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Method of simulating hybrid STT-MTJ/CMOS circuits based on MATLAB/Simulink
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作者 冀敏慧 张欣苗 +7 位作者 潘孟春 杜青法 胡悦国 胡佳飞 邱伟成 彭俊平 林珠 李裴森 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2023年第7期591-597,共7页
The spin-transfer-torque(STT)magnetic tunneling junction(MTJ)device is one of the prominent candidates for spintronic logic circuit and neuromorphic computing.Therefore,building a simulation framework of hybrid STT-MT... The spin-transfer-torque(STT)magnetic tunneling junction(MTJ)device is one of the prominent candidates for spintronic logic circuit and neuromorphic computing.Therefore,building a simulation framework of hybrid STT-MTJ/CMOS(complementary metal-oxide-semiconductor)circuits is of great value for designing a new kind of computing paradigm based on the spintronic devices.In this work,we develop a simulation framework of hybrid STT-MTJ/CMOS circuits based on MATLAB/Simulink,which is mainly composed of a physics-based STT-MTJ model,a controlled resistor,and a current sensor.In the proposed framework,the STT-MTJ model,based on the Landau-Lifshitz-Gilbert-Slonczewsk(LLGS)equation,is implemented using the MATLAB script.The proposed simulation framework is modularized design,with the advantage of simple-to-use and easy-to-expand.To prove the effectiveness of the proposed framework,the STT-MTJ model is benchmarked with experimental results.Furthermore,the pre-charge sense amplifier(PCSA)circuit consisting of two STT-MTJ devices is validated and the electrical coupling of two spin-torque oscillators is simulated.The results demonstrate the effectiveness of our simulation framework. 展开更多
关键词 magnetic tunneling junction(mtj)model spin-transfer-torque(STT) circuit simulation MATLAB/SIMULINK
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MTJ MRAM的特性分析与设计 被引量:2
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作者 尚也淳 刘忠立 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2003年第2期229-235,共7页
对 MTJ(磁隧道结 )的 GMR(巨磁阻 )效应进行了分析。 MTJ的结构、形态和工作条件会对 GMR效应产生不同的影响。提出了一种 4× 1位 MTJMRAM(磁存储器 )的电路结构 ,每个 MRAM的存储单元由一个MTJ和一个 MOSFET构成 ,用 MTJ两磁极磁... 对 MTJ(磁隧道结 )的 GMR(巨磁阻 )效应进行了分析。 MTJ的结构、形态和工作条件会对 GMR效应产生不同的影响。提出了一种 4× 1位 MTJMRAM(磁存储器 )的电路结构 ,每个 MRAM的存储单元由一个MTJ和一个 MOSFET构成 ,用 MTJ两磁极磁化方向的相对取向表示所存储的数据 ,数字线和位线电流产生磁场的共同作用可完成 MRAM数据的写入。 展开更多
