硬磁畴稳定性与垂直布洛赫线间静磁相互作用的关系

研究石榴石磁泡膜在直流偏磁场作用下布洛赫线间的静磁作用对硬磁畴稳定性的影响．一方面实验研究了圆形硬磁畴的缩灭行为和条泡转变行为以及两种行为间的关系；另一方面通过引入相邻布洛赫线间的静磁作用能，改进了圆柱形硬磁畴的畴壁能公式，从而使一些多年来一直不能解释的硬磁畴在直流偏磁场下的行为得到了统一的解释，并在此基础上提出了估算硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线数目的方法．最后还应用经该文改进了的畴壁能公式定性地解释了部分硬磁畴种类随温度而变化的现象．

3类硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线的温度稳定性

研究了温度作用下 3类硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线 (VBL)的消失过程 ,发现和证实了普通硬磁泡 (OHBs) ,第I类哑铃畴 (IDs)和第II类哑铃畴 (IIDs)都存在一个与材料参量有关的VBL解体的临界温度范围 .对同一样品而言 ,3类硬磁畴的起始临界温度是相同的 ,而VBL完全解体的最低温度却是依次增加的 .在临界温度范围内 ,3类硬磁畴畴壁中的VBL是不稳定的 。

面内磁场和直流偏磁场共同作用下第Ⅱ类哑铃畴的稳定性

实验研究了面内磁场Hip对处于直流偏磁场Hb作用下的第Ⅱ类哑铃畴（ⅡD）的稳定性的影响．发现当Hb小于阈值（Hb）tb时，使ⅡD向其它种类硬磁畴或软泡转变的临界面内磁场不随Hb而改变；当Hb大于（Hb）th时，临界面内磁场开始下降．

石榴石磁泡膜中哑铃畴缩灭行为的进一步研究

通过对于第一类哑铃畴（ＩＤ）缩灭行为的实验研究，发现在直流偏场增加的过程中，ＩＤ以稳定的圆形畴存在的直流偏场范围ΔＨｂ随着其条泡转变场的增加而减小，直至趋于零．

直流偏磁场对三类硬磁畴畴壁长度的影响

在不同的直流偏磁场Ｈｂ下，测量了石榴石磁泡膜中三类硬磁畴长度（Ｌ）、宽度（Ｗ）和泡径（ｄ）．从而得到Ｌ、Ｗ和ｄ随Ｈｂ变化的曲线．结果表明，三类硬磁畴的畴壁长度都随Ｈｂ的增加而缩短．

温度对硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线间平衡间距的影响

实验研究了温度对外延石榴石磁泡薄膜中三类硬磁畴畴长的影响.研究发现,普通硬磁泡、第Ⅰ类哑铃畴和第Ⅱ类哑铃畴在条泡转变标准场和硬泡标准场处其畴长随温度的升高而增大,由此揭示了三类硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线间的平衡间距随温度的升高而变大,纠正了垂直布洛赫线间的平衡间距随温度的升高而变小这一结论.证明了三类硬磁畴的畴壁结构是一致的,在直流偏场下之所以会出现不同的缩灭行为,完全是由垂直布洛赫线的数目引起的.在同一温度下,普通硬磁泡、第Ⅰ类哑铃畴和第Ⅱ类哑铃畴中的垂直布洛赫线数目依次增多.

直流偏磁场作用下VBL消失机制探讨

以实验为依据，在Ｔｈｉｅｌｅ磁泡静力学理论和垂直布洛赫线均匀旋转模型的基础上，通过对畴壁能进行修正，研究了直流偏磁场作用下泡状硬磁畴的条泡转变和缩灭问题，从能量表达式出发算出了硬磁畴的缩灭场和最大缩灭场，并首次解释了第二类哑铃畴以条畴形态缩灭的现象。从而系统地解释了这些多年来未能解释的实验现象。

三类硬磁畴畴壁结构分析

实验研究了硬磁畴在不同温度下的静态性质，发现具有相同数目ＶＢＬ的硬碰畴在不同温度下的存在形式不一定相同，从而揭示了三类硬磁畴畴壁结构的一致性，证明了直流偏场作用下硬磁畴缩灭时ＶＢＬ间的平衡间距随温度的升高而增大。

垂直布洛赫线间静磁相互作用探讨

本文以实验现象为基础 ,利用相邻布洛赫线间的静磁作用能 ,改进圆柱形硬磁畴的畴壁能公式 ,公式中只使用了一个由实验数据拟合而确定的参数 c.由一个典型样品得到的参数 c,用于其它几个样品计算时 ,所得数据都与实验数据符合较好 .从而使一些多年来一直不能解释的硬磁畴在直流偏磁场下的行为得到了统一的解释 ,特别是成功地解释了硬磁畴的一些温度特性 ,并首次提出垂直布洛赫线元模型 。

温度对第Ⅱ类哑铃畴畴长的影响

详细测量了第Ⅱ类哑铃畴在条泡转变标准场Ｈ＇ｓｂ和硬泡标准场Ｈ＇０处畴长Ｌ随温度的变化关系，证明了第Ⅱ类哑铃畴畴壁中垂直布洛赫线间平衡间距Ｓｅｑ随温度的升高而增大。

