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一种测试SRAM失效的新型March算法
被引量:
2
1
作者
须自明
王国章
+1 位作者
刘战
于宗光
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第3期330-333,共4页
随着工艺偏差的日益增加,新的失效机制也在亚100 nm工艺的CMOS电路里出现了,特别是SRAM单元。SRAM单元的故障由晶体管阈值电压Vt差异引起,而Vt差异又是由工艺偏差造成的。对于这类SRAM失效机制,需要把它映射成逻辑故障模型,并为检测出...
随着工艺偏差的日益增加,新的失效机制也在亚100 nm工艺的CMOS电路里出现了,特别是SRAM单元。SRAM单元的故障由晶体管阈值电压Vt差异引起,而Vt差异又是由工艺偏差造成的。对于这类SRAM失效机制,需要把它映射成逻辑故障模型,并为检测出这类故障研究出新的March测试序列。针对这些逻辑故障模型,提出了一种新型的March算法序列;并通过验证,得到了很高的测试覆盖率。
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关键词
失效机制
march测试序列
工艺偏差
SRAM
下载PDF
职称材料
题名
一种测试SRAM失效的新型March算法
被引量:
2
1
作者
须自明
王国章
刘战
于宗光
机构
江南大学信息工程学院
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第3期330-333,共4页
基金
电子元器件可靠性物理及其应用技术国防科技重点实验室基金资助项目(51433020105DZ6802)
文摘
随着工艺偏差的日益增加,新的失效机制也在亚100 nm工艺的CMOS电路里出现了,特别是SRAM单元。SRAM单元的故障由晶体管阈值电压Vt差异引起,而Vt差异又是由工艺偏差造成的。对于这类SRAM失效机制,需要把它映射成逻辑故障模型,并为检测出这类故障研究出新的March测试序列。针对这些逻辑故障模型,提出了一种新型的March算法序列;并通过验证,得到了很高的测试覆盖率。
关键词
失效机制
march测试序列
工艺偏差
SRAM
Keywords
Failure mechanism
march
test sequencer Process variation
SRAM
分类号
TN302 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
一种测试SRAM失效的新型March算法
须自明
王国章
刘战
于宗光
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2007
2
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参考文献
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