金属辅助化学刻蚀太赫兹腔体器件仿真分析

本文提出了一种基于金属辅助化学刻蚀(MacEtch)的太赫兹形矩形波导及带通滤波器的制造方法,该方法有能力制作腔壁粗糙度低,垂直度高,制造公差精度高的硅基矩形波导和带通滤波器结构。相对于使用常见的深硅反应离子刻蚀(DRIE)工艺,能够有效减少由于粗糙度和制造公差带来的插入损耗和频率偏移。基于粗糙度Huray模型和有限元仿真分析得到MacEtch太赫兹矩形波导的平均插入损耗在0.75THz^1.15THz频段,相对于使用DRIE制作出的相同器件降低了0.15dB/mm;频率偏移减少了3GHz^6GHz。