关键词 磁隧道结 巨磁阻 mtj MRAM 磁存储器 电路结构 磁阻率
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采用混合MTJ/CMOS和SABL结构的密码算法电路设计
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作者 王晨旭 闫涛 +4 位作者 宫月红 罗敏 曾琅 张德明 徐天亮 《哈尔滨工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第6期72-78,共7页
为了在提高轻量级密码算法(Lightweight cipher algorithm,LWCA)电路安全性的同时降低功耗,提出了一种磁隧道结(Magnetic tunnel junction,MTJ)/CMOS混合结构查找表(Look up table,LUT)电路,该结构通过与感测放大器逻辑(Sense amplifier... 为了在提高轻量级密码算法(Lightweight cipher algorithm,LWCA)电路安全性的同时降低功耗,提出了一种磁隧道结(Magnetic tunnel junction,MTJ)/CMOS混合结构查找表(Look up table,LUT)电路,该结构通过与感测放大器逻辑(Sense amplifier based logic,SABL)元件配合可以实现完整的PRESENT-80加密算法电路。设计将MTJ器件引入防护电路设计中,进而提出了一种基于混合MTJ/CMOS结构的双轨查找表(Look-up table,LUT)电路结构。首先,基于40 nm CMOS工艺库和MTJ器件仿真模型,使用新提出的双轨查找表结构设计了加密算法电路工作过程中所需要的关键S-box电路并通过了仿真验证。然后,利用该电路和敏感放大器逻辑元件电路结构组合设计了PRESENT-80密码算法的完整电路。最后对所设计的电路模型进行了相关性功耗分析攻击(CPA)攻击,同时为了方便进行对比研究,还对使用传统CMOS单轨和SABL双轨结构实现的PRESENT-80加密算法电路模型进行了相同条件下的仿真和功耗分析研究。对比仿真结果表明,基于新结构实现的电路具有良好的抗功耗攻击性能,能够抵御10000条功耗迹下的CPA攻击,同时新结构的电路在工作时的平均功耗要明显低于经典的SABL电路。 展开更多
关键词 mtj SABL PRESENT 低功耗 抗CPA攻击
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基于2T1MTJ单元结构的STT-MRAM存内计算实现 被引量:2
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作者 郑志强 陈俊杰 +2 位作者 颜思岑 胡炜 王少昊 《微电子学与计算机》 2021年第11期101-108,共8页
在处理数据密集型应用时,传统冯·诺依曼计算体系架构难以兼顾低延时与低功耗.通过数据处理架构创新,存内计算技术可有效提升处理器与内存间的通信效率并克服"内存墙"性能瓶颈.提出了一种基于2T1MTJ(双晶体管单磁隧道结)... 在处理数据密集型应用时,传统冯·诺依曼计算体系架构难以兼顾低延时与低功耗.通过数据处理架构创新,存内计算技术可有效提升处理器与内存间的通信效率并克服"内存墙"性能瓶颈.提出了一种基于2T1MTJ(双晶体管单磁隧道结)单元结构的通用型STT-MRAM(自旋转移矩磁性随机存储器)存内计算方案,通过复用存取晶体管将位逻辑运算的控制前置于阵列中,并能同时兼顾MRAM常规存储功能.结合SMIC 55nm工艺与p-MTJ紧凑模型进行了CMOS/MTJ混合仿真,并与基于1T1MTJ和2T2MTJ单元结构的同类方案进行了性能对比.结果表明,由于运用了和存储单元具有相同MTJ的单一逻辑运算参考单元,2T1MTJ方案的与/或位逻辑运算正确率和单元写入正确率在不同MTJ工艺偏差、TMR(隧穿磁阻效应)偏差、温度变化、电压波动情况下,整体优于1T1MTJ方案;相比2T2MTJ方案,提出方案的写入正确率高37.1%,单元面积减半.此外,还提出一种采用双阈值晶体管的改进型2T1MTJ单元结构方案,其读写性能均优于采用相同存取晶体管的2T1MTJ方案,其中对单元写入正确率的提升达9.4%. 展开更多
关键词 自旋转移矩-磁随机存储器(STT-MRAM) 2T1mtj 存内计算
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面向MTJ的硬判决信道量化器设计与应用 被引量:1
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作者 唐慧琴 赖怡桐 +2 位作者 刘静华 陈平平 王少昊 《微电子学与计算机》 2022年第10期118-125,共8页
