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Room Temperature Ferromagnetism and Structure of Zn_(1-x)Cu_xO Films Synthesized by Radio Frequency Magnetron Sputtering
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作者 陈学梅 诸葛兰剑 +1 位作者 吴雪梅 吴兆丰 《Plasma Science and Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2009年第5期582-586,共5页
Zn1-xCuxO thin films were synthesized by the radio frequency (RF) magnetron sputtering technique using a ZnO target containing different pieces of small Cu-chips. X-ray diffraction (XRD) and scanning electron micr... Zn1-xCuxO thin films were synthesized by the radio frequency (RF) magnetron sputtering technique using a ZnO target containing different pieces of small Cu-chips. X-ray diffraction (XRD) and scanning electron microscopy (SEM) were employed to analyze the crystalline and microstructure of the film, and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) was used to establish the bonding characteristics and oxidation states of copper inside the ZnO host. Room temperature (RT) ferromagnetism was observed in the Znl-xCuxO films by a Quantum Design superconducting quantum interference device (SQUID) and the saturation magnetic moment of the films was found to decrease with the increase in Cu content. 展开更多
关键词 RF magnetron sputtering zn1-xCuxO film FERROMAGNETISM
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Effects of Mg doping content and annealing temperature on the structural properties of Zn_(1-x)Mg_xO thin films prepared by radio-frequency magnetron sputtering
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作者 DU Wen-han YANG Jing-jing +1 位作者 ZHAO Yu XIONG Chao 《Optoelectronics Letters》 EI 2017年第1期42-44,共3页
The doping content of Mg plays an important role in the crystalline structure and morphology properties of Zn_(1-x )Mg_xO thin films. Here,using radio-frequency magnetron sputtering method,we prepared Zn_(1-x )Mg_xO t... The doping content of Mg plays an important role in the crystalline structure and morphology properties of Zn_(1-x )Mg_xO thin films. Here,using radio-frequency magnetron sputtering method,we prepared Zn_(1-x )Mg_xO thin films on single crystalline Si(100) substrates with a series of x values. By means of X-ray diffraction(XRD) and scanning electron microscope(SEM),the crystalline structure and morphology of