蓝宝石(0001)衬底上采用低压金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法生长GaN外延层,以此为材料,制作了暗电流很小的金属-半导体-金属(MSM)结构紫外光探测器。测量了该紫外光探测器的唁电流和360nm波长光照下的光电流曲线、光响应曲线和响... 在蓝宝石(0001)衬底上采用低压金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法生长GaN外延层,以此为材料,制作了暗电流很小的金属-半导体-金属(MSM)结构紫外光探测器。测量了该紫外光探测器的唁电流和360nm波长光照下的光电流曲线、光响应曲线和响应度随偏压变化的曲线。该紫外光探测器在5V偏压时暗电流为1.03 nA,在10V偏压时暗电流为15.3nA。在15V偏压下该紫外光探测器在366nm波长处的响应度达到0.166 A/W,在365nm波长左右有陡峭的截止边。从0~15V,该紫外光探测器在360nm波长处的响应度随着偏压的增加而增大。详细地分析了该紫外光探测器的暗电流、光电流、响应度随偏压变化的关系。 展开更多
关键词 GAN msm结构 紫外光探测器 响应度 氮化镓 晶体生长
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MSM结构GaAs探测器的抗辐照性能
7
作者 李澄 陈宏芳 +5 位作者 吴冲 张永明 许咨宗 乐毅 邵传芬 史常忻 《高能物理与核物理》 CSCD 北大核心 2000年第5期431-438,共8页
研究一种双金属接触的GaAs半导体探测器在 1 4MeV中子辐照下的性能 .测量了探测器经过 1 0 12 n/cm2 中子辐照剂量后的反向漏电流、电荷收集效率和最小电离粒子能谱 ,并且与 6 0 Co 1 2 5MeV光子辐照的测量结果相比较 .对中子辐照引起... 研究一种双金属接触的GaAs半导体探测器在 1 4MeV中子辐照下的性能 .测量了探测器经过 1 0 12 n/cm2 中子辐照剂量后的反向漏电流、电荷收集效率和最小电离粒子能谱 ,并且与 6 0 Co 1 2 5MeV光子辐照的测量结果相比较 .对中子辐照引起探测器时间性能变化和辐照损伤机制进行了探讨 .并根据实验结果提出了这种双金属接触GaAs探测器灵敏层分布的一种假设 。 展开更多
关键词 GaAs半导体 粒子探测器 辐照损伤 msm结构
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新型MSM结构砷化镓半导体探测器的性能 被引量:1
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作者 乐毅 李澄 +5 位作者 陈宏芳 张永明 汪晓莲 王立刚 邵传芬 史常忻 《高能物理与核物理》 CSCD 北大核心 1998年第12期1092-1099,共8页
研究一种新型双金属接触GaAs半导体探测器的性能,测量了(241)Am5.48MeVα粒子、(57)Co122keV的光子和(90)Sr2.27MeVβ粒子的最小电离粒子谱,比较了一个3×3mm2的GaAs芯片在经过(137)Cs662keV光子约1300rad辐照前后的电... 研究一种新型双金属接触GaAs半导体探测器的性能,测量了(241)Am5.48MeVα粒子、(57)Co122keV的光子和(90)Sr2.27MeVβ粒子的最小电离粒子谱,比较了一个3×3mm2的GaAs芯片在经过(137)Cs662keV光子约1300rad辐照前后的电荷收集效率和能量分辨率.测量结果显示这种新型金属─半导体─金属(MSM)结构的半导体探测器不仅在室温下对各种粒子具有良好的探测能力,而且具有很好的抗辐照性能. 展开更多
关键词 msm结构 半导体 粒子探测器 砷化镓
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MSM结构Mg_(0.2)Zn_(0.8)O可见盲光电探测器
9
作者 蒋大勇 徐锋 +3 位作者 曹雪 孙云刚 陈濛 刘芯宇 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第10期17-20,共4页
采用射频磁控溅射,通过传统的紫外曝光和湿法腐蚀的方法,制备了不同电极间距的金属-半导体-金属(MSM)结构Mg0.2Zn0.8O可见盲光电探测器。研究了器件的暗电流和响应度随电极间距的变化关系,当施加的电压没有达到贯穿电压的时候,暗电流和... 采用射频磁控溅射,通过传统的紫外曝光和湿法腐蚀的方法,制备了不同电极间距的金属-半导体-金属(MSM)结构Mg0.2Zn0.8O可见盲光电探测器。研究了器件的暗电流和响应度随电极间距的变化关系,当施加的电压没有达到贯穿电压的时候,暗电流和响应度均随着电极间距的增加而减小,并对其具体的机制进行了研究。 展开更多
关键词 光电探测器 氧镁锌 响应度 暗电流 金属-半导体-金属(msm)结构
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基于法布里-珀罗共振的红外探测器性能分析
10
作者 黄磊 杨春花 +1 位作者 刘红梅 胡洪武 《山西大同大学学报(自然科学版)》 2024年第4期9-12,共4页
