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利用MSOS电容器测量a-Si:H薄膜的厚度
1
作者 龚道本 《中南民族学院学报（自然科学版）》 1996年第3期18-21,共4页
由金属-非晶态半导体-氧化物-半导体等4层结构组成的MSOS电容器,它的正向偏压C-V特性曲线有一个电容的最小值C_min,它反映了a-Si:H薄膜的厚度d_(?),提出了一种新的测量a-Si:H簿膜厚度的方法——电容测厚法,它有如下优点:①测量数据可靠... 由金属-非晶态半导体-氧化物-半导体等4层结构组成的MSOS电容器,它的正向偏压C-V特性曲线有一个电容的最小值C_min,它反映了a-Si:H薄膜的厚度d_(?),提出了一种新的测量a-Si:H簿膜厚度的方法——电容测厚法,它有如下优点:①测量数据可靠;②精度较高,可达±8nm;③测量范围较大。 展开更多
关键词 msos电容器 半导体 薄膜 厚度 测量 硅
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MSOS电容器的研制及其C－V特性分析
2
作者 龚道本 《中南民族学院学报（自然科学版）》 1996年第1期7-11,共5页
在ＭＯＳ电容器的基础上提出了一种新型的电容器，它是由金属－非晶态半导体－氧化物－半导体４层结构组成的电容器，简称为ＭＳＯＳ电容器，用Ｃ－Ｖ仪画出了它的Ｃ－Ｖ特性曲线；并用能带模型对此特性进行了分析，该电容器的特性是通... 在ＭＯＳ电容器的基础上提出了一种新型的电容器，它是由金属－非晶态半导体－氧化物－半导体４层结构组成的电容器，简称为ＭＳＯＳ电容器，用Ｃ－Ｖ仪画出了它的Ｃ－Ｖ特性曲线；并用能带模型对此特性进行了分析，该电容器的特性是通过控制外加电压Ｖ，可以改变其电容量Ｃ，且在Ｖ＝０值附近出现峰值Ｃｍａｘ． 展开更多
关键词 msos电容器 耗尽层电容C C-V特性 压控电容器
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