Zn_(1-x )Mg_xO thin films with different x values are investigated. The crystalline structure of Zn_(1-x )Mg_xO thin film is single phase with x<0.3,while there is phase separation phenomenon with x>0.3,and hexagonal and cubic structures will coexist in Zn_(1-x )Mg_xO thin films with higher x values. Especially with lower x values,a shoulder peak of 35.1° appearing in the XRD pattern indicates a double-crystalline structure of Zn_(1-x )Mg_xO thin film. The crystalline quality has been improved and the inner stress has been released,after the Zn_(1-x )Mg_xO thin films were annealed at 600 °C in vacuum condition. 展开更多
关键词 magnetron sputtering crystalline annealing doping hexagonal annealed cubic ultraviolet appearing
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Effect of Zn and Ti mole ratio on microstructure and photocatalytic properties of magnetron sputtered TiO_2-ZnO heterogeneous composite film 被引量:2
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作者 白力静 寇钢 +1 位作者 龚振瑶 赵志明 《Transactions of Nonferrous Metals Society of China》 SCIE EI CAS CSCD 2013年第12期3643-3649,共7页
Series of TiO 2-ZnO heterojunction composite films with different n(Zn)/n(Ti) ratios were prepared by UDP450 magnetron sputter ion plating equipment, and the mole ratio of Zn to Ti was controlled by adjusting the ... Series of TiO 2-ZnO heterojunction composite films with different n(Zn)/n(Ti) ratios were prepared by UDP450 magnetron sputter ion plating equipment, and the mole ratio of Zn to Ti was controlled by adjusting the current values of sputtering target. The effects of n(Zn)/n(Ti) on the microstructures of TiO2-ZnO films were investigated by SEM, AFM, Raman and XPS, and their photocatalytic decomposition of methyl orange solutions was evaluated. The results show that an increase in n(Zn)/n(Ti) typically results in a decrease in the grain size of composite films firstly and then an increase of grain size, while an increase in n(Zn)/n(Ti) leads to an increase in film roughness firstly and then a decrease in film roughness. Both grain size and roughness of TiO2-ZnO films reach the maximum and minimum at n(Zn)/n(Ti) of 1/9.3, respectively. The n(Zn)/n(Ti) shows little effect on the valences of Zn and Ti elements, which mainly exist in the form of TiO2 and ZnO phases. The n(Zn)/n(Ti) has influence on the amount of