红外探测器吸收性能的相关研究一直是备受关注的研究领域,吸收率仍存在进一步提升的潜力。设计了金属-半导体-金属(MSM)型量子阱红外探测器结构,并在仿真软件中模拟计算了其吸收率。结果表明,该结构可以在特定频率下发生法布里-珀罗共振... 红外探测器吸收性能的相关研究一直是备受关注的研究领域,吸收率仍存在进一步提升的潜力。设计了金属-半导体-金属(MSM)型量子阱红外探测器结构,并在仿真软件中模拟计算了其吸收率。结果表明,该结构可以在特定频率下发生法布里-珀罗共振(FP共振)且明显增强了吸收。此外,量子阱的层数和入射角度等因素会对FP共振频率产生影响,且在量子阱层数为7层、入射角在0°~15°之间时,所设计的MSM型量子阱红外探测器表现出最佳的吸收性能。 展开更多
关键词 FP共振 msm结构 红外探测器 斜入射
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基于多模-单模-多模结构和光纤布拉格光栅同时测量温度和折射率 被引量:14
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作者 童峥嵘 郭阳 +1 位作者 杨秀峰 曹晔 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第5期921-926,共6页
利用单模光纤(SMF)中的包层模与纤芯导模之间的干涉,提出了一种基于多模-单模-多模(MSM)结构与布拉格光栅(FBG)级联可同时测量温度和折射率的传感器。基于MSM结构的干涉谱和FBG的透射峰对温度和折射率具有不同响应灵敏度的特点,利用敏... 利用单模光纤(SMF)中的包层模与纤芯导模之间的干涉,提出了一种基于多模-单模-多模(MSM)结构与布拉格光栅(FBG)级联可同时测量温度和折射率的传感器。基于MSM结构的干涉谱和FBG的透射峰对温度和折射率具有不同响应灵敏度的特点,利用敏感矩阵实现了对温度和折射率的同时测量。实验测得MSM结构和FBG的温度灵敏度分别为0.055 2nm/℃和0.015 8nm/℃,MSM结构的折射率灵敏度为109.702nm/RIU,而FBG对折射率变化不敏感。温度和折射率的测量精度分别为±0.32℃和±0.002 3。实验显示提出的MSM结构的温度灵敏度比单模-多模-单模(SMS)结构传感器提高了5倍,同时由于SMF中的包层模对外界环境的变化较敏感,该MSM结构也可应用于其他传感领域。 展开更多
关键词 光纤传感 同时测量 温度测量 折射率测量 多模-单模-多模(msm)结构
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边缘结构模型在职业暴露跟踪研究中的应用理论探讨
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作者 石晶 《中国安全科学学报》 CAS CSCD 北大核心 2013年第11期108-112,共5页
为解决在职业暴露跟踪调查及重复测量研究中,健康工人效应会使研究结果出现偏差的问题,采用新型的边缘结构模型(MSM)对相关数据进行处理。通过构造与事实相反的虚构样本,同时处理不同情况下的数据删失问题,以寻找跟踪调查的中间结果作... 为解决在职业暴露跟踪调查及重复测量研究中,健康工人效应会使研究结果出现偏差的问题,采用新型的边缘结构模型(MSM)对相关数据进行处理。通过构造与事实相反的虚构样本,同时处理不同情况下的数据删失问题,以寻找跟踪调查的中间结果作为时变混杂变量,进而计算稳定反概率处理权重(IPTW)以修正健康工人效应造成的统计结果偏差,并用MSM来处理实际样本数据。结果表明:MSM可以通过使用稳定IPTW在一定程度上减少职业暴露研究数据分析过程中健康工人效应对研究的影响,比以往的数据分析方法更能准确地反映重复测量跟踪调查研究中职业暴露水平与职业危害间的关系。 展开更多
关键词 边缘结构模型(msm) 职业暴露 职业病 健康工人效应 反概率处理权重(IPTW) 跟踪调查研究
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基于超宽β-Ga_(2)O_(3)微米带的日盲光电探测器研究 被引量:1
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作者 马珂 陈海峰 +1 位作者 刘涛 陆芹 《电子元件与材料》 CAS 北大核心 2023年第3期294-302,共9页
氧化镓的禁带宽度接近5 eV,是一种极具前景的日盲紫外探测半导体材料。基于碳热还原法生长高质量β-Ga_(2)O_(3)微米带制备出MSM(Metal-Semiconductor-Metal)结构光电导紫外探测器,研究了不同的结构对光电器件性能的影响。结果表明等间... 氧化镓的禁带宽度接近5 eV,是一种极具前景的日盲紫外探测半导体材料。基于碳热还原法生长高质量β-Ga_(2)O_(3)微米带制备出MSM(Metal-Semiconductor-Metal)结构光电导紫外探测器,研究了不同的结构对光电器件性能的影响。结果表明等间距叉指电极光电探测器相较于两端电阻型光电探测器有更优异的性能。在10 V/254 nm紫外光照下,其响应度、外部量子效率、比探测率和光响应时间等性能提高明显,其中光电流(Iphoto)有接近2个数量级的提升,且-2 V附近光暗电流比值增大至2.29×10^(5)。随着叉指电极间距从50μm缩减至20μm,器件Iphoto变大,其物理机制归因于阳极附近的耗尽层占据电极间微米带的比例增大引发了更高的光生载流子输运效率。 展开更多
关键词 β-Ga_(2)O_(3) 碳热还原法 紫外探测器 msm结构
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基于热电子发射非线性的波导结无源互调机理研究 被引量:2
14
作者 叶鸣 贺永宁 +2 位作者 孙勤奋 黄光孙 崔万照 《空间电子技术》 2012年第3期55-57,70,共4页