磁随机存储器(MRAM)利用磁隧道结(MTJ)的高、低阻态来储存二进制信息,并常以MTJ参考电阻网络用作硬判决门限.MTJ阻态的阻值易受工艺偏差、电压、温度(PVT)因素影响,对大PVT范围内MRAM读操作的可靠性提出了挑战.本文提出一种基于MTJ参考... 磁随机存储器(MRAM)利用磁隧道结(MTJ)的高、低阻态来储存二进制信息,并常以MTJ参考电阻网络用作硬判决门限.MTJ阻态的阻值易受工艺偏差、电压、温度(PVT)因素影响,对大PVT范围内MRAM读操作的可靠性提出了挑战.本文提出一种基于MTJ参考电阻网络方案的硬判决信道量化器模型,考虑了温度、工艺波动等关键参数对MTJ不同阻态阻值的影响.通过比较由七种MTJ参考电阻组合所提供的硬判决门限,发现在MTJ工艺偏差6%~20%、温度233 K~400 K区间内,2(R_(P)//R_(AP))参考网络提供的判决门限可实现逼近最大化互信息量化方案的平均读决策错误率,且在大温度、工艺波动范围下展现出良好的跟随性.通过将上述一位硬判决信道量化方案应用在面向MTJ级联信道的纠错编码方案分析中,结果表明,在上述温度和工艺偏差范围内,所提出的2(R_(P)//R_(AP))硬判决门限在不同纠错算法下逼近于最大化互信息量化的理论最佳方案,并且短码的里德-索洛蒙(BCH)(127,92,5)码的解码性能优于低密度奇偶校验(LDPC)码和极化(Polar)码. 展开更多
关键词 磁隧道结(mtj) 信道模型 信道量化器 纠错编码(ECC)
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MTJ8704A摇枕专机大修改造
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作者 侯丽萍 《设备管理与维修》 2005年第S1期366-368,共3页
对 MTJ8704A 摇枕专机改造进行可行性分析,并采取相应的大修改造措施,节约了资金。
关键词 摇枕 转向架 转向装置 mtj8704A 大修改造 旅客机 专机
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索尼KV-2965MTJ型大屏幕彩电电源故障检修
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作者 毋军祖 《家庭电子》 2001年第11期52-52,共1页
日本索尼公司设计并生产的KV-2965MTJ型彩色电视机为全制式国际线路。其电源部分必用自激并联型开关稳压电路,在110~240V(50~60Hz)市电范围内均能正常工作,该电源电路输出主电压+135V与22V、14V两组辅助电压,且设有过流、过压、防开... 日本索尼公司设计并生产的KV-2965MTJ型彩色电视机为全制式国际线路。其电源部分必用自激并联型开关稳压电路,在110~240V(50~60Hz)市电范围内均能正常工作,该电源电路输出主电压+135V与22V、14V两组辅助电压,且设有过流、过压、防开机冲击、过载等保护措施,当电源电路中某元器件损坏,或市电电压过高、过低,或负载过重时,能立即进入保护状态,防止故障范围扩大而造成其它元器件的损坏。 展开更多
关键词 索尼KV-2965mtj 大屏幕彩电 电源 故障 维修
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A Novel MTJ-Based Register
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作者 Y.F. Jiang X.B. Zhang J.X. Ju 《Journal of Energy and Power Engineering》 2010年第5期58-63,共6页
关键词 INTEGRATED 互补金属氧化物半导体 注册 设备组成 HSPICE 磁性隧道结 EASY 仿真结果
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一种用于STT-MRAM可缓解NBTI效应的灵敏放大器
9
作者 张丽 《中国集成电路》 2024年第5期62-66,71,共6页
自旋转移力矩磁随机存储器(STT-MRAM)是存内计算体系结构中非易失性存储器的热点器件。随着器件尺寸的减小,STT-MRAM电路性能会因为工艺电压温度的变化而退化,电路中的PMOSFET也因为负偏压温度不稳定性(NBTI)引发的退化越来越严重。为降... 自旋转移力矩磁随机存储器(STT-MRAM)是存内计算体系结构中非易失性存储器的热点器件。随着器件尺寸的减小,STT-MRAM电路性能会因为工艺电压温度的变化而退化,电路中的PMOSFET也因为负偏压温度不稳定性(NBTI)引发的退化越来越严重。为降低NBTI效应造成的PMOSFET性能退化以及工艺电压温度变化对STT-MRAM读取电路的影响,本文设计了一款包含开关器件的读取灵敏放大器,仿真结果表明所设计的灵敏放大器可有效降低NBTI对PMOSFET特性的影响,同时降低了电路对工艺变化的灵敏度。 展开更多