anatase/rutile TiO2 heterojunction in the film. With increase of the n(Zn)/n(Ti), the absorption intensity of the composite film increases and the absorption region extends to 450 nm, which is redshifted as much as 150 nm in comparison with the pure TiO2 films. However, the photocatalytic abilities of heterogeneous composite films do not depend on the n(Zn)/n(Ti) but rather on the microstructures of the TiO2-ZnO composite films. Degradation rate of the film reaches the maximum and the photocatalytic decomposition of pollutants works best when n(Zn)/n(Ti)=1:9.3. 展开更多
关键词 magnetron sputtering TiO2-znO thin films zn to Ti mole ratio MICROSTRUCTURE PHOTOCATALYTIC
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不同硫压退火对溅射沉积ZnS薄膜性能的影响 被引量:2
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作者 党新志 张仁刚 +4 位作者 张鹏 于润升 况鹏 曹兴忠 王宝义 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第3期107-113,共7页
ZnS作为一种宽带隙半导体,以其优异的光电性能近年来受到广泛关注,在太阳能电池、光催化剂以及传感器方面有着广阔的应用前景.本文首先以射频磁控溅射方法沉积了ZnS薄膜,然后在600℃温度和不同硫压下进行退火,通过X射线衍射、扫描电子... ZnS作为一种宽带隙半导体,以其优异的光电性能近年来受到广泛关注,在太阳能电池、光催化剂以及传感器方面有着广阔的应用前景.本文首先以射频磁控溅射方法沉积了ZnS薄膜,然后在600℃温度和不同硫压下进行退火,通过X射线衍射、扫描电子显微镜、能量散射X射线谱、紫外-可见透射光谱以及慢正电子多普勒展宽谱对ZnS薄膜的晶体结构、表面形貌、晶粒尺寸、成分、透光率以及缺陷进行分析.结果表明:硫气氛后退火能够改善ZnS薄膜结晶性,退火后ZnS薄膜光学带隙为3.43—3.58 eV.当硫压高于0.49 atm(1 atm=1.01×10^(5)Pa)时,ZnS内部硫间隙原子以及表面单质硫降低了薄膜在可见光区的透光率.慢正电子多普勒展宽谱结果还表明,ZnS薄膜的缺陷浓度由表层到内层逐渐降低,薄膜缺陷随着硫压增加而降低.同时,3γ湮没证明了薄膜内部较为致密,硫化会导致薄膜开孔率增加.吸附硫通过内扩散占据了晶体中硫空位缺陷的位置,导致缺陷浓度降低,进而改善了薄膜质量. 展开更多
关键词 磁控溅射 硫蒸气退火 znS薄膜 慢正电子多普勒展宽能谱
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Cu-Zn掺杂对TiN复合膜层组织性能的调制 被引量:3
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作者 韦春贝 巩春志 +1 位作者 田修波 杨士勤 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第6期1231-1235,共5页
利用磁控溅射方法在不锈钢表面沉积了Cu-Zn掺杂TiN复合膜,研究不同的Cu、Zn含量对膜层结构和性能(硬度、耐磨性能以及耐腐蚀性能)的影响.结果表明,掺杂的Cu、Zn可以阻止TiN晶粒生长,随掺杂量增加TiN晶粒细化,Cu、Zn含量比较高时由于金... 利用磁控溅射方法在不锈钢表面沉积了Cu-Zn掺杂TiN复合膜,研究不同的Cu、Zn含量对膜层结构和性能(硬度、耐磨性能以及耐腐蚀性能)的影响.结果表明,掺杂的Cu、Zn可以阻止TiN晶粒生长,随掺杂量增加TiN晶粒细化,Cu、Zn含量比较高时由于金属相长大而使膜层组织粗化.当Cu≤10.38at%,Zn≤2.19at%时,TiN以(111)晶向择优生长,且随掺杂量增加TiN(200)晶向逐渐增强.XPS结果表明膜层主要由TiN和单质Cu组成.当掺杂Cu为10.38at%、Zn为2.19at%时,复合膜具有较高的硬度和较好的耐磨性能.尽管耐腐蚀性能随着Cu、Zn含量的增加而下降,但少量的Cu-Zn掺杂可显著提高膜层钝化能力. 展开更多
关键词 磁控溅射 TiN复合膜 Cu-zn掺杂
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衬底温度对磁控共溅射制备的Zn(O,S)薄膜结构和光电性能的影响 被引量:2