文章通过建立微波波导连接结的金属-半导体-金属(MSM)结构模型来探讨其无源互调(PIM)产生机理。首先,依据实际镀银波导钝化工艺过程建立了波导连接结的MSM结构模型及其等效电路,然后分析了MSM结构的非线性热电子发射电流特性,最后对MSM... 文章通过建立微波波导连接结的金属-半导体-金属(MSM)结构模型来探讨其无源互调(PIM)产生机理。首先,依据实际镀银波导钝化工艺过程建立了波导连接结的MSM结构模型及其等效电路,然后分析了MSM结构的非线性热电子发射电流特性,最后对MSM结构的三阶PIM进行了理论计算。研究结果表明:PIM随着波导连接压力的增加而呈现出较为复杂的变化规律,并且在106Pa附近存在极小值;PIM随输入功率的增加而增加,尤其是在大的接触压力条件下,增幅更明显;钝化层掺杂浓度的增加总体上使PIM减小,但在1016cm-3~1018cm-3的掺杂范围内存在极小值点。文章理论结果对探讨PIM产生机理及工程实践具有借鉴意义。 展开更多
关键词 无源互调 msm结构模型 热电子发射 非线性
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MgZnO薄膜晶体管在紫外探测中的特性研究 被引量:1
15
作者 吴昀卓 高晓红 +4 位作者 秦大双 曾一明 张耕严 岳廷峰 刘建文 《电脑知识与技术》 2020年第6期252-254,共3页
室温下通过磁控溅射的方式在热氧化SiO2的衬底上沉积MgZnO薄膜,研究Mg元素的少量掺杂对薄膜以及器件性能的影响,使用湿法刻蚀的方法制备了MSM结构的器件。器件开关比3.66×106,在入射波长为365nm、254nm的光照下响应度分别达到了3.1... 室温下通过磁控溅射的方式在热氧化SiO2的衬底上沉积MgZnO薄膜,研究Mg元素的少量掺杂对薄膜以及器件性能的影响,使用湿法刻蚀的方法制备了MSM结构的器件。器件开关比3.66×106,在入射波长为365nm、254nm的光照下响应度分别达到了3.16A/W、7.74A/W.光暗电流比在101~104之间。通过紫外光分度计测试出薄膜在可见光区域透过率达到90%以上,光学带隙为3.28eV。 展开更多
关键词 MgZnO薄膜晶体管 MgZnO薄膜 msm结构 响应度 光暗电流比
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基于氮化硼薄膜的alpha粒子探测器
16
作者 王少堂 黄河 +1 位作者 岳秀萍 万志永 《电子技术与软件工程》 2022年第5期89-92,共4页
本文利用低压化学气相沉积法在蓝宝石衬底上外延生长了高质量的厚度为1μm的h-BN。在h-BN上沉积Au电极制备了MSM(Metal-Semiconductor-Metal)结构的alpha粒子探测器。对制备器件的电学特性进行测试,结果表明无论是正向电压还是反向电压... 本文利用低压化学气相沉积法在蓝宝石衬底上外延生长了高质量的厚度为1μm的h-BN。在h-BN上沉积Au电极制备了MSM(Metal-Semiconductor-Metal)结构的alpha粒子探测器。对制备器件的电学特性进行测试,结果表明无论是正向电压还是反向电压,探测器的漏电流都在纳安数量级,满足核辐射探测器的要求。利用能量为5.48MeV的^(241)Am alpha源测试了探测器的alpha粒子响应,测试结果表明,探测器能够实现对alpha粒子的探测,这些结果清楚的表明,高质量的h-BN有望在核辐射探测领域得到应用。 展开更多
关键词 H-BN 探测器 msm结构 alpha粒子
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Hydrogen Gas Sensor Based on ZnO Nanoroads Grown on Si by Thermal Evaporation
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作者 Hind Ibraheem Abdulgafour Hassan Hadi Darwoysh Faez Mohamad Hassan 《材料科学与工程(中英文A版)》 2016年第2期51-56,共6页
关键词 氢气传感器 硅传感器 ZNO 热蒸发 氧化锌纳米棒 金属-半导体-金属 气体传感器 msm结构
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GaN金属-半导体-金属紫外光电探测器的研制
18
作者 陈小红 蔡加法 +2 位作者 程翔 邓彩玲 陈松岩 《厦门大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2007年第1期47-50,共4页
用金属有机物化学汽相沉积(MOCVD)方法在蓝宝石衬底上制备了GaN单晶薄膜,并对样品进行X射线衍射和光致发光谱测量.利用GaN样品成功地制备了金属-半导体-金属(MSM)结构GaN紫外光电探测器,并对其I-V特性、光谱响应及击穿电压等性能进行测... 用金属有机物化学汽相沉积(MOCVD)方法在蓝宝石衬底上制备了GaN单晶薄膜,并对样品进行X射线衍射和光致发光谱测量.利用GaN样品成功地制备了金属-半导体-金属(MSM)结构GaN紫外光电探测器,并对其I-V特性、光谱响应及击穿电压等性能进行测试和分析.结果表明,探测器在-5 V偏压下的光电流与暗电流之比大于400倍;探测器光响应在352 nm附近达到响应峰值,并在364 nm附近出现截止,即具备可见盲特性;器件的光响应度最好达0.21A/W. 展开更多