关键词 自旋转移力矩磁随机存储器 磁隧道结 灵敏放大器 负偏压温度不稳定性
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索尼KV—2965MTJ型彩电开关电源电路与检修要点
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作者 李庆华 《家电检修技术》 2001年第3期3-4,共2页
一、索尼KV—2965MTJ型彩电开关电源采用全功能一体化(大功率开关管、脉宽调制管、取样放大电路以及过流保护电路等)电源厚膜电路STR—S5741,使电源整体电路更加简洁,提高了各方面的电路性能及可靠性,在输入电压110~240V范围内可使整... 一、索尼KV—2965MTJ型彩电开关电源采用全功能一体化(大功率开关管、脉宽调制管、取样放大电路以及过流保护电路等)电源厚膜电路STR—S5741,使电源整体电路更加简洁,提高了各方面的电路性能及可靠性,在输入电压110~240V范围内可使整机正常工作。 1.整流限流电路(见图1),由R604、Q601、D602等组成限流电路,其工作原理是:刚开机时。 展开更多
关键词 彩电 开关电源电路 KV-2965mtj 检修 索尼牌
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MTJ系列电磁推动器
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《能源通讯》 2000年第2期28-28,共1页
北京大华天力电子技术有限公司研制的MTJ系列长行程电磁推动器,经企业使用,取得了良好的节电降耗效果。
关键词 北京大华天力电子技术有限公司 mtj系列 电磁推动器 性能
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应用于STT-MRAM存储器的高可靠灵敏放大器设计 被引量:1
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作者 李嘉威 吴楚彬 +3 位作者 王超 孙杰杰 杨霄垒 赵桂林 《电子与封装》 2023年第4期60-64,共5页
自旋转移矩磁性随机存储器(STT-MRAM)以其非易失性、速度快、数据保持时间长等优势被认为是最有潜力的新型存储技术之一。然而,由于磁性隧道结(MTJ)的温度相关性,其隧穿磁阻率(TMR)在高温下会变低,对高可靠灵敏放大器的设计提出了更高... 自旋转移矩磁性随机存储器(STT-MRAM)以其非易失性、速度快、数据保持时间长等优势被认为是最有潜力的新型存储技术之一。然而,由于磁性隧道结(MTJ)的温度相关性,其隧穿磁阻率(TMR)在高温下会变低,对高可靠灵敏放大器的设计提出了更高的要求。基于2T-2MTJ存储单元,设计了一款可以工作在宽温度范围内的高灵敏度放大器。在-40~125℃的温度范围内,该灵敏放大器在TMR为50%时仍具有较高的灵敏度,保证了STT-MRAM的读可靠性。 展开更多
关键词 自旋转移矩磁性随机存储器 2T-2mtj 高可靠性 灵敏放大器
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磁隧道结器件频率响应特性有限元仿真方法
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作者 姚馨平 潘孟春 +3 位作者 冀敏慧 胡佳飞 张琦 李裴森 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2023年第6期21-24,共4页
磁隧道结(MTJ)器件是隧道磁电阻传感器的核心结构,其频率响应特性关乎传感器的性能。本文提出了一种“隧道结电路模型+分布式寄生电容”的MTJ器件频率响应特性有限元仿真方法,并对桥式结构MTJ器件进行了实验测试与仿真对比分析,验证了... 磁隧道结(MTJ)器件是隧道磁电阻传感器的核心结构,其频率响应特性关乎传感器的性能。本文提出了一种“隧道结电路模型+分布式寄生电容”的MTJ器件频率响应特性有限元仿真方法,并对桥式结构MTJ器件进行了实验测试与仿真对比分析,验证了该仿真方法的有效性。基于所提方法,针对电极尺寸对器件频响特性的影响进行了系统仿真,验证了利用该方法进行优化设计的可行性。相关研究对MTJ器件的设计具有重要指导意义。 展开更多
关键词 磁隧道结 隧道磁电阻 频率响应 有限元仿真
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磁阻式随机存取存储器研究 被引量:8
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作者 朱思峰 詹承华 蒋泽军 《河南师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2006年第1期25-27,共3页
研究了MRAM存取技术的基本原理,比较分析了1T1MTJ架构和XPC架构下MRAM的存取机制,探讨了MRAM作为下一代新型存储器的应用前景.