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作者 彭柳军 杨雯 +3 位作者 陈小波 自兴发 杨培志 宋肇宁 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第1期38-42,54,共6页
采用磁控共溅射沉积法,以氧化锌和硫化锌为靶材,在不同衬底温度下制备了Zn(O,S)薄膜。采用X射线衍射仪、原子力显微镜、紫外-可见-近红外分光光度计、霍尔测试仪和拉曼光谱测试仪对Zn(O,S)薄膜进行了结构和光电特性研究。结果表明:Zn(O... 采用磁控共溅射沉积法,以氧化锌和硫化锌为靶材,在不同衬底温度下制备了Zn(O,S)薄膜。采用X射线衍射仪、原子力显微镜、紫外-可见-近红外分光光度计、霍尔测试仪和拉曼光谱测试仪对Zn(O,S)薄膜进行了结构和光电特性研究。结果表明:Zn(O,S)薄膜具有六方纤锌矿结构,属于二模混晶;在可见-近红外波段的吸收率小于5%;其为N型半导体,电学特性随衬底温度的变化而变化;衬底温度为200℃时制备的厚度为167 nm的Zn(O,S)薄膜的载流子浓度达到8.82×1019cm-3,迁移率为19.3 cm2/V·s,表面呈金字塔结构。 展开更多
关键词 zn(O S)薄膜 磁控共溅射 衬底温度 光电性能
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掺锑Zn-Sn-O透明导电膜的制备及特性 被引量:1
7
作者 黄树来 马瑾 +4 位作者 盖凌云 姜永超 计峰 马洪磊 余旭浒 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期626-630,共5页
采用射频磁控溅射技术在7059玻璃衬底上低温制备出具有多晶结构的掺锑锌-锡-氧(Zn-Sn-O:Sb)透明 导电膜。研究了制备薄膜的结构、成分、电学和光学特性以及退火温度对薄膜性能的影响。Zn-Sn-P:Sb透明导 电膜的电阻率为1.5×10-2Ω&... 采用射频磁控溅射技术在7059玻璃衬底上低温制备出具有多晶结构的掺锑锌-锡-氧(Zn-Sn-O:Sb)透明 导电膜。研究了制备薄膜的结构、成分、电学和光学特性以及退火温度对薄膜性能的影响。Zn-Sn-P:Sb透明导 电膜的电阻率为1.5×10-2Ω·cm,相应载流子浓度和霍尔迁移率分别为8.0×1019cm-3,5.8cm2·v-1·s-1。薄膜的 可见光平均透过率达到了85%。 展开更多
关键词 磁控溅射 zn-Sn-O:Sb膜 光电性质
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Zn掺杂TiO_2薄膜紫外探测器及其光电性能研究 被引量:2
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作者 江伟 王怡 +2 位作者 邢光建 武光明 李东临 《真空》 CAS 北大核心 2009年第3期38-41,共4页
采用射频磁控溅射的方法制备Zn掺杂TiO2薄膜,用XRD、SEM和UV-Vis分别表征TiO2薄膜的晶体结构、表面形貌及其紫外-可见光吸收谱。并用此材料制备Au/TiO2/Au结构MSM光电导型薄膜紫外光探测器,研究其光电特性。实验结果表明,Zn掺杂TiO2紫... 采用射频磁控溅射的方法制备Zn掺杂TiO2薄膜,用XRD、SEM和UV-Vis分别表征TiO2薄膜的晶体结构、表面形貌及其紫外-可见光吸收谱。并用此材料制备Au/TiO2/Au结构MSM光电导型薄膜紫外光探测器,研究其光电特性。实验结果表明,Zn掺杂TiO2紫外探测器在250nm、5V偏压紫外光照下光电流约为500μA,其响应度为100A/W,平均暗电流约为0.5μA;由于ZnO/TiO2复合薄膜之间的费米能级不同而形成的内建电场作用,减少了产生的光生电子与空穴的复合,得到较强的光电流。且其光响应的上升迟豫时间约为22s,下降响应时间约为80s;响应时间较长是由于广泛分布于薄膜中的缺陷而造成的。结果表明Zn掺杂TiO2可作为一种良好的紫外探测材料。 展开更多
关键词 射频磁控溅射 zn掺杂TiO2薄膜 MSM紫外探测器 光响应
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Ag-ZnS纳米复合薄膜的微结构和电学特性研究 被引量:1
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作者 宋学萍 曹春斌 孙兆奇 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第4期405-408,共4页
通过控制射频磁控溅射时间(5,10和15min)和Ag组分制备了三种厚度、四种Ag体积百分比(5%,10%,15%和20%)的Ag-ZnS复合薄膜。微结构研究表明:较低Ag组分(5%,10%和15%)的薄膜表现为β相ZnS体心立方晶体的(220)择优取向结构,未出现Ag的衍射... 通过控制射频磁控溅射时间(5,10和15min)和Ag组分制备了三种厚度、四种Ag体积百分比(5%,10%,15%和20%)的Ag-ZnS复合薄膜。微结构研究表明:较低Ag组分(5%,10%和15%)的薄膜表现为β相ZnS体心立方晶体的(220)择优取向结构,未出现Ag的衍射特征峰;Ag体积分数为20%的复合薄膜同时出现了Ag(111)和ZnS(220)的衍射峰,但峰强度明显降低。分析认为:较低Ag组分薄膜中的Ag成分有助于ZnS结晶或晶体长大,但较高Ag组分薄膜中的Ag对ZnS的结晶起到抑制作用。电学特性研究表明:较低Ag组分复合薄膜导电机制为介质状态;而20%Ag的复合薄膜导电机制为过渡状态,以Ag金属颗粒联并而成的网络结构中的渗透电导为主。 展开更多
