一种新型SOI Mach-Zehnder干涉型电光调制器的设计

在超紧缩双曲锥形 3dB多模干涉耦合器的基础上 ,设计了一种新的Silicon on insulator(SOI)Mach Zehnder干涉型电光调制器 与传统的Y分支器相比 ,双曲锥形 3dB耦合器的制作容差大 ,而长度缩短了近 30 % ,使得整个器件的尺寸大幅减小 调制区采用横向注入的PIN结构 ,模拟结果表明 :当外加偏压为 0 .86V时 ,器件的调制深度最大 ,此时注入电流为 13.2mA ,对应的器件功耗为 11.

载流子吸收对SOI Mach-Zehnder干涉型电光调制器性能的影响

分析了载流子吸收对 SOI材料制作的 Y分支型 Mach- Zehnder干涉型电光调制器 /开关性能的影响 。

新型电光调制器

介绍了目前光纤通信中的电光调制器的原理、结构和应用。目前半导体调制器的研究日趋成熟,性能不断改善。微环型谪制器和有机聚合物材料的调制器逐渐成为人们研究的热点。

新型高速电光调制器

介绍了目前高速长距离光纤通信中常用的电光调制器的原理、结构和应用。目前半导体调制器的研究日趋成熟,性能不断改善。有机聚合物电光调制器被公认为是最具潜力的高速光通信调制器,正成为人们关注的焦点。

电光相位调制器谐波响应对光纤陀螺的影响

从电光相位调制器的谐波响应出发 ,对干涉型光纤陀螺信号零偏、零漂的产生来源进行了探讨 用干涉理论和正弦波调制解调分析从原理上指出调制器的振幅与相位两种谐波可产生陀螺信号的零偏和零漂 根据调制器典型数据所做的模拟与人为加入温漂时所得的试验结果相当吻合 从而证实调制器谐波响应是产生陀螺信号偏移和漂移的主要原因 。

M-Z型LiNbO_3外调制器的优化设计分析

阐述了以M-Z干涉型光波导为波导结构、铌酸锂(LiNbO3)材料电光效应为基础的集成光学强度调制器的工作原理及器件结构,讨论了集成光学强度调制器性能指标,重点讨论了干涉型行波电极结构LiNbO3外调制器的优化设计思想。

LiNbO_3电光调制器的优化设计与制作

铌酸锂晶体有良好的光声和电光性质,因而基于铌酸锂的集成光学器件已引起人们广泛关注。利用LiNbO3作为介质材料,设计M-Z干涉型强度调制器。选用低损耗的质子交换光工艺技术制备光波导。对质子交换铌酸锂光波导的制作工艺、波导特性及其应用进行了研究。对电极结构进行了优化设计。

X切LiNbO_3脊形结构集成电光M-Z型调制器

采用X切LiNbO3 基片 ,设计并研制了脊形结构集成电光Mach Zehnder(M Z)波导调制器 ,实验研制过程包含关键的LiNbO3 基片湿腐蚀刻槽技术和大厚度电极制作技术。研究结果表明 ,脊形结构调制器与传统的平面结构调制器相比 ,在大幅度提高调制带宽方面 。

电光角度信息传递系统的性能研究

在简单介绍了角度方位信息传递系统的工作原理的基础上,主要研究了系统中的电光晶体、四分之一波片和检偏器等器件偏离理想位置时对系统性能的影响．独立地研究了各器件偏离理想位置不同角度时系统的测试结果,并定量地作出系统的探测曲线,由此分析得出:电光晶体和四分之一波片偏离理想位置的角度越大探测曲线斜率越小,即对降低系统灵敏度的影响越大;渥拉斯顿棱镜的初始位置直接决定着系统的探测灵敏度等结论．

光调制与器件

TN761 2001042780GeSi/Si Mach-Zehnder干涉型调制器的研制=SeGe/SiMach-Zehnder interferometer modulator[刊,中]/李宝军,胡冬枝,秦捷(复旦大学应用表面物理国家重点实验室.上海(200433)),万建军,李国正,刘恩科(西安交通大学微电子工程系.陕西,西安(710049))//光电子·激光.-2000,11(1).-14-16基于GeSi合金的等离子体色散效应,研制了一种Mach-Zehnder干涉型调制器,通过对其损耗和调制特性的测试得到:调制器对1.3 μm光的插入损耗为6.5 dB。