关键词 磁阻式随机存取存储器 磁性隧道接 1T1mtj架构 XPC架构
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基于应变调制型磁性隧道结的自动置位逻辑门电路 被引量:2
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作者 徐立 蔡理 +3 位作者 崔焕卿 王森 杨晓阔 冯朝文 《微纳电子技术》 北大核心 2018年第2期84-90,共7页
建立了应变调制型磁性隧道结(MTJ)器件的HSpice电路仿真模型,分析了该器件的转换特性。基于所建立的模型并结合BSIM4 90 nm CMOS模型,设计了一种非易失性自动置位逻辑门电路。分析了4种组合输入电压作用下电路中MTJ磁阻的转变特性。... 建立了应变调制型磁性隧道结(MTJ)器件的HSpice电路仿真模型,分析了该器件的转换特性。基于所建立的模型并结合BSIM4 90 nm CMOS模型,设计了一种非易失性自动置位逻辑门电路。分析了4种组合输入电压作用下电路中MTJ磁阻的转变特性。对所设计电路的逻辑功能进行仿真分析,通过改变MTJ尺寸参数,得到了所设计电路两种规格下的输入和输出特性。仿真结果表明,该电路成功实现了或非(NOR)和与非(NAND)逻辑,验证了所设计电路功能的正确性。研究结果对今后基于应变调制型MTJ器件设计低功耗和非易失性集成电路具有重要意义。 展开更多
关键词 应变调制型磁性隧道结(mtj) 电路模型 或非(NOR)逻辑 与非(NAND)逻辑 CMOS
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MgO单晶势垒磁性隧道结的第一性原理计算和实验研究 被引量:3
16
作者 王琰 张佳 +2 位作者 张晓光 王守国 韩秀峰 《物理学进展》 CSCD 北大核心 2009年第4期375-391,共17页
在MgO单晶势垒磁性隧道结中发现的室温高隧穿磁电阻现象,是近些年自旋电子学以及磁性隧道结磁电阻材料研究中的又一重大突破。本文主要评述和介绍2001年以来MgO单晶势垒磁性隧道结第一性原理计算和实验上的重要进展,以及介绍利用Layer-... 在MgO单晶势垒磁性隧道结中发现的室温高隧穿磁电阻现象,是近些年自旋电子学以及磁性隧道结磁电阻材料研究中的又一重大突破。本文主要评述和介绍2001年以来MgO单晶势垒磁性隧道结第一性原理计算和实验上的重要进展,以及介绍利用Layer-KKR第一性原理计算方法研究的Fe(001)/MgO/Fe、Fe(001)/FeO/MgO/Fe、Fe(001)/Mg/MgO/Fe、Fe(001)/Co/MgO/Co/Fe和Fe(001)/MgO/Fe/MgO/Fe等基于单晶MgO(001)单势垒及双势垒磁性隧道结材料的电子结构和自旋相关输运性质研究的最新进展。这些第一性原理定量计算的结果,不仅从物理上增强了对MgO单晶势垒磁性隧道结的电子结构和自旋相关输运特性的了解,而且对于研究新型室温磁电阻隧道结材料及其在自旋电子学器件中的广泛应用,具有一定的参考价值。 展开更多
关键词 自旋电子学 磁性隧道结(mtj) 隧穿磁电阻(TMR) MgO(001)单晶势垒 第一性原理计算
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形状各向异性对垂直磁隧道结磁化动态的影响 被引量:1
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作者 刘斌 刘喆颉 +1 位作者 杨毅彪 刘欣 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2015年第3期157-161,203,共6页
纳米磁性结构内磁矩翻转动态特性对于磁存储以及自旋电子学的研究具有十分重要的意义。基于Landau-Lifshitz-Gilbert(LLG)方程,研究了垂直磁各向异性(PMA)磁隧道结(MTJ)的自由层尺寸及磁矩倾角对磁矩翻转动力学特性的影响。具体讨论了... 纳米磁性结构内磁矩翻转动态特性对于磁存储以及自旋电子学的研究具有十分重要的意义。基于Landau-Lifshitz-Gilbert(LLG)方程,研究了垂直磁各向异性(PMA)磁隧道结(MTJ)的自由层尺寸及磁矩倾角对磁矩翻转动力学特性的影响。具体讨论了宏自旋(Macrospin)模型中自由层的形状和尺寸对磁矩翻转特性的影响,给出了自由层磁矩翻转时间与阈值电流密度随自由层长度、厚度变化的特征。同时也分析了自由层磁矩倾角对磁矩翻转时间及阈值电流密度的影响。结果表明,在垂直MTJ结构中,小的磁矩倾角及合适的自由层长厚比可以大幅度地缩短磁矩翻转时间及减小所需阈值电流密度。 展开更多