关键词 Ag-znS复合薄膜 射频磁控溅射 微结构 电学特性
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ZnS窗口上过渡层的研究 被引量:4
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作者 雷青松 孙亦宁 +1 位作者 郭晚土 崔敬忠 《真空与低温》 1999年第1期21-23,共3页
研究采用AlN为过渡层在ZnS红外光学窗口材料上进行金刚石膜保护。还对膜进行结构分析和光学测试。
关键词 金刚石膜 过渡层 磁控溅射 硫化锌 红外光学窗口
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硫化法制备ZnS薄膜的结构和光学性能研究
11
作者 张仁刚 卓雯 +2 位作者 王登京 陈克亮 徐千山 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2013年第5期23-25,共3页
采用直流反应磁控溅射法,在玻璃衬底上沉积了ZnO薄膜,然后在H2S气氛和500℃温度下退火制备了六方ZnS薄膜。利用X射线衍射仪(XRD)、UV-VIS分光光度计、扫描电子显微镜(sEM)对样品进行了表征。结果表明:ZnO经0.5h硫化就能全部生成... 采用直流反应磁控溅射法,在玻璃衬底上沉积了ZnO薄膜,然后在H2S气氛和500℃温度下退火制备了六方ZnS薄膜。利用X射线衍射仪(XRD)、UV-VIS分光光度计、扫描电子显微镜(sEM)对样品进行了表征。结果表明:ZnO经0.5h硫化就能全部生成ZnS,适当提高硫化时间可改善ZnS的结晶性,但硫化时间超过2h后,结晶性会有所降低;所有制得ZnS薄膜都沿c轴择优生长,其晶粒明显比ZnO更大。此外,这些ZnS薄膜在500~1100am波长范围内的光透过率均高达约75%,带隙为3.65~3.70eV。 展开更多
关键词 半导体 znS薄膜 磁控溅射 硫化 六方 光透过率
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退火处理对掺锑Zn-Sn-O薄膜的特性的影响
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作者 黄树来 姜永超 +3 位作者 盖凌云 徐进栋 王雨生 马瑾 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期219-221,共3页
首次在低温下采用磁控射频溅射技术在玻璃衬底上制备出具有多晶结构的掺锑锌-锡-氧(Zn-Sn-O∶Sb)透明导电膜。研究了在通氧气氛制备薄膜的特性以及退火处理对制备薄膜结构和光电性能的影响。经真空退火后,氩氧混合气体溅射制备的Zn-Sn-O... 首次在低温下采用磁控射频溅射技术在玻璃衬底上制备出具有多晶结构的掺锑锌-锡-氧(Zn-Sn-O∶Sb)透明导电膜。研究了在通氧气氛制备薄膜的特性以及退火处理对制备薄膜结构和光电性能的影响。经真空退火后,氩氧混合气体溅射制备的Zn-Sn-O∶Sb透明导电膜的最小电阻率为4×10-2Ω.cm,相应载流子浓度和霍尔迁移率分别为2.1×1019cm-3,8cm2.V-1.s-1。薄膜的可见光平均透过率达到了92.4%。薄膜具有较高的热稳定性和化学稳定性,对玻璃衬底有良好的附着性。 展开更多
关键词 磁控射频溅射 透明导电膜 zn-Sn-O:Sb
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真空退火温度对射频磁控溅射制备非晶In-Ga-Zn-O薄膜性能影响的研究
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作者 闫小兵 张二鹏 +3 位作者 贾长江 史守山 娄建忠 刘保亭 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第11期2304-2308,共5页
采用射频磁控溅射技术在室温下玻璃衬底上制备了铟镓锌氧(In—Ga—Zn-O)透明导电薄膜,并对该薄膜进行了真空退火。研究了不同退火温度对In-Ga—Zn-O薄膜结构、电学和光学性能的影响。X射线衍射(XRD)表明,在300℃至500℃退火温度... 采用射频磁控溅射技术在室温下玻璃衬底上制备了铟镓锌氧(In—Ga—Zn-O)透明导电薄膜,并对该薄膜进行了真空退火。研究了不同退火温度对In-Ga—Zn-O薄膜结构、电学和光学性能的影响。X射线衍射(XRD)表明,在300℃至500℃退火温度范围内,In-Ga-Zn-O薄膜为非晶结构。随着退火温度的增加,薄膜的电阻率先减小后增大。透射光谱显示退火后In-Ga-Zn-O薄膜在500—800nm可见光区平均透过率超过80%,且在350nm附近表现出较强的紫外吸收特性。经过退火的薄膜光学禁带宽度随着退火温度的增加先增大后减小,350℃最大达到3.91eV。 展开更多
关键词 In—Ga—zn-O薄膜 退火温度 磁控溅射 光学带隙
