高开关频率SiC逆变器的控制程序执行时间优化

本文的背景项目是研制一台基于SiC MOSFET的高功率密度电动汽车用驱动逆变器。为实现高功率密度的目标,需充分发挥SiC器件高频、高速和高效的优异性能,但随之而来的是对逆变器其他组件带来的更高性能要求。以主控代码为例,当SiC器件的开关频率提升到50 k Hz时,现有代码的执行时间已不能满足要求,成为制约控制频率上升的主要因素。要想发挥SiC器件的潜在优势,就要求在不减少原有功能的基础上,优化程序代码。本文以50k Hz的控制频率为目标,综合使用函数转移到RAM中执行,函数重构,程序的交错执行等方法对基于TI的TMS320F28335的硬件平台的C语言控制程序进行优化,使得程序的总执行时间从基准代码的34.2μs减小到13.6μs,为基于SiC MOSFET的高功率密度变频器的研制做好软件上的准备。