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MZOS结构界面特性的研究
1
作者 曹广军 刘光廷 +1 位作者 周子新 杨龙其 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1993年第6期49-52,67,共5页
分析了MZOS结构及其Si—SiO_2子系统的C-V特性,发现ZnO中的氧空位和溅射工艺过程在Si—SiO_2界面引入的界面电荷是影响MZOS结构界面特性的主要因素.研究还表明,低温热退火可以改善MZOS结构的界面特性.
关键词 mzos结构 界面特性 氧化锌薄膜
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MZOS结构的电学性质及退火效应
2
作者 亢效虎 何山虎 桑保生 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第12期926-930,共5页
本文研究了MZOS结构的电学性质及热处理效应，并进行了X线衍射分析和电子能谱分析．发现适当温度下的氧退火处理对改善ZnO膜的C轴对称性、降低Si表面有效电荷密度有显著效果．
关键词 mzos结构 氧化锌 半导体薄膜技术
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