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射频磁控溅射法在柔性聚酰亚胺衬底上制备ZnS薄膜及其特性研究
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作者 许佳雄 辛辅炼 +3 位作者 魏坚烽 黄俊彬 温楚雄 邱莎莎 《半导体光电》 CAS 北大核心 2015年第5期756-759,764,共5页
为使Ⅱ-Ⅵ族化合物ZnS薄膜具有可弯曲性,选用柔性的聚酰亚胺作为衬底材料,用射频磁控溅射法沉积ZnS薄膜,对所制备薄膜的结晶结构、组分和光学特性进行分析。实验结果表明,所制备薄膜为结晶态的闪锌矿ZnS结构,择优取向为(111)晶面,晶粒... 为使Ⅱ-Ⅵ族化合物ZnS薄膜具有可弯曲性,选用柔性的聚酰亚胺作为衬底材料,用射频磁控溅射法沉积ZnS薄膜,对所制备薄膜的结晶结构、组分和光学特性进行分析。实验结果表明,所制备薄膜为结晶态的闪锌矿ZnS结构,择优取向为(111)晶面,晶粒尺寸为25.6nm。薄膜组分接近化学计量比,并具有少量的S损失。薄膜在可见光区和近红外光区的平均透射率分别为82.0%和90.5%,透光特性良好。作为对比,在钠钙玻璃衬底上溅射的ZnS薄膜的结晶度高于聚酰亚胺衬底薄膜,但其透射率略低于柔性ZnS薄膜。实验结果表明了用磁控溅射法在柔性聚酰亚胺衬底上制备ZnS薄膜的可行性。 展开更多
关键词 znS薄膜 柔性衬底 磁控溅射 XRD 透射率
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柔性衬底Zn-Sn-O透明导电膜的特性
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作者 黄树来 姜永超 +2 位作者 盖凌云 孙玉林 徐进栋 《莱阳农学院学报》 2004年第3期245-248,共4页
采用射频磁控溅射技术首次在有机薄膜衬底上低温制备出具有低电阻率和良好附着性的Zn-Sn-O透明导电膜。研究了有机衬底和玻璃衬底Zn-Sn-O薄膜的结构、表面形貌和组分。制备薄膜为非晶结构,有机衬底Zn-Sn-O透明导电膜的最低电阻率和可见... 采用射频磁控溅射技术首次在有机薄膜衬底上低温制备出具有低电阻率和良好附着性的Zn-Sn-O透明导电膜。研究了有机衬底和玻璃衬底Zn-Sn-O薄膜的结构、表面形貌和组分。制备薄膜为非晶结构,有机衬底Zn-Sn-O透明导电膜的最低电阻率和可见光平均透过率分别为1.3×10-2Ω·cm和82%。薄膜中的氧偏离理想化学配比,存在着较多的氧空位,氧空位是薄膜中载流子的主要来源。 展开更多
关键词 有机衬底 锌-锡-氧透明导电膜 射频磁控溅射技术 结构 表面形貌 组分
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原位退火对磁控溅射制备的ZnS薄膜微结构和发光性能的影响 被引量:5
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作者 石刚 李亚军 +3 位作者 左少华 江锦春 胡古今 褚君浩 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第6期507-510,共4页
采用射频磁控溅射技术在玻璃衬底上制备了系列ZnS薄膜,利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和荧光分光光度计研究了Ar气氛中300~500℃原位退火对薄膜微结构和发光性能的影响.结果表明,退火温度对ZnS薄膜的结晶性能和晶粒大小的... 采用射频磁控溅射技术在玻璃衬底上制备了系列ZnS薄膜,利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和荧光分光光度计研究了Ar气氛中300~500℃原位退火对薄膜微结构和发光性能的影响.结果表明,退火温度对ZnS薄膜的结晶性能和晶粒大小的影响不大,但会显著影响其发光特性.低温退火处理的薄膜的PL谱具有多个发光峰,而500℃退火的薄膜则表现为单一发光峰结构.PL谱的这种变化是由于退火引起ZnS薄膜中的缺陷种类和浓度变化所致. 展开更多
关键词 znS薄膜 原位退火 光致发光 磁控溅射
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厚度对ZnS薄膜结构和应力的影响 被引量:4
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作者 马锦 马云芳 +1 位作者 宋学萍 孙兆奇 《合肥工业大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2007年第1期7-10,共4页
用射频磁控溅射法在单晶Si基片上制备了4种不同厚度的ZnS膜,采用XRD和光学干涉相移法对薄膜的微结构和应力进行研究。结构分析表明,不同厚度的ZnS膜均呈多晶状态,并有明显的(220)晶面择优取向,晶体结构为立方晶型(闪锌矿)结构;随着薄膜... 用射频磁控溅射法在单晶Si基片上制备了4种不同厚度的ZnS膜,采用XRD和光学干涉相移法对薄膜的微结构和应力进行研究。结构分析表明,不同厚度的ZnS膜均呈多晶状态,并有明显的(220)晶面择优取向,晶体结构为立方晶型(闪锌矿)结构;随着薄膜厚度的增加,平均晶粒尺寸随之增大;薄膜的晶格常数在不同厚度下均比标准值稍大。应力分析表明,随着膜厚的增加,ZnS膜的应力差减小,在厚度为768 nm时的选区范围内应力差最小,应力分布较均匀。 展开更多