关键词 宏自旋 垂直磁各向异性(PMA) 磁隧道结(mtj) 磁矩翻转 自由层
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稀土锰氧化物的低场磁电阻效应 被引量:27
18
作者 王克锋 刘俊明 《物理学进展》 CSCD 北大核心 2003年第2期192-211,共20页
具有庞磁电阻效应的掺杂稀土锰氧化物因为其高的自旋极化率和自旋极化输运行为而表现出显著的低场磁电阻效应。这一效应在氧化物自旋电子学中有着深远的潜在应用前景。本文综述了国内外近年来在锰氧化物低场磁电阻增强这一研究领域的进... 具有庞磁电阻效应的掺杂稀土锰氧化物因为其高的自旋极化率和自旋极化输运行为而表现出显著的低场磁电阻效应。这一效应在氧化物自旋电子学中有着深远的潜在应用前景。本文综述了国内外近年来在锰氧化物低场磁电阻增强这一研究领域的进展和存在的一些问题。全文分三个部分 ,首先概述了基于自旋极化散射和自旋极化隧穿两种输运机制的磁电阻理论 ;然后重点介绍掺杂稀土锰氧化物低场磁电阻增强的主要研究进展 ,这些进展背后的基本物理图象是通过人为引入自旋无序介质形成自旋极化散射和自旋极化隧穿 ,从而增强其低场磁电阻 ;第三部分讨论了基于掺杂稀土锰氧化物的磁性隧道结制备和输运性质。本文最后提出了锰氧化物低场磁电阻增强研究应该关注的一些物理问题。 展开更多
关键词 稀土掺杂 锰氧化物 低场磁电阻效应 自旋电子学 自旋极化散射 自旋极化隧穿 铁磁性材料
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Co基Heusler合金:磁性、半金属性,sp元素掺杂及在磁隧道结中的应用和发展 被引量:7
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作者 吴波 杨秀德 张颂 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第21期101-107,141,共8页
首先致力于介绍Co基Heusler合金的结构特征、磁性来源以及独特的半金属能带结构,以揭示这些合金独特的电磁性质和在磁隧道结中的应用潜力。在此基础上,进一步讨论了sp元素掺杂对调整Heusler合金电子结构和稳定其半金属性的重要意义。最... 首先致力于介绍Co基Heusler合金的结构特征、磁性来源以及独特的半金属能带结构,以揭示这些合金独特的电磁性质和在磁隧道结中的应用潜力。在此基础上,进一步讨论了sp元素掺杂对调整Heusler合金电子结构和稳定其半金属性的重要意义。最后,通过分析Co基Heusler合金磁隧道结的电子输运原理,描述了Co基Heu-sler合金磁隧道结的研究现状和发展方向。 展开更多
关键词 Co基Heusler合金 半金属性 磁隧道结 态密度
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JTIDS数据链在多音干扰下经过莱斯衰落信道的传输性能分析 被引量:3
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作者 张宏欣 王永斌 +1 位作者 刘宏波 卫泽 《电信科学》 北大核心 2012年第7期59-64,共6页
联合战术信息分发系统(joint tactical information distribution system,JTIDS)采用软扩频、跳频、纠错编码相结合的抗干扰体制,具备很强的抗干扰能力。通过已公开的JTIDS技术体制,分析了JTIDS通信链路的数学模型,在此基础上,研究并得... 联合战术信息分发系统(joint tactical information distribution system,JTIDS)采用软扩频、跳频、纠错编码相结合的抗干扰体制,具备很强的抗干扰能力。通过已公开的JTIDS技术体制,分析了JTIDS通信链路的数学模型,在此基础上,研究并得出了采用相干解调方式JTIDS数据链在高斯白噪声干扰和人为多音干扰条件下,经过莱斯衰落信道的符号错误概率(symbol error probability,SEP),根据理论结果进行计算,并由所得计算结果分析了干扰频率点数分布以及干扰频率偏移对于JTIDS传输性能的影响,为评估JTIDS通信网络在干扰环境下的效能提供基础。 展开更多
关键词 联合信息分发系统 多音干扰 莱斯衰落 符号错误概率
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