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题名高开关频率SiC逆变器的控制程序执行时间优化
被引量:3
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作者
何国林
国敬
范涛
温旭辉
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机构
中国科学院电工研究所
中国科学院大学
中国科学院电力电子和电气驱动重点实验室
北京市电动车辆协同创新中心
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出处
《微电机》
2017年第3期27-31,共5页
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基金
科技部新能源汽车试点专项"高温车用SiC器件及系统的基础理论与评测方法研究"(2016YFB0100600)
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文摘
本文的背景项目是研制一台基于SiC MOSFET的高功率密度电动汽车用驱动逆变器。为实现高功率密度的目标,需充分发挥SiC器件高频、高速和高效的优异性能,但随之而来的是对逆变器其他组件带来的更高性能要求。以主控代码为例,当SiC器件的开关频率提升到50 k Hz时,现有代码的执行时间已不能满足要求,成为制约控制频率上升的主要因素。要想发挥SiC器件的潜在优势,就要求在不减少原有功能的基础上,优化程序代码。本文以50k Hz的控制频率为目标,综合使用函数转移到RAM中执行,函数重构,程序的交错执行等方法对基于TI的TMS320F28335的硬件平台的C语言控制程序进行优化,使得程序的总执行时间从基准代码的34.2μs减小到13.6μs,为基于SiC MOSFET的高功率密度变频器的研制做好软件上的准备。
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关键词
DSP
TMS320F28335
SIC
msofet
代码执行时间优化
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Keywords
DSP
TMS320F28335
SiC MOSFET
Code execution time optimization
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分类号
TM464
[电气工程—电器]
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