关键词 znS薄膜 射频磁控溅射 膜厚 微结构
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Zn靶与掺铝ZnO靶共溅射制备ZnO:Al薄膜及其性能 被引量:3
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作者 赵联波 刘芳洋 +5 位作者 邹忠 张治安 欧阳紫靛 赖延清 李劼 刘业翔 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第4期1119-1125,共7页
采用Zn靶和ZnO(掺2%Al2O3(质量分数))陶瓷靶在玻璃衬底上共溅射沉积Al掺杂ZnO薄膜,即ZnO:Al透明导电薄膜,研究Zn靶溅射功率(0~90 W)和衬底温度(室温、100℃和200℃)对薄膜结构、形貌、光学和电学性能的影响。结果表明:按双靶共溅射工... 采用Zn靶和ZnO(掺2%Al2O3(质量分数))陶瓷靶在玻璃衬底上共溅射沉积Al掺杂ZnO薄膜,即ZnO:Al透明导电薄膜,研究Zn靶溅射功率(0~90 W)和衬底温度(室温、100℃和200℃)对薄膜结构、形貌、光学和电学性能的影响。结果表明:按双靶共溅射工艺制备的ZnO:Al薄膜的晶体结构均为六角纤锌矿结构,且随着Zn靶溅射功率的增加,薄膜的结晶质量呈现出先改善后变差的规律,薄膜中的载流子浓度逐渐升高,电阻率逐渐降低,而薄膜的光学性能受其影响不大;随着衬底温度的升高,薄膜的结晶性能得到改善,薄膜的可见光透过率增强,电阻率降低。 展开更多
关键词 znO:AL薄膜 磁控溅射 zn靶功率 衬底温度 光电性能
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ZnS衬底表面制备HfO_2增透保护膜的性能 被引量:2
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作者 赵晓静 李成明 +4 位作者 陈良贤 刘金龙 冯寅楠 黑立富 吕反修 《材料热处理学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第10期130-134,共5页
用射频磁控溅射法在CVD ZnS衬底上制备了HfO2薄膜,利用X射线衍射(XRD),扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、傅里叶红外光谱(FTIR)和纳米力学探针对HfO2薄膜的结构和性能进行了分析和测试。结果表明,制备的HfO2为单斜相,膜层致密、表面... 用射频磁控溅射法在CVD ZnS衬底上制备了HfO2薄膜,利用X射线衍射(XRD),扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、傅里叶红外光谱(FTIR)和纳米力学探针对HfO2薄膜的结构和性能进行了分析和测试。结果表明,制备的HfO2为单斜相,膜层致密、表面平整、粗糙度仅为3.0 nm,硬度(7.3 GPa)显著高于衬底ZnS的硬度(2.6 GPa)。采用ZnO薄膜作过渡层,可有效提高HfO2与ZnS衬底的结合强度。单面镀制HfO2薄膜后,ZnS衬底在8-12μm长波红外波段的透过率最高可达81.5%,较之ZnS基体提高了5.8%,双面镀制HfO2薄膜后透过率最高可达90.5%,较之ZnS基体提高了14.8%,与理论计算结果吻合较好,适合作为ZnS窗口的增透保护膜。 展开更多
关键词 znS HFO2薄膜 增透保护膜 射频磁控溅射
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不同温度硫化生长ZnS薄膜的性能 被引量:2
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作者 杨光 张仁刚 +2 位作者 曹兴忠 张鹏 王宝义 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2020年第3期33-38,共6页
采用磁控溅射方法在玻璃衬底上室温下沉积了Zn薄膜,接着将薄膜在硫蒸气和氩气氛中于200℃预热1 h,然后升温至250~500℃退火1 h。以XRD、SEM、EDS和紫外可见分光光度计对薄膜进行表征,并结合热力学计算结果研究了Zn薄膜硫化生长机理。Zn... 采用磁控溅射方法在玻璃衬底上室温下沉积了Zn薄膜,接着将薄膜在硫蒸气和氩气氛中于200℃预热1 h,然后升温至250~500℃退火1 h。以XRD、SEM、EDS和紫外可见分光光度计对薄膜进行表征,并结合热力学计算结果研究了Zn薄膜硫化生长机理。Zn转变为ZnS的过程包括硫化反应以及S原子和Zn原子的扩散。研究还表明:第一步的200℃预热可在Zn薄膜表面形成ZnS,随后第二步退火的硫化温度对硫化薄膜光透过率、S/Zn摩尔比和结晶性都有明显影响;在大于或等于300℃的硫化温度下制备的ZnS薄膜在400~1100 nm范围光透过率高达约80%,带隙为3.54~3.60 eV,晶体结构为六方。 展开更多
关键词 znS薄膜 磁控溅射 硫化 光透过率
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