相位和差单脉冲雷达测角性能分析

根据二维相位和差单脉冲雷达系统实现结构,分析和仿真了天线-和差器、和差器、通道处理3部分电路的不理想对测角性能的影响.结果表明,天线-和差器的幅度不一致影响测角大小,相位不一致影响测角大小和测角极性;和差器阻抗不匹配影响测角大小和极性;通道处理电路幅度不一致影响测角大小,相位不一致影响测角极性.在不理想因素中,天线-和差器相位不一致对测角性能的影响最小,天线-和差器幅度不一致以及和差器阻抗不匹配的影响较大.

一种平面型波导单脉冲比较器的设计

介绍了一种平面型波导单脉冲比较器的设计。利用波导混合电桥作为基本结构单元 ,设计了一个X波段单脉冲比较器。通过在波导电桥的输入臂加上四分之一波长变换段 ,将其等效为魔T ,四个这样的等效魔T通过H弯连接可构成双面单脉冲比较器。讨论了一种简易的宽带补相技术 。

一种新的双魔T多状态反射计

介绍了一种新的多状态反射计。该反射计由两只魔 T和两个功率检测器组成。采用一只精密滑动短路器作标准 ,通过任意相位单位矢量五点校准法对其进行校准 ;另用一只精密滑动短路器来改变反射计状态。测量复反射系数采用矢量变换法。与传统的六端口反射计与多状态反射计相比 ,该反射计校准端口与测试端口相分离 ,具有结构简单、稳定性高。

一种Ka频段功率合成放大器的设计

为了满足系统对发射机小型化的需求,设计了一种Ka频段功率合成放大器,采用波导空间功率合成结合电路功率合成的方式,有效地提高了功率合成放大器的功率密度。吸收传统威尔金森电桥的优点,设计了一种低损耗毫米波微带集成3 d B电桥,其成本低,加工容易,在26~32 GHz插入损耗小于0.3 d B。提出了一种新型的魔T功率合成结构,既保持了较好的3 d B功率分配又提高了两输出支路的隔离度。以此2种3 d B电桥为基础的Ka频段功率合成网络,可提高功率合成放大器工作的稳定性。

鳍线魔T及鳍线平衡混频器

介绍了鳍线魔T的性质及设计原则,对其中的激励问题提出了一种近似计算方法,给出了适合于电路工程的设计经验公式,利用鳍线魔 T 结构在 Ka 波段实现了平衡混频器。混频器包括中放在内的 DSB 噪声系数小于6.8dB,最小值6.0dB,工作带宽2.0GHz,本振射频隔离大于20 dB。

一种新型Ka频段功率合成器的设计

功率合成是获得大功率输出的一项重要技术。当单个器件输出功率受限时,要提高系统的输出功率,功率合成技术是一种有效解决此问题的方法。创新地提出了一种新型的3dB功率合成结构。这种新型结构避免了现有功率合成网络的许多缺点,既保持了较好的3dB功率分配又提高了两输出支路的隔离度。用这样的结构来研制功率放大器可以大大地提高其工作的稳定性和可靠性,能够对昂贵、脆弱的功率MMIC起到保护作用。

一种单平面结构的高精度V波段0/180°移相器

受魔-T特性的启发,不同于传统的平衡式微带-槽线0/180°移相器双平面结构,文中采用平衡式共面波导-槽线转换方案,应用肖特基势垒二极管研制了一种响应速度快、寄生调幅小的小型化单平面电路结构V波段0/180°移相器,实现了电路简化设计。该移相器结构紧凑,加工方便,在4 GHz的宽频带范围内,实现插入损耗<3 dB、相位平衡度≤5°、幅度平衡度≤0.5 dB的良好电性能。

Ka波段单脉冲和差网络设计

和差网络是毫米波单脉冲雷达前端中的一个重要器件,设计了一种由四个阶梯型波导魔T组成的Ka波段和差网络。相比于传统的波导匹配魔T,该新型魔T由于采用了阶梯型过渡匹配结构,抗振动能力较好。四个魔T按一定方式排列和连接,以使和差端口成一直线分布,四个接收端口成"十"字型分布,易于系统集成。通过三维电磁仿真软件优化设计,在34 GHz^36 GHz范围内,和差器各端口回波损耗大于15 d B,当和端口激励时各输出端口的幅度一致性小于0.1d B、相位一致性小于5°。最后,给出和差网络的实物测试结果,并与仿真结果对比。

宽带高隔离度功率分配器的设计

在固态毫米波功率放大器设计中,单片MMIC输出功率较小,提高系统功率的有效方法是采用功率合成技术,目前的功率合成技术存在的设计难点是提高各分配支路间的隔离度。本文基于对传统魔T的分析和改进,提出了一种高隔离度的3dB功率分配结构。经实验测试,运用该结构设计的功率分配器,在29.3-39.3GHz的频带内两等分支路之间的隔离度可高达-42dB,两支路的不平衡度低于0.1dB,插入损耗优于-0.25dB,很好地满足了实际应用的要求。

高隔离度功分器仿真

功分器作为功率合成电路中的关键器件,直接影响功率合成效率,目前功率合成技术的设计难点是提高各分配支路间的隔离度。本文应用CST MICROWAVE STUDIO对传统魔T进行阻抗匹配仿真,实现良好隔离度;进而对折叠魔T进行仿真,较传统魔T具有小型化的特点。

稳态微波功率放大／合成器电路及其理论

提出了一种利用魔Ｔ加９０°相移器构成微波稳态功率放大／合成器的新方法，它综合了９０°Ｓｈｏｒｔ－ｓｌｏｔ混合电桥和１８０°匹配魔Ｔ功率放大／合成器电路的优点，对该电路系统在稳定放大／合成模式下的小信号和大信号特性进行了全面的理论分析，得到了许多对实际工程有意义的结论。

宽带脊波导魔T的设计

介绍了一种宽带脊波导魔T,该模型通过两根金属棒将魔T的H臂的上脊与E臂的双脊相连,采用阻抗变换的思想,通过切比雪夫阶梯阻抗枝节变换实现高低阻抗之间的过渡,并在ET接头和HT接头的交界处添加金属匹配块来改进接头的过渡匹配。文中分析了宽带脊波导魔T的设计原理,采用WRD650脊波导设计,利用全三维仿真软件进行了仿真验证,在10 GHz～18 GHz的频率范围内得到较好的性能指标。