磁泡材料中硬磁畴与物性的关系

利用法拉第偏光显微镜观测了磁畴,通过显微照相技术拍摄了硬磁畴随温度变化的典型照片,这些照片揭示了硬磁畴的物理性质与温度之间的关系:VBL间的最小平衡间距随温度的升高逐步增大;较硬的普通硬磁泡(OHB)可以随着温度的升高转变为较软的第1类哑铃畴(ID),而较软的第1类哑铃畴(ID)又可以随着温度的升高转变为较软的第2类哑铃畴(IID);为3类硬磁畴畴壁结构的一致性提供了直接证据.此外,VBL的这些温度特性反映出BLM方案的不足.

磁畴壁物理和布洛赫线存贮器研究现状和前景

主要介绍了磁泡的产生，消失和磁泡存贮器的特点、应用以及它的现状．另外。

直流偏场和温度联合作用下第Ⅱ类哑铃畴的自崩灭

实验研究了第Ⅱ类哑铃畴(ⅡD)在直流偏场和温度联合作用下的自崩灭现象,发现第Ⅱ类哑铃畴的自崩灭存在一个与材料参量有关的自崩灭的偏场范围,并且该范围的上下限是温度的递减函数。此外,实验表明ⅡD的自崩灭过程是VBL链的突然解体,这为进一步研究直流偏场作用下VBL的消失机制提供了线索。

直流偏磁场对第二类哑玲畴长度的影响

本文通过研究直流偏磁场Ｈｂ对标称成份为（ＹＳｍＣａ）３（ＦｅＧｅ）５Ｏ１２石榴石磁泡材料中第二类哑铃畴（ＩＤ）长度的影响，观察到：１）ＩＤ的长度随Ｈｂ的升高而缩短；２）经过直流偏场从低到高两次大幅度地准静态升降，ＩＤ长度与Ｈｂ的关系曲线基本重合；３）随着Ｈｂ的升高，直至ＩＩＤ缩灭的过程中，较长ＩＤ与较短ＩＤ的长度比变化不大．这些实验现象暗示。

温度对IID畴壁中VBL解体临界面内场的影响

实验研究了温度和面内场对液相外延石榴石磁泡薄膜内,第II类哑铃畴(IID)畴壁内垂直布洛赫线(VBL)链稳定性的影响.研究发现,在室温到T0′的任一温度下,IID畴壁中VBL的消失都存在一个临界面内场范围[H(1)ip(T)<Hip<ip(T),H(2)ip(T)].当Hip≤H(1)ip(T)时,IID畴壁中VBL稳定存在;当H(1)H(2)ip(T)时,IIDD畴壁中VBL变得不稳定;随着Hip的增大VBL丢失得越来越多,当Hip≥H(2)ip(T)时,IID畴壁中VBL完全丢失.并且随着温度的升高,临界面内场值H(1)ip(T)和H(2)ip(T)逐渐减小.

源自软磁畴段的布洛赫线链行为研究

在从1967-1992年连续25年研制固态磁存储器的故事中,中国没有缺席。1970年代初,中国科学院物理研究所磁学室磁泡组11个人从生长基片单晶,制备单晶磁泡薄膜和进行磁泡测量三方面开始磁泡材料的研制。当时文章作者负责测量,设计制作了磁泡测量装置。为了表征磁泡薄膜,发现了含有"一盘"软磁畴段的H图形,并找到了"脉冲偏磁场作用下硬磁泡的形成"的研究课题。这使作者在1980年代初经受住了磁泡下马的冲击,迎来了1983年布洛赫线存储器方案的提出,发觉已具有研究其机理的条件,最终成为该存储器的终结者,并在1991年国际J.Mag.Mag.Mater.杂志第100纪念卷中荣幸地为"China"占了一席之地。从1992年以来,时间又过去了25年,但活生生的磁泡总在,当年报废的磁泡测量装置已经更新。盼望大学生和刚入门的研究者喜欢这台能显示赏心悦目的磁泡畴运动,能生动阐述铁磁学物理基础的研究导向性的物理实验设备。

脉冲偏场作用下石榴石磁泡薄膜中布洛赫线的形成

实验研究了石榴石磁泡薄膜中不同脉冲宽度下产生的硬磁畴的动态特性.结果表明:由零偏场下产生的枝状畴收缩而成的哑铃畴均逆时针转动,与产生枝状畴时所用的脉冲偏场的脉冲宽度无关.而固定直流偏场下由软畴段硬化而成的哑铃畴的转动状态,则与所用的硬化脉冲偏场的脉冲宽度有关.低脉冲宽度下硬化成的哑铃畴均逆时针转动,随硬化脉冲宽度的升高,出现混合转动向顺时针转动的过渡.由此揭示了直流偏场和脉冲偏场在石榴石磁泡薄膜中形成正、负垂直布洛赫线的作用.