关键词 GAN 金属-半导体-金属(msm)结构 紫外探测器
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Ag生长温度对Ag/ZnO肖特基接触特性的影响 被引量:1
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作者 李新坤 李清山 +2 位作者 梁德春 徐言东 谢小军 《中国科学(E辑)》 CSCD 北大核心 2009年第7期1269-1274,共6页
利用脉冲激光沉积(PLD)方法在Si衬底上制备了ZnO单晶体薄膜,并在不同温度下生长了Ag膜作为肖特基电极,研究了Ag与ZnO的接触特性.利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜和I-V测试方法对样品的晶体质量、结构和电学性质进行了分析.结果表明,Zn... 利用脉冲激光沉积(PLD)方法在Si衬底上制备了ZnO单晶体薄膜,并在不同温度下生长了Ag膜作为肖特基电极,研究了Ag与ZnO的接触特性.利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜和I-V测试方法对样品的晶体质量、结构和电学性质进行了分析.结果表明,ZnO薄膜具有高度的c轴择优取向,Ag膜随生长温度的不同的晶体质量有较大差异.样品在室温下的I-V测试结果表明Ag电极的生长温度对Ag/ZnO接触性能有重要影响.在150℃和200℃生长的Ag电极实现了Ag与ZnO的肖特基接触,电极生长温度低于150℃和高于200℃的样品Ag与ZnO均为欧姆接触.经过分析,肖特基接触的形成依赖于在Ag与ZnO接触界面处形成的p型反型层. 展开更多
关键词 ZNO 肖特基势垒 接触界面 msm结构
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Simultaneous measurement of refractive index, temperature and strain based on core diameter mismatch and polarization-maintaining FBG 被引量:9
20
作者 童峥嵘 王洁玉 +1 位作者 张卫华 曹晔 《Optoelectronics Letters》 EI 2013年第3期238-240,共3页
A kind of fiber-optic sensor for simultaneous measurement of refractive index of surrounding medium, temperature and strain is described. Based on core diameter mismatch, a multimode-single mode-multimode (MSM) struct... A kind of fiber-optic sensor for simultaneous measurement of refractive index of surrounding medium, temperature and strain is described. Based on core diameter mismatch, a multimode-single mode-multimode (MSM) structure is presented. It is demonstrated that the three parameters can be measured respectively by the interference of the core mode and cladding modes excited in the single mode fiber (SMF). Then combined with a polarization-maintaining fiber Bragg grating (PMFBG) which has different sensing properties from MSM structure, three parameters are measured simultaneously. The experimental results show that PMFBG is insensitive to the refractive index and the refractive index sensitivity of the MSM structure is 96.04 nm·RIU^(-1); the temperature sensitivities of the characteristic wavelength for MSM structure and the center wavelengths of fast and slow axes for PMFBG are 0.0911 nm °C^(-1), 0.00976 nm °C^(-1) and 0.0105 nm °C^(-1), respectively; the strain sensitivities of those are -0.013 nm με^(-1), 0.012 nm με^(-1) and 0.012 nm με^(-1), respectively. 展开更多
关键词 温度敏感性 应变灵敏度 同时测量 折射率 不匹配 光纤光栅 直